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[发明专利]光刻方法和设备-CN201380048627.8有效
发明人： E·鲁普斯特拉;J·范斯库特;T·森吉尔斯;C·瓦伦汀;A·范帝杰赛欧东克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种使用EUV光刻设备在衬底上曝光图案化区域的方法，该光刻设备具有至少大约5倍的缩小率和至少大约0.4的数值孔径，所述方法包括步骤：使用第一曝光在衬底上曝光图案化区域的第一部分，第一部分具有比常规曝光的尺寸明显小的尺寸；和使用一次或更多次附加曝光在衬底上曝光图案化区域的一个或多个附加部分，所述一个或多个附加部分的尺寸比常规曝光的尺寸明显小。所述方法还包括重复以上步骤以在衬底上曝光第二图案化区域，该第二图案化区域设置有与第一图案化区域相同的图案，其中第一图案化区域的中心点与第二图案化区域的中心点之间的距离与常规曝光的尺寸对应。
图案化区域曝光衬底曝光图案中心点方法和设备光刻设备数值孔径尺寸比缩小率光刻图案重复

[发明专利]辐射源-CN201380026022.9有效
发明人： J·范斯库特;A·凯姆鹏;H·克鲁威尔;A·M·雅库尼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-04-29 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：一种用于生成适于在光刻设备中使用的EUV辐射的辐射源，所述辐射源包括激光器，配置成用激光脉冲照射被供给燃料液滴的束流的目标区域。燃料液滴可以是锡液滴，其在被激光束激发时发射EUV辐射。EUV辐射通过收集器收集。锡液滴可以在主激光脉冲之前被激光预脉冲预调节，其目的在于改变液滴的形状，使得它们处于用于接收主激光脉冲的最佳状态。本发明的多个实施例考虑一个燃料液滴的蒸发对随后的燃料液滴的影响，并允许调节主脉冲和/或预脉冲的时机，从而考虑在前的液滴蒸发所引起的随后的燃料液滴的到达的预定延迟或形状的振荡。
辐射源

[发明专利]辐射源-CN201280042060.9有效
发明人： A·亚库宁;V·伊万诺夫;J·范斯库特;V·克里夫特苏恩;G·斯温克尔斯;V·梅德韦杰夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：一种辐射源（60），适于提供辐射束至光刻设备的照射器。辐射源包括：喷嘴，配置成沿轨迹（64）朝向等离子体形成位置（66）引导燃料液滴（62）的束流。辐射源配置成接收第一辐射量辐射（68）使得第一辐射量辐射入射到位于等离子体形成位置的燃料液滴（62a），并使得第一辐射量辐射传递能量进入燃料液滴以生成修改的燃料分布（70），修改的燃料分布具有表面。辐射源还配置成接收第二辐射量辐射（72）使得第二辐射量辐射入射到修改的燃料分布的表面（72a）的部分上，第二辐射量辐射具有相对于所述表面的部分的p偏振分量；并使得第二辐射量辐射传递能量至修改的燃料分布以生产辐射生成等离子体，辐射生成等离子体发射第三辐射量辐射（74）。辐射源还包括收集器（CO），配置成收集和引导第三辐射量辐射的至少部分。辐射源配置成使得第二辐射量辐射沿第一方向传播，第一方向不平行于修改的燃料分布的表面的部分的法线。
辐射源

[发明专利]光刻设备和方法-CN201080026588.8有效
发明人： J·范斯库特;G·德维里斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供一种照射系统，其具有多个反射元件，所述反射元件在引导辐射朝向光瞳平面内的不同位置的不同取向之间是可移动的，由此形成不同的照射模式。每个反射元件能够移动至将辐射引导至内部照射部位组中的一内部照射部位的第一取向、引导辐射至中间照射部位组中的一中间照射部位的第二取向以及引导辐射至外部照射部位组中的一外部照射部位的第三取向。反射元件配置成被取向成使得它们可以引导相等量的辐射朝向内部、中间以及外部照射部位组，并且配置成被取向成使得它们基本上不引导辐射至外部照射部位组并且引导基本上相等量的辐射朝向内部和中间照射部位组。
光刻设备方法

[发明专利]光刻设备以及器件制造方法-CN201080057980.9有效
发明人： K·范隐真申诺;J·范斯库特;G·德维里斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在光刻设备中，使用包括多个可移动琢面以将辐射引导至光瞳琢面反射镜上的可选择位置的场反射镜设置照射模式。从一组预定照射模式选择基础照射模式并且可移动琢面被设置以实现该模式。为了调节成像参数，可移动琢面的一部分被设置到不同位置。确定哪些琢面设置到不同位置基于对将每个琢面设置到不同位置的效应的累加。
光刻设备以及器件制造方法

[发明专利]照射系统、光刻设备以及照射方法-CN201080059496.X无效
发明人： W·德勃伊;E·鲁普斯特拉;尤韦·米莰;J·范斯库特;G·德维里斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种照射系统，包括配置成调节入射到场多小面反射镜装置上的辐射束的光瞳反射镜和场多小面反射镜装置。场多小面反射镜装置包括多个反射型场小面，其能够在相对于入射束的第一取向和第二取向之间移动。在其第一取向的场小面有效地将入射辐射反射朝向相应的反射光瞳小面，以便形成从光瞳多小面反射镜装置反射的调节束的部分。在其第二取向的场小面有效地将入射辐射反射到光瞳多小面反射镜装置的设置为束流收集区域的相应区域。该区域布置用以阻止入射到该区域的辐射形成调节束的部分，并布置在光瞳多小面反射镜装置上的有效地限定从光瞳多小面反射镜装置反射的调节束的内部和外部区域的环形区域的界限之间。
照射系统光刻设备以及方法

[发明专利]光刻设备以及器件制造方法-CN201080051846.8有效
发明人： J·范斯库特;克恩·万英根谢诺;G·德维里斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在光刻设备中，使用场反射镜设置照射模式，场反射镜包括多个可移动琢面以引导辐射至光瞳琢面反射镜上的可选定位置。在一场琢面反射镜有缺陷且不能被设置到期望位置的情形中，可移动琢面反射镜中的另一个被设置到与其期望位置不同的校正位置，以便至少部分地缓解有缺陷的琢面反射镜的有害影响。
光刻设备以及器件制造方法

[发明专利]照射系统、光刻设备和调节照射模式的方法-CN201080037493.6有效
发明人： G·德维里斯;埃德温·比伊斯;M·范达姆;J·范斯库特;F·布恩;H·科瑞沃 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种照射系统，该照射系统具有可以配置成形成照射模式的多个可移动反射元件(22a、22b、22c)和相关的致动器。所述致动器中的一个或更多个布置成在第一位置、第二位置和第三位置之间移动，并因此在第一方向、第二方向和第三方向之间移动相关的可移动反射元件(22a、22b、22c)，所述第一方向和第二方向使得从所述可移动反射元件(22a、22b、22c)反射的辐射形成所述照射模式的一部分，所述第三方向使得从所述可移动反射元件反射的辐射不形成照射模式的一部分。
照射系统光刻设备调节模式方法

[发明专利]照射系统、光刻设备以及形成照射模式的方法-CN201080009961.9有效
发明人： E·鲁普斯特拉;克恩·万英根谢诺;J·范斯库特;C·瓦格纳;戈斯·德弗里斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供一种光刻设备的照射系统，所述照射系统具有多个反射元件，反射元件布置成接收来自辐射源的辐射，反射元件在不同取向之间是可移动的。在不同的取向中，反射元件引导辐射朝向照射系统的光瞳平面内的反射部件处的不同部位，由此形成不同的照射模式。每个反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面处的第一部位的第一取向和将辐射引导朝向光瞳平面处的第二部位的第二取向之间是可移动的，反射元件的第一取向和第二取向由端部限位件限定。
照射系统光刻设备以及形成模式方法

[发明专利]投影系统和光刻设备-CN200980138207.2有效
发明人： E·鲁普斯特拉;W·德勃伊;H·布特勒;R·德珠;J·范斯库特;T·森吉尔斯;M·维基克曼斯;F·詹森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供一种投影系统(PS)，在一个实施例中，所述投影系统包括两个框架。投影系统的光学元件安装在第一框架(200)上。使用第一测量系统(910)相对于第二框架(300)测量光学元件的位置。第二测量系统(920)用于测量与第二框架变形相关的参数。由第二测量系统得出的测量值可以用于补偿通过第一测量系统测量时由第二框架变形带来的光学元件的位置的任何误差。通常，框架的变形是由于共振和热膨胀。具有两个框架允许投影系统的光学元件以高精确度定位。可选地，可以设置温度控制系统(780、790)以在光刻设备已经离线之后驱使至少一个框架的温度回到想要的数值水平。
投影系统光刻设备

[发明专利]光刻设备内的收集器装置的对准-CN200980127688.7有效
发明人： M·克拉森;J·范斯库特;S·杜塔特尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-07-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻设备(2)，包括：辐射源(SO)，配置成提供辐射(200)；辐射收集器(CO)，配置成收集来自辐射源(SO)的辐射(200)；照射系统(IL)和探测器(300)。探测器(300)设置成与照射系统(IL)的相对于其对准所述收集器(CO)的部分具有固定的位置关系。此外，收集器(CO)的区域(310)可以配置成引导从辐射源(SO)发射并穿过所述区域(310)朝向探测器(300)的辐射(200)的一部分。所述探测器(300)布置成探测所述辐射(200)的一部分的改变。这种改变表示所述收集器(CO)相对于所述照射系统(IL)的相对于其对准所述收集器(CO)的部分的位置或取向的改变。
光刻设备收集装置对准

[发明专利]辐射系统、辐射收集器、辐射束调节系统、用于辐射系统的光谱纯度滤光片以及用于形成光谱纯度滤光片的方法-CN200980120016.3有效
发明人： V·巴尼内;W·德勃伊;J·鲁普斯特拉;A·范帝杰赛欧东克;G·斯温克尔斯;J·范斯库特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：一种辐射系统被配置以产生辐射束。所述辐射系统包括腔，所述腔包括：辐射源，被配置以产生辐射；辐射束发射孔阑；和辐射收集器，被配置以收集由所述源产生的辐射，且将所收集的辐射传递至所述辐射束发射孔阑。所述辐射收集器包括被配置以改善经由所述孔阑被发射的所述辐射的光谱纯度的光谱纯度滤光片。所述光谱纯度滤光片包括：基衬底；在所述基衬底上的多层堆叠，所述多层堆叠包括多个交替层和在所述多层堆叠的顶侧中的多个凹陷，所述凹陷被配置以允许具有所述第一波长的辐射在所述第一方向上被反射和在所述第二方向上反射具有所述第二波长的辐射；其中，所述凹陷被配置成使得它们的横截面具有对称性的轮廓。
辐射系统收集调节用于光谱纯度滤光以及形成方法

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