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[发明专利]双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法-CN201410339109.8在审
发明人：易春艳;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法，利用淀积二氧化硅来保护第二氮化硅层，随后去除第二非晶碳层顶部无氮抗反射层时不会引起第二氮化硅层的厚度损失，避免了现有方法所产生的形貌和关键尺寸控制问题，从而扩大了后续图形化工艺窗口，更有利于鱼鳍结构的关键尺寸和形貌的控制，实现器件电学性能指标的提高。
双重图形化鳍式晶体管结构制造方法

[发明专利]一种高深宽比图形结构的形成方法-CN201611048184.4在审
发明人：刘鹏;冯奇艳;任昱;朱骏;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种高深宽比图形结构的形成方法，通过在衬底上依次形成介质膜去胶停止层、有机物涂覆层、第一硬掩模层以及光刻胶层，并在打开第一硬掩模层后，使用低温沉积工艺，在得到的图形结构表面和侧壁形成一层与有机物涂覆层具有高刻蚀选择比的第二硬掩模层，使得在后续刻蚀有机物涂覆层并形成高深宽比光刻胶形貌时，可利用第二硬掩模层对图形顶部侧壁形成保护，因此可避免在高深宽比光刻胶刻蚀时由于等离子轰击造成的锥形或保龄球形形貌的产生，从而可改善选择比不够、图形边缘毛刺和关键尺寸变大的问题
一种高深图形结构形成方法

[发明专利]CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法-CN202110554280.0在审
发明人：伍建华;旷章曲;陈多金;王菁;龚雨琛;张帅;徐冰;刘志碧;陈杰 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CIS芯片深阱设计方法与制作工艺方法，将原来pitch大小为A的DPW设为光罩DPW1，将光罩DPW1图案沿X方向和Y方向各移动A/2得到图案设为光罩DPW2,然后两块光罩图形重叠即得到pitch为A/2的图案；在制作工艺中，在一次曝光过程中先用光罩DPW1进行曝光，然后用光罩DPW2进行曝光，再进行烘烤和显影处理，最终得到pitch为A/2的图形。同时在光罩中的特殊设计不但能得到较好的图形形貌，而且还保证了DPW1图形和DPW2相互间的对准以及它们对于前层的对准，并且可以降低工艺难度，得到较好形貌的目标图案。
cis 芯片设计方法制作工艺

[发明专利]一种干膜抗蚀剂层压体-CN201510050337.8有效
发明人：李志强;李伟杰;严晓慧;周光大;林建华 -专利权人：杭州福斯特应用材料股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明采用不同酸值的双层结构的抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，形成良好的图形侧边形貌，未曝光的图形胶层能更好地除去。使其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，具有非常好的图形线条侧边形貌。
一种干膜抗蚀剂层压

[发明专利]版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法-CN202310416480.9有效
发明人：闫波 -专利权人：魅杰光电科技（上海）有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本申请提供一种版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法，其中版图包括六种版图图案，每种版图图案包括不同线条及图形的排列图案，每种版图图案中的多个排列图案根据尺寸的不同依次排列；相邻版图图案中的排列图案交错布局设置于非图形区域本说明书实施例设计一版图，其包含多种版图图案，在掩膜版上增设包含版图图案的版图并通过该掩膜版进行曝光，对按照版图曝光的光刻图形进行线宽及胶条形貌的验证；根据版图图案中不同验证功能的版图图案尺寸进行光刻图形的验证，避免了测量验证过程中重复性的分析与定位过程，可快速、准确实现线宽和胶条形貌等验证，进而提升生产产能和产品良率等。
版图掩膜版光刻曝光验证方法

[发明专利]一种生长可控量子点和量子环的方法-CN200810104761.6无效
发明人：赵暕;陈涌海;王占国;徐波 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延利用本发明，通过引入图形衬底的衬底处理方式，在同一生长条件下、同一衬底上不同的区域制备出不同形貌的图形衬底，使得在平面上形成的量子点或者量子环的形貌和分布发生变化，实现了对量子点和量子环密度和分布位置的调制
一种生长可控量子子环方法

[发明专利]一种光刻胶侧壁形貌控制方法-CN202010974463.3在审
发明人：葛欢;田亮;吴沛飞;吴斌;齐向 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司泰安供电公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶侧壁形貌控制方法，其包括：经预处理的晶圆中心定位并涂光刻胶；对晶圆依次进行前烘、曝光、显影得光刻胶图形；预定义光刻胶图形的尺寸；去除残留光刻胶和坚膜；本发明提供的技术方案大大提高了衬底材料和图形尺寸不同造成的图形转换质量
一种光刻侧壁形貌控制方法

[发明专利]光刻掩膜版的良率提升方法-CN201210170234.1无效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻掩膜版的良率提升方法，该方法是在光刻亚分辨率辅助图形上增加支撑图形。该方法通过在光刻亚分辨率辅助图形上增加一些小的支撑图形，使光刻胶在局部形成比较大的光刻胶形貌，从而增加了光刻胶与衬底的粘附力，避免了光刻胶倒塌，达到了提升光刻版良率的目的。
光刻掩膜版提升方法

[发明专利]在线监控光刻条件的方法-CN200810043806.3有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在线监控光刻条件的方法，包括：测量被监控图形的面积；和比较被监控图形与标准图形的面积偏差是否超过设定的偏差范围值，如果超过则判定光刻条件不合格，否则为合格。因为本发明不但可以反映某一个方向的关键尺寸变化，同时可以对图形的形状变化进行监控，可以增强在线生产对光刻条件的监控能力，而且可以方便二维图形的OPC修正的实际图形的评估，还可以对测量图形的形貌进行监控。
在线监控光刻条件方法

[发明专利]图形化方法-CN201310383308.4有效
发明人：周俊卿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种图形化方法，包括：提供基底；在所述基底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成富碳层；在所述富碳层上形成图形化的光刻胶；以图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀富碳层、硬掩膜层和待刻蚀层，形成图形化的富碳层、图形化的硬掩膜层和图形化的待刻蚀层。本发明提供的图形化方法，可以得到尺寸精确、形貌良好的图形化的待刻蚀层。
图形方法

[发明专利]一种铁电薄膜微区形貌修饰和图形化的方法-CN201710120568.0有效
发明人：彭强祥;朱学进;廖佳佳 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电薄膜微区形貌修饰和图形化的方法，属于铁电薄膜刻蚀技术领域，其包括以下步骤：1)配制铁电薄膜的前驱溶液；2)在所述铁电薄膜的表层上镀有顶电极，并依次进行涂胶、前烘、曝光、显影和后烘；3)对所述铁电薄膜进行离子束刻蚀，刻蚀完后，去除所述光刻胶图形固化膜，即获得样品；4)用表面轮廓分析仪对所述样品的刻蚀台阶深度进行测量，并计算出铁电薄膜的刻蚀参数；所述前驱溶液浓度为0.1～0.5mol/本发明提供一种制备工艺简单、铁电性良好且适用于一类铁电薄膜的微区形貌修饰和图形化的方法。
一种薄膜形貌修饰图形方法

[发明专利]基于双层图形透射成像的液面变形和形貌测量方法和系统-CN202110691868.0有效
发明人：刘战伟;黄耀;黄先富;吴东亮;钟梦林;李鲜;董慧敏 -专利权人：北京理工大学;北京卫星环境工程研究所
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01F23/292 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双层图形透射成像的液面变形和形貌测量方法和系统，方法包括：提供图像采集设备；提供具有一定厚度的介质；液面静止时，利用图像获取方法通过图像采集设备对信息载体图形进行图像采集，得到液面静止时的信息载体图像；当液面发生形变时，利用图像获取方法对信息载体图形进行图像采集，得到液面形变后的信息载体畸变图像；求解上层信息载体图像各个时刻的全场位移矢量场与下层信息载体图像各个时刻的全场位移矢量场；求解液面各个时刻的液体高度数据本发明通过记录液面静止时和液面变形后各时刻的双层信息载体图像，运用相关技术，可以实现对静态和动态液面形貌进行快速高精度地测量。
基于双层图形透射成像液面变形形貌测量方法系统

[发明专利]用于设计在衬底上的层中的导向图形开口的方法-CN201310084141.1有效
发明人：郑雅如;黎家辉;刘其俊;J·W·皮特拉;C·T·雷特纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及用于设计在衬底上的层中的导向图形开口的方法。公开了方法和计算机程序产品，其用于设计用于使自组装域在衬底上的规定位置处的形成定向的形貌图形。该方法包括生成数学模型，所述数学模型在导向图形的数学描述中对圆柱体自组装域的数目和位置的数学描述进行操作。
用于设计衬底中的导向图形开口方法

[发明专利]一种用于逆向工程的三维形貌数字化测量系统及方法-CN201710036170.9在审
发明人：金永君;田雪松;艾延宝;石宏新;李娜;任常愚 -专利权人：黑龙江科技大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G01B11/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于逆向工程的三维形貌数字化测量系统及方法，涉及三维形貌数字化测量技术领域，用以解决现有技术中存在没有将三维数字形貌测量和逆向工程结合应用的技术出现的问题。通过对称设置在投影仪两侧的两个CMOS摄像机采集变频光栅投影至被测物体上的图像数据；以及通过极线几何约束和物体的绝对相位值进行同名点查找，进而获得三维点云数；对三维点云数据去除体外孤点和噪声点、封装和拼接，填充和修复三维图形；将被测物体的三维图形数据导入3D打印机中，打印出被测物体。本发明完整的给出了将三维数字形貌测量应用于逆向工程的技术。
一种用于逆向工程三维形貌数字化测量系统方法

[发明专利]一种基于OpenCV的断口形貌图裂纹缺陷提取方法-CN201910215988.6在审
发明人：程耀楠;袁琪航;吕起尧;李春阳;李宝伟 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：一种基于OpenCV的断口形貌图裂纹缺陷提取方法，属于图像处理领域。现有的对金属断口行为判断方法依据经验而定，存在判断不准确的问题。对拉伸断口形貌图像采用阈值化方法进行预处理，将图像裂纹像素点与背景像素图形区分并凸显：采用均值滤波或中值滤波方法进行祛噪处理；断口形貌图裂纹缺陷的提取；对预处理后的图像进行边缘提取，得到直观的裂纹特征相貌的图像
断口形貌裂纹缺陷预处理图像图像处理领域背景像素边缘提取绘制图像金属断口均值滤波拉伸断口裂纹特征图像细化形貌图像行为判断中值滤波像素点阈值化直观查找