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[实用新型]一种半导体功率器件版图结构及半导体功率器件-CN201920154220.8有效
发明人：阳平 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体功率器件版图结构，包括dummy栅极结构刻蚀窗口、trench栅极结构刻蚀窗口、trench栅极金属刻蚀窗口、发射极金属刻蚀窗口，trench栅极结构刻蚀窗口包括从内到外依次设置的封闭型回字窗口，dummy栅极结构刻蚀窗口包括从内到外依次设置的断开型回字窗口，并且trench栅极结构刻蚀窗口的多个封闭型回字窗口和dummy栅极结构刻蚀窗口的多个断开型回字窗口间隔排列，trench栅极金属刻蚀窗口包括最外围封闭的回字型窗口及位于回字型窗口内部的十字型窗口，发射极金属刻蚀窗口被trench栅极金属刻蚀窗口的十字型窗口分隔为四块相互隔离的窗口。
刻蚀窗口栅极结构半导体功率器件版图结构栅极金属本实用新型发射极金属依次设置封闭型回字型十字型断开窗口间隔电压分布高稳定性漏电流栅电压分隔耐压隔离外围封闭

[实用新型]一种电路板加工用可自动补液的刻蚀装置-CN202221453470.X有效
发明人：欧阳爱兵;肖小青;罗燕芳 -专利权人：深圳市吉瑞达电路科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电路板加工用可自动补液的刻蚀装置，包括刻蚀设备和液位计，所述刻蚀设备的内壁底部设置有存液箱，且存液箱的一侧安装有液泵，所述液泵的一侧安装有加液管路，且加液管路的一端连接有刻蚀盒，所述液位计安装于刻蚀盒的外部上方，所述刻蚀盒的下方设置有回液管路一，且回液管路一的一端连接有过滤组件。该电路板加工用可自动补液的刻蚀装置，与现有的普通刻蚀装置相比，回液管路一上的电磁阀开启后，刻蚀盒内液体通过回液管路一流入过滤箱体内，依次被初效滤芯、中效滤芯和高效滤芯进行过滤，将刻蚀液中的杂质滤除，最后刻蚀液通过回液管路二流入存液箱，使得该刻蚀装置具备刻蚀液回收过滤结构，提升刻蚀液循环使用时质量。
一种电路板工用自动补液刻蚀装置

[发明专利]优化多层薄膜回刻高度负载的方法-CN202210077102.8在审
发明人：姜林鹏;陆连;刘少雄;冯帅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种优化多层薄膜回刻高度负载的方法，提供衬底，衬底上形成有沟槽；形成覆盖在沟槽的表面内壁淀积形成的功能薄膜；在填充沟槽填充形成牺牲层；同步回刻蚀牺牲层和功能薄膜，被回刻蚀后的牺牲层上方的功能薄膜层暴露，使得沟槽内上端功能薄膜的上侧被刻蚀去除；去除被回刻蚀后的牺牲层；多次形成覆盖功能薄膜的另一层功能薄膜，每一次另一层功能薄膜形成后重复步骤填充牺牲层、回刻蚀牺牲层和功能薄膜以及去除回刻蚀后的牺牲层，在沟槽的内壁表面形成同一高度的多层功能薄膜本发明采用在沟槽中填充牺牲层对多种填充材料进行逐层刻蚀，为多层薄膜在高深宽比深槽内的有效填充和构建工艺需求提供了解决办法。
优化多层薄膜高度负载方法

[发明专利]光分路器单晶硅回刻的干法刻蚀方法-CN201110251889.7无效
发明人：吴智勇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明公开了一种光分路器单晶硅回刻的干法刻蚀方法，包括步骤：1)用干法刻蚀方法，通过硬掩膜刻蚀出深沟槽；2)用湿法刻蚀方法，缩小硬掩膜的宽度；3)采用各向异性刻蚀条件，进行单晶硅回刻；4)进行聚合物各向同性刻蚀该方法通过循环刻蚀方法，降低了单晶硅回刻过程中形成的单晶硅围墙的高度，从而可以提高光分路器的性能。
分路单晶硅刻蚀方法

[发明专利]一种降低CMOS图像传感器暗电流和白像素的方法-CN202210420889.3在审
发明人：孙卓;王明;李晓玉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低CMOS图像传感器暗电流和白像素的方法，在半导体衬底上的表面上形成介质保护层，并且刻蚀所述介质保护层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽的内表面上形成衬垫层；执行预设轮数的介质层填充和回刻蚀工艺；后对所述沟槽内淀积的所述介质层顶部的间隙进行回刻蚀，以加大所述间隙并使得所述间隙下方的沟槽被剩余的且无间隙的所述介质层填充。通过先执行预设轮数的介质层填充和回刻蚀的工艺，之后沉积覆盖层形成所需的STI结构，能够减少介质层填充和回刻蚀的工艺的循环次数，有利于降低每轮介质填充和回刻蚀工艺中的回刻蚀时间，进而降低金属杂质污染的方法
一种降低 cmos 图像传感器电流像素方法

[发明专利]酸压刻蚀实验装置及实验方法-CN202011552840.0在审
发明人：罗志锋;肖尧;张楠林;刘威;赵立强;胡霖;刘平礼;朱熙;陈翔;李年银;谢耀增;赵鑫祎;程龙;吴林 -专利权人：西南石油大学;中国石油天然气股份有限公司西南油气田分公司川中油气矿
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： E21B43/27 文献下载
摘要：本发明提供一种酸压刻蚀实验装置，包括刻蚀单元、酸压单元、回压单元和加热单元；刻蚀单元包括第一刻蚀盒；酸压单元包括第一储罐和施压组件；回压单元包括第一容器和第一回压组件；加热单元包括第一加热板。本发明还提供一种实验方法，包括在第一储罐中装入酸液；利用施压组件将第一储罐内的酸液压入第一空腔；第一加热板将第一岩板加热，模拟地层内的温度，第一回压组件对酸液施加压力，模拟地层内的压力；和观察刻蚀形态。利用第一加热板模拟地层内的温度，利用第一回压组件模拟地层内的压力，形成超临界状态二氧化碳。酸液与超临界二氧化碳混合后持续刻蚀第一岩板，能够更加精确地模拟酸压刻蚀过程，得到更加准确的刻蚀结果。
刻蚀实验装置方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202310067160.7在审
发明人：张静 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，在刻蚀硬掩膜层以及衬底，以在衬底中形成浅沟槽之后，先采用湿法刻蚀工艺回刻蚀硬掩膜层，以将衬底靠近浅沟槽的部分区域暴露出来，采用湿法刻蚀工艺回刻蚀硬掩膜层可以使硬掩膜层的各个方向的刻蚀量较为均匀，由此避免产生刻蚀负载效应。然后，测量衬底的暴露区域的顶面宽度，并判断衬底的暴露区域的顶面宽度是否小于一目标宽度，若小于，则再次采用湿法刻蚀工艺回刻蚀硬掩膜层，重复执行该步骤，直至衬底的暴露区域的顶面宽度等于目标宽度。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种PCB电路板湿法刻蚀机-CN202011581595.6有效
发明人：许秀花 -专利权人：广州市巨龙印制板设备有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种PCB电路板湿法刻蚀机，其结构包括刻蚀箱、立柱、夹具、顶板、移动结构，顶板设在刻蚀箱上方，顶板两侧通过立柱与刻蚀箱相连接，顶板底部连接有移动结构，移动结构与夹具顶部相连接，移动结构包括回形轨道、驱动件、换向结构，回形轨道内设有驱动件，回形轨道的四个角度安装有换向结构，回形轨道内侧设有齿条，回形轨道顶部中间设有滑槽，滑槽为回形且四个角落设有弧形槽，本发明的有益效果是：通过带动电路板进行回形移动，能够使电路板在出现局部高温时及时撤离原地，向温度均匀的液面移动，从而保证电路板的整体反应速度一致，且通过换向结构能够使驱动件顺利度过回形轨道的直角处。
一种 pcb 电路板湿法刻蚀

[发明专利]肖特基二极管工艺方法-CN201510546725.5有效
发明人：丛茂杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管工艺方法,包含:第1步，硅衬底上使用硬掩膜进行沟槽刻蚀；第2步，对硬掩膜进行回刻；第3步，沟槽侧壁氧化层淀积；4步，氧化层回刻，沟槽底部注入形成P阱并退火；第5步，沟槽内Ti/TiN淀积、钨淀积，以及回刻；第6步，层间介质淀积；第7步，接触金属的淀积、光刻及回刻；第8步，Ti/TiN溅射、铝/铜溅射，再进行光刻及刻蚀。本发明增加硬掩膜的湿法刻蚀，沟槽内金属钨在硅衬底表面水平突出，在接触金属刻蚀时对沟槽内氧化层起保护作用，防止沟槽内氧化层过刻蚀。
肖特基二极管工艺方法

[实用新型]一种用于光伏电池刻蚀的喷淋装置-CN202122334432.4有效
发明人：邓昆;胡杰;段波 -专利权人：江苏润阳光伏科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种用于光伏电池刻蚀的喷淋装置，包括刻蚀机体，所述刻蚀机体的前端外表面开设有喷淋腔，所述喷淋腔的内部设置有回型喷淋管道，所述回型喷淋管道的底部固定安装有多个雾化喷头，所述回型喷淋管道的顶部两端位置共同固定连接有U型活动管，本实用新型的有益效果是，本装置在工作的过程中，吸尘箱能够通过吸气管道吸收喷淋腔内部的气体，能够吸收喷淋腔内部的灰尘，防止空气中的灰尘对刻蚀造成影响，喷淋液箱内部的溶液通过回型喷淋管道喷淋出来，从而能够对光伏电池放置板顶部的光伏电池进行喷淋刻蚀，同时液压缸能够推动回型喷淋管道进行升降，从而能够调节喷淋的高度，能够提高光伏电池生产的质量。
一种用于电池刻蚀喷淋装置

[发明专利]一种提升效率的光阻回刻方法及装置-CN202211329748.7在审
发明人：杨磊 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升效率的光阻回刻方法及装置，通过将原有光阻回刻制程中需要在不同污染等级的两个刻蚀腔中分别进行的第一回刻步骤和第二回刻步骤合并在同一个刻蚀腔中连续完成，并建立了一个包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整光阻回刻制程的新工艺菜单，从而能够按照新工艺菜单在同一个刻蚀腔中完成完整的光阻回刻制程，可在保证原有第一回刻步骤的刻蚀结果稳定性基础上，省略原本需要在第一回刻步骤和第二回刻步骤之间进行剩余光阻厚度测量的步骤，并可节约晶圆传送时间，同时还能避免原本在第一回刻步骤与第二回刻步骤之间可能发生的超等待时间的风险，明显缩短了工艺流程，提高了光阻回刻的整体效率。
一种提升效率光阻回刻方法装置

[发明专利]超厚多晶硅回刻的方法-CN200610030101.9无效
发明人：虞颖;吴志丹;李虹;潘周君;王奎;吉黎 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-15 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23F1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超厚多晶硅回刻的方法，包括如下步骤：用六氟化硫、氯气、氧气和氦气对多晶硅进行刻蚀；经前述步骤处理的多晶硅再用溴化氢、氯气和氧气进行刻蚀。本发明的超厚多晶硅回刻的方法能有效提高刻蚀速度，且使刻蚀过程更清洁稳定，同时还提高了设备的利用率。
多晶硅回刻方法

[发明专利]沟槽顶角的圆化方法及半导体结构-CN202010440326.1在审
发明人：徐若男;赵月梅;冯志明;曾伟雄 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽顶角的圆化方法及半导体结构，该方法通过回刻蚀紧挨衬底的第一掩膜层使得在形成沟槽过程中沟槽顶部拐角始终处于暴露状态，这样在沟槽刻蚀过程中沟槽的顶部尖角也会同步被圆化，进而即可形成圆滑的沟槽顶角，该方法消除了沟槽顶部的尖角形貌，且在刻蚀沟槽的同时即可形成圆滑的沟槽顶角，无需附加任何单独的圆化操作，整个方法工艺简单，大大降低了生产成本；另外，本发明采用湿法刻蚀对第一掩模层进行回刻蚀，使得整个刻蚀过程更易控制，对回刻蚀的量能更加精确把控，从而使得后续对沟槽顶角的圆化更加简单易控；包括本发明的方法形成沟槽顶角的半导体结构也可有效避免漏电现象，提高击穿电压，保证半导体结构的可靠性。
沟槽顶角方法半导体结构

[发明专利]生物兼容电极-CN200980142146.7无效
发明人：罗埃尔·达门;马蒂亚斯·梅兹 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2009-10-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：通过沉积填充金属36并且将所述填充金属36回蚀至周围绝缘体30的表面来制造生物兼容电极。然后，另外的刻蚀在所述通孔32的顶部处形成凹槽38。然后沉积电极金属40并且对其回蚀以填充凹槽38，并且形成生物兼容电极42。这样，实现了平面生物兼容电极。刻蚀以形成凹槽的步骤可以在用于回蚀填充金属36的相同CMP工具中执行。可以使用双氧水刻蚀。
生物兼容电极

[发明专利]TMBS器件及其制备方法-CN202210514537.4在审
发明人：孙超峰;邵向荣 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种TMBS器件及其制备方法，其中方法包括：采用两次横向刻蚀工艺刻蚀ONO层；形成栅氧化层；形成多晶硅层；回刻部分多晶硅层；形成层间介质层以及去除层间介质层、ONO层和沟槽内的部分厚度的多晶硅层本申请通过横向刻蚀工艺刻蚀ONO层，并且所述ONO层的底部与所述栅氧化层衔接并覆盖所述栅氧化层的顶部，从而可以保护沟槽侧壁的栅氧化层在回刻部分多晶硅层时不会被回刻工艺误刻蚀，从而避免了栅氧化层缺失过多而导致漏电增大
tmbs 器件及其制备方法

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