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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110332090.4在审
  • 许博砚;吴伯伦;郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-03-29 - 2022-10-04 - H01L45/00
  • 本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含：基板、第一电极、空位供应层、侧壁阻障层、氧储存层、阻值转换层以及第二电极；第一电极设置于基板上；空位供应层设置于第一电极上；侧壁阻障层设置于第一电极上；氧储存层设置于第一电极上，且侧壁阻障层设置于氧储存层与空位供应层之间；阻值转换层设置于空位供应层上；第二电极设置于阻值转换层上。使得半导体结构中同时具有氧离子导通路径与空位导通路径，来获得更优良的电性特征。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]电阻式存储器-CN202011563684.8在审
  • 许博砚;吴伯伦;郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-12-25 - 2022-07-01 - H01L45/00
  • 本发明提供一种电阻式存储器，包括基底、第一电极、第二电极、可变电阻层与氧储存层。第一电极位于基底上。第二电极位于第一电极与基底之间。可变电阻层位于第一电极与第二电极之间。氧储存层位于第一电极与可变电阻层之间。氧储存层包括第一部分、第二部分与第三部分。第二部分连接于第一部分的一侧。第三部分连接于第一部分的另一侧。第一部分的厚度大于第二部分的厚度与第三部分的厚度。氧储存层的第一部分朝向第一电极突出。上述电阻式存储器可有效地提升存储器元件的电性效能。
  • 电阻存储器
  • [发明专利]非挥发性存储器装置及其制造方法-CN201710803384.4有效
  • 谢竺君;郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2017-09-08 - 2020-12-01 - H01L27/11517
  • 本发明提供一种非挥发性存储器装置及其制造方法。此非挥发性存储器装置包括穿隧氧化物层、浮动栅极、介电层与控制栅极。穿隧氧化物层形成于基板上。浮动栅极形成于穿隧氧化物层上，且包括第一多晶硅层、第二多晶硅层及氮掺质。第一多晶硅层的晶粒具有第一晶粒尺寸，第二多晶硅层的晶粒具有大于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。氮掺质形成于第一多晶硅层中的晶粒之间的缝隙中。介电层包括第一氮化物薄膜、氧化物层、氮化物层及氧化物层，且顺应性地形成于浮动栅极上。控制栅极形成于介电层上。本发明可大幅改善非挥发性存储器装置的可靠度与耐久性，且不需要大幅修改或是更换工艺及/或生产设备，对于生产成本的影响很小。
  • 挥发性存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]堆叠式电容器及其制造方法-CN201110411486.4有效
  • 沈鼎瀛;陈宏生;郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2011-12-07 - 2017-04-26 - H01L21/02
  • 一种堆叠式电容器及其制造方法。该制造方法包括在基底上依次形成第一支撑层、第一绝缘层、第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层；在第二支撑层、第二绝缘层、第三支撑层及硬掩模层中形成至少一第一开口；在第一开口的侧壁上形成间隙壁；以间隙壁为掩模，在第一支撑层及第一绝缘层中形成第二开口；进行一回吃工艺，以加大第二开口在第一绝缘层中的宽度；移除间隙壁；在第二开口及第一开口中依次形成下电极、介电层及上电极。
  • 堆叠电容器及其制造方法
  • [发明专利]图案化工艺-CN201310026986.5有效
  • 郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2013-01-24 - 2017-03-01 - H01L21/027
  • 一种图案化工艺。提供具有第一区域及第二区域的待图案化层。于待图案化层上形成掩模层。将掩模层图案化，以于第一区域中形成第一开孔以及于第二区域中形成第二开孔。于第一开孔的侧壁上形成经掺杂的多晶硅间隔体。以经掺杂的多晶硅间隔体及经图案化的掩模层为掩模，移除部分待图案化层，以于第一区域中形成第三开孔以及于第二区域中形成第四开孔。
  • 图案化工
  • [发明专利]半导体装置的制作方法-CN201310083714.9在审
  • 郭泽绵;张硕哲 - 华邦电子股份有限公司
  • 2013-03-15 - 2014-09-17 - H01L21/768
  • 本发明涉及半导体领域，具体地讲是关于一种半导体装置的制作方法，所述方法包括：在一半导体基板上形成一绝缘层；在绝缘层中形成至少一个开口，以露出半导体基板，其中半导体基板在位于开口底部的表面区域形成一原生氧化层；在开口的侧壁形成一导电间隙壁；形成导电间隙壁之后，实施一蚀刻步骤，以除去位于开口底部之原生氧化层并露出半导体基板；以及在开口内填充一导电材料，以形成一导电栓塞。本发明可以用以解决实际技术中除掉接触窗底部的原生氧化层时，接触窗尺寸（或孔径）变大的问题。
  • 半导体装置制作方法
  • [发明专利]位线结构及其制造方法-CN201110277642.2有效
  • 郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2011-09-19 - 2013-03-27 - H01L21/8242
  • 本发明提供一种位线结构，包括：半导体基材，具有瓶状沟槽于其中，其中此瓶状沟槽包含第一沟槽及扩大的第二沟槽，且其中此第一及此第二沟槽各自具有相互面对的第一侧壁及第二侧壁；第一绝缘层，内衬于此瓶状沟槽中；第二绝缘层，覆盖第二沟槽中的第一绝缘层，其中第一侧壁具有一暴露部分未被第一及第二绝缘层覆盖，且第一侧壁上的第一绝缘层具有一暴露部分未被第二绝缘层覆盖，且其中第一侧壁的暴露部分靠近第一沟槽的底部且介于其与第一绝缘层的暴露部分之间；一金属线，位于第二绝缘层中；一位线接触物，位于金属线上。
  • 结构及其制造方法
  • [发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN201110167526.5有效
  • 郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2011-06-21 - 2012-12-26 - H01L27/108
  • 本发明公开了一种动态随机存取存储器及其制造方法，上述动态随机存取存储器包括一埋藏位线，设置于一基板内沿一第一方向延伸的一第一沟槽中，上述埋藏位线包括复数个位线接触物，沿上述第一方向间隔设置于上述第一沟槽的一侧壁上；一第一绝缘物，设置于上述基板内沿一第二方向延伸的一第二沟槽的一底面上，其中上述第一绝缘物的一对侧壁分别邻接不同的上述些位线接触物；一对埋藏字元线，分别设置于上述第二沟槽的一对侧壁上，且分别覆盖部分上述第一绝缘物。
  • 动态随机存取存储器及其制造方法
  • [发明专利]位线结构及其制造方法-CN201110162125.0有效
  • 郭泽绵 - 华邦电子股份有限公司
  • 2011-06-16 - 2012-12-19 - H01L21/8242
  • 本发明公开了一种位线结构及其制造方法，包括：一基材，具有一瓶状沟槽于其中，其中此瓶状沟槽包含一第一沟槽及一扩大的第二沟槽，且其中第一沟槽及第二沟槽各自具有相互面对的一第一侧壁及一第二侧壁，此第一及第二沟槽的第一侧壁皆位于瓶状沟槽的同一侧；一绝缘层，位于第二沟槽中，具有一第一开口朝向第一沟槽，且与第二沟槽构成一第二开口，此第二开口连接至第一开口并暴露出第二沟槽的第一侧壁的顶部部分；一导电材料，至少位于基材的邻接于第二开口的部分中；以及一导线，位于第一开口中，且与导电材料直接接触。依照本发明实施例所提供的位线结构及其制造方法，可有效降低位线及位线之间的寄生电容，且不会增加位线及位线之间的最小间隔。
  • 结构及其制造方法
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