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[发明专利]具有图案化表面区域的涂布切削工具-CN201380053777.8有效
发明人：大卫·伯恩克;卡尔·比约恩曼德 -专利权人：山特维克知识产权股份有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C23C30/00 文献下载
摘要：所述基底在所述基底的涂布部分内的图案化表面区域之内包含进入所述基底中的多个凹进，其中每个凹进被所述表面涂层至少部分填充。
具有图案表面区域切削工具

[发明专利]图案化膜和方法-CN201380052111.0在审
发明人： R.R.奥尔曼;E.L.格兰斯特龙 -专利权人：卡尔斯特里姆保健公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种图案化膜的方法，其实现图案化膜和其上图案化区域的目视识别，同时仍实现并入图案化膜的装置中图案化区域与未图案化区域之间最小可察觉的光学差异。这些方法可展现广为成功的制造操作窗且图案化膜可用于电子应用中。
图案方法

[发明专利]具有波导和蚀刻连接器的激光图案化适配器-CN201980052028.0有效
发明人：威普库马·帕特尔;马修·J·特拉韦尔索;阿什利·J·马克尔;乔克·T·博文顿 -专利权人：思科技术公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：通过针对给定材料的基板中的光子元件(110)确定对准点；经由根据对准点与光子元件对准的激光器，将蚀刻图案施加到光子元件(110)，以在光子元件中产生图案化区域(113)和未图案化区域(114)，其中施加蚀刻图案针对光子元件的图案化区域(113)改变了给定材料中的化学键，这相对于未图案化区域(114)的反应性提高了给定材料对蚀刻剂的反应性，并且其中图案化区域(113)限定了未图案化区域中的接合特征(111)，该接合特征被配置为与光子集成电路(120)上的配合特征(121)接合；以及经由蚀刻剂从光子元件中去除图案化区域，各种系统和方法可以采用光学组件中的激光图案化来使能光学器件与芯片的对准。
具有波导蚀刻连接器激光图案适配器

[发明专利]图案化的玻璃制品及其制造方法-CN201980062137.0在审
发明人：金宇辉;李艾泽 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C03C3/083 文献下载
摘要：一种图案化的玻璃制品，其包括：玻璃基材，所述玻璃基材包括厚度，主表面以及在厚度的中点处的本体组合物；和图案化区域，所述图案化区域由主表面限定并且包括图案化区域组合物。所述本体组合物包含约40摩尔％至80摩尔％的二氧化硅，并且所述图案化区域组合物包含至少约40摩尔％的二氧化硅。进一步地，所述图案化区域包含第一纹理化区域和第二纹理化区域，所述第二纹理化区域通过雾度比第一纹理化区域的雾度大至少5％来表征。
图案玻璃制品及其制造方法

[发明专利]图案涂布用基板以及有机EL元件-CN200980137650.8无效
发明人：合田匡志 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-09-10 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种图案涂布用基板，其具备：具有图案化区域(15A)和包围该图案化区域的非图案化区域(17A)的基板主体；以条纹状设置于所述基板主体的所述图案化区域的多条间隔壁(15)；以及设置于所述非图案化区域中的所述间隔壁的长度方向的一方及另一方且可保持所涂布的液体状墨液的墨液保持部
图案涂布用基板以及有机 el 元件

[发明专利]半导体器件布局、存储器件布局和制造半导体器件的方法-CN201510349081.0有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件的布局包括有源区域、横跨多个有源区域的栅电极、沿着对应多个栅电极的侧面的间隔件、第一接触件图案化区域、第二接触件图案化区域和接触件区域。第一接触件图案化区域与多个有源区域中的至少一个有源区域、多个栅电极中的至少一个栅电极以及多个间隔件中的至少一个间隔件重叠，至少一个间隔件对应于至少一个栅电极。第二接触件图案化区域与第一接触件图案化区域的一部分重叠。接触件区域与至少一个有源区域重叠。接触件区域的边界通过第一接触件图案化区域、第二接触件图案化区域和至少一个间隔件的边界来限定。
半导体器件布局存储器件制造方法

[发明专利]一种量子点图案化方法、显示面板的制作方法和显示面板-CN202011103490.X在审
发明人：卢志高;张宜驰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点图案化方法、显示面板的制作方法和显示面板，以改善非图案化区域会有量子点残留，较难除掉，显示器件混色，器件性能不佳的问题。所述量子点图案化方法，包括：将量子点与第一物质混合，形成所述量子点被所述第一物质包覆的第一包覆物质；对图案化区域的所述第一包覆物质进行第一处理工艺，以使所述图案化区域的所述第一物质被溶解，所述量子点被暴露；对所述图案化区域进行第二处理工艺，以使所述图案化区域的所述量子点发生交联；对所述图案化区域进行第三处理工艺，以使所述图案化区域未发生交联的所述量子点被重新包覆，形成第二包覆物质；通过溶剂清洗。
一种量子图案方法显示面板制作方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN202211533973.2在审
发明人：王登宇;郑克宁;李浪涛;胡椹;吴翰;张振华;袁长龙;吴桐 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K50/822 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，包括层叠设置的衬底基板、像素界定层、显示层，其中：所述显示层包括阵列设置的多个发光元件，所述发光元件包括层叠设置的阳极层、发光层、阴极层，所述阴极层包括第一图案化区域和/或第二图案化区域，所述第一图案化区域内设置有第一导体图案材料层，所述第二图案化区域内设置有第二导体图案材料层；所述像素界定层上设置有多个像素区域和多个界定区域，所述像素区域用于形成所述发光层，所述第一图案化区域在所述衬底基板上的正投影位于所述界定区域在所述衬底基板上的正投影范围内，所述第二图案化区域在所述衬底基板上的正投影位于所述像素区域在所述衬底基板上的正投影范围内。
一种显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]显示装置-CN201910992858.3在审
发明人：金东煜;郭源奎;朴晋佑;方铉喆 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述显示装置包括基底，基底包括第一显示区域和第二显示区域。第一显示区域包括均包含一个或更多个第一像素的第一像素区域。第二显示区域包括均包含一个或更多个第二像素的第二像素区域和具有比第二像素区域的透光率高的透光率的透光区域。第一显示区域和第二显示区域包括传输恒定共电压的共电极。第二显示区域中的共电极包括图案化区域，图案化区域与包括在透光区域中的第一透光区域对应。图案化区域中的共电极的厚度小于除图案化区域之外的区域中的共电极的厚度，或者图案化区域中的共电极的厚度等于零。图案化区域和第二像素区域在第二显示区域中沿第一方向交替地布置。
显示装置

[发明专利]用于硅上液晶器件的铝化学机械抛光回蚀-CN200410066515.8有效
发明人：俞昌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2004-09-15 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：包括提供一个具有表面区域的衬底，形成一个覆盖在表面区域上的中间电介质层，图案化中间电介质层以形成复数个凹陷区域，每个凹陷区域对应于LCOS器件的一个像素，在每个凹陷区域中沉积铝材料或铝合金材料，形成覆盖在铝材料上的光掩模，图案化光掩模以暴露出对应于凹陷区域的区域并保护对应于凹陷区域的边界区域的区域，去除铝材料的暴露区域直到铝材料已被去除至边界区域的上部区域附近，然后剥离图案化的光掩模以暴露出围绕图案化的凸出的铝材料。所述方法在使用边界区域作为刻蚀停止层的同时，微接触抛光凸出的铝材料和图案化的铝材料的多个部分，以平坦化图案化的铝材料和边界区域形成的上部表面区域。
用于液晶器件化学机械抛光

[发明专利]光刻方法和设备-CN201380048627.8有效
发明人： E·鲁普斯特拉;J·范斯库特;T·森吉尔斯;C·瓦伦汀;A·范帝杰赛欧东克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，该光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小。所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，该第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。
图案化区域曝光衬底曝光图案中心点方法和设备光刻设备数值孔径尺寸比缩小率光刻图案重复

[发明专利]一种激光制备图案化透明导电薄膜的方法-CN201911149767.X有效
发明人：周圣军;赵强;桂成群;万辉;于圣韬 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光制备图案化透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：1)清洗基底；2)在基底上面旋涂光刻胶，烤干；3)使用激光直写设备设计图案并在覆盖有光刻胶的基底上曝光图案化的区域，然后用显影液去除对应图案化区域的光刻胶；4)将银纳米浆料涂至图案化区域，占据去除光刻胶后的区域，再使用研磨的方法，保证银纳米浆料与剩余光刻胶厚度均匀一致；5)把透光片压在步骤4)得到的图案化区域上，然后激光穿过透光片扫描基底的图案化区域，烧结固化银纳米浆料；6)去除剩余光刻胶，即得图案化透明导电薄膜。本方法可以任意设计图案，方便快捷地实现透明导电薄膜的图案化，灵活性强，可重复性好。
一种激光制备图案透明导电薄膜方法

[发明专利]制造主动阵列基板的方法与主动阵列基板-CN201210146770.8有效
发明人：唐文忠;舒芳安;蔡耀州;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：制造主动阵列基板的方法包括：形成第一图案化金属层于基材上；依序形成半导体层、绝缘层以及第二金属层覆盖第一图案化金属层；形成图案化光阻层于第二金属层上，图案化光阻层包含一第一区域以及一第二区域，且第一区域的图案化光阻层的厚度小于第二区域的图案化光阻层的厚度；图案化第二金属层及其下方的绝缘层和半导体层，并移除该第一区域的图案化光阻层；加热第二区域的图案化光阻层，使其流动而形成保护层；以及形成像素电极。
制造主动阵列方法

[发明专利]高光电性功能的图案化光电基板、发光二极管及其制作方法-CN201910882772.5在审
发明人：柯文政;凃益儒;何嘉哲;洪福益 -专利权人：中国砂轮企业股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高光电性功能的图案化光电基板的制作方法，包括：提供基板；蚀刻基板表面，以形成第一图案化结构及间隔区域；形成二金属层在第一图案化结构及间隔区域表面；形成第二图案化结构在第一图案化结构上及间隔区域上方的其中一者或两者；蚀刻第二图案化结构，以向下延伸至基板部分表面；使间隔区域形成平坦面；移除金属层，以形成具有第一图案化结构、第二图案化结构以及具有平坦的间隔区域的基板。此外，本发明还提供通过上述方法制作的高光电性功能的图案化光电基板，以及具有该基板的发光二极管。
光电性功能图案发光二极管及其制作方法

[发明专利]触控基板、显示面板以及图案化遮光层-CN201210336880.0无效
发明人：蔡益明;林俊亨;田伟力;林圣贤;蔡岳如;王威捷 -专利权人：明兴光电股份有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触控基板、显示面板以及图案化遮光层，触控基板包括基板、图案化导电层以及图案化绝缘层。基板具有第一条状区域以及第二条状区域。第一条状区域与第二条状区域交错以定义出多个感测垫配置区。图案化导电层包括多个配置于感测垫配置区的感测垫。图案化绝缘层配置于第一条状区域与第二条状区域上，图案化绝缘层与图案化导电层拼接成图案化遮光层。图案化遮光层具有多个阵列排列的封闭缺口，其中一部分的封闭缺口由图案化导电层环绕，而另一部分的封闭缺口由图案化导电层及图案化绝缘层环绕。本发明的触控基板借由将具有感测功能的图案化导电层整合在图案化遮光层中，使得本发明的触控基板除了具有遮光的功能外，亦具有感测触碰位置的功能。
触控基板显示面板以及图案遮光

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