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[发明专利]星上敏感元器件总剂量损伤的薄弱点鉴别方法-CN201910749304.0有效
发明人：韦锡峰;束山山;李庆;宗益燕;李强;邹莹;秦冉冉 -专利权人：上海卫星工程研究所
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于星上敏感器件总剂量损伤的幸存概率、故障影响传递概率和在轨辐射损伤时间T，建立元器件PIT模型，识别在轨卫星的元器件总剂量损伤薄弱点。本发明的星上敏感元器件总剂量损伤的薄弱点鉴别方法，以敏感元器件辐照试验数据和在轨辐射损伤时间作为模型输入，通过对星上元器件的损伤故障时间归一化处理，识别卫星元器件抗总剂量损伤的薄弱点，评估总剂量损伤严重程度，可对卫星电子器件总剂量损伤的薄弱点进行抗加设计和改进，满足未来卫星在轨任务需求和提高可靠度。
敏感元器件剂量损伤薄弱鉴别方法

[发明专利]一种CMOS器件辐照位移损伤的估算方法-CN200910243155.7有效
发明人：薛守斌;王思浩;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，属于涉及CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该方法包括：根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：Ids＝prob1×case1+prob2×case2+prob3×case3，其中，case是入射粒子打到器件不同位置处的位移损伤造成器件漏端电流变化，prob是入射粒子打到器件不同位置的概率，根据该计算公式，得到入射粒子位移损伤造成器件漏端电流的变化量Ids，从而估算出CMOS器件在辐射环境中的位移损伤。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。
一种 cmos 器件辐照位移损伤估算方法

[发明专利]具有防损伤结构的电子元器件收集设备-CN202010460447.2在审
发明人：张建芳 -专利权人：长兴美奇达电子有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B65G47/34 文献下载
摘要：本发明公开了具有防损伤结构的电子元器件收集设备，包括用于输送电子元器件的输送装置，还包括用于引导电子元器件滑落的导引装置和用于盛放电子元器件的盛放装置，所述盛放装置下面设置有移动装置。本发明所述的具有防损伤结构的电子元器件收集设备，通过移动装置的设置，便于收集盒移动使电子元器件平铺，防止电子元器件损伤，通过盛放装置的升降设置，便于分层盛放电子元器件，保证收集数量，通过导引装置的设置，便于引导电子元器件缓慢下落，防止电子元器件损伤。
具有损伤结构电子元器件收集设备

[实用新型]具有防损伤结构的电子元器件收集设备-CN202020918232.6有效
发明人：张建芳 -专利权人：上海九高新精电科技有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B65G47/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有防损伤结构的电子元器件收集设备，包括用于输送电子元器件的输送装置，还包括用于引导电子元器件滑落的导引装置和用于盛放电子元器件的盛放装置，所述盛放装置下面设置有移动装置。本实用新型所述的具有防损伤结构的电子元器件收集设备，通过移动装置的设置，便于收集盒移动使电子元器件平铺，防止电子元器件损伤，通过盛放装置的升降设置，便于分层盛放电子元器件，保证收集数量，通过导引装置的设置，便于引导电子元器件缓慢下落，防止电子元器件损伤。
具有损伤结构电子元器件收集设备

[发明专利]一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法-CN202310163377.8在审
发明人：张亚民;温茜;孟宪伟;冯士维;彭飞;杨洁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法，对待测器件施加一定电学偏置条件，利用测试仪器分别采集被测器件应力作用前后漏电流随时间变化的瞬态曲线，利用贝叶斯迭代的时间常数提取方法从瞬态曲线中提取器件损伤位置的时间常数，结合峰值谱时间常数提取技术将器件损伤位置的时间常数以峰值谱的形式呈现出来，并在此基础上利用幅值谱技术进行谱值化表征，将应力作用下器件内部不可见的微区结构损伤的演化过程转变为可视化的谱线移动，实现器件微区结构损伤的精准定位、损伤程度和演化过程的谱值化量化表征。
一种半导体器件结构损伤无损表征方法

[发明专利]一种电能表静电损伤的仿真激励方法和系统-CN201710652811.3有效
发明人：刘兴奇;祝恩国;邹和平;巫钟兴;郑安刚;雷民;徐英辉;赵兵;李媛;林繁涛;周峰;朱彬若;张垠;郜波;姜洪浪;王爽;赵婷;张宇鹏;张丽楠 -专利权人：中国电力科学研究院;国家电网公司;国网计量中心;国网上海市电力公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G01R35/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种电能表静电损伤的仿真激励方法和系统，所述方法包括电能表静电损伤的制造方法和静电损伤加速失效方法，其中，所述电能表静电损伤的制造方法包括：取数只相同型号的电能表并选择关键器件，或者直接选择数只具有相同性能参数的独立的电能表关键器件测试其工作性能，其中所述关键器件是电能表中要制造静电损伤的电能表器件；在确认所述关键器件同一性能参数均满足出厂要求后，选择所述关键器件的静电作用点并采用接触式放电进行静电测试；根据设定的进行静电测试的静电应力的等级范围，对不同关键器件分别施加不同等级的静电应力；当某一等级的静电应力造成关键器件失效时，取上一等级静电测试的电能表或关键器件作为静电损伤样品。
一种电能表静电损伤仿真激励方法系统

[发明专利]一种分析CMOS器件位移损伤效应的模型-CN200910243156.1有效
发明人：薛守斌;王思浩;安霞;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种分析CMOS器件辐照位移损伤的模型，属于CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该模型由六个子分析模块组成，包括：一漏、源端位移损伤分析模块、一沟道区位移损伤分析模块、一缺陷群分析模块、一复合增强迁移分析模块、一瞬态增强扩散分析模块和一隔离区位移损伤分析模块，利用蒙特卡罗的方法按照高斯分布随机生成入射粒子，所述模型根据入射粒子打入器件的位置，获取上述六个子分析模块中的一个或多个值，得到CMOS器件在辐照条件下的位移损伤效应。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。
一种分析 cmos 器件位移损伤效应模型

[发明专利]一种基于多退化效应模型的半导体器件寿命估算方法-CN202310380149.6在审
发明人：黄琬琰;余裕宁 -专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种基于多退化效应模型的半导体器件寿命估算方法，包括以下步骤：获取每一个退化效应的半导体器件的预估寿命值及与预估寿命值相关的参量；分别计算每一个所述退化效应在任意时刻的损伤量；根据单个退化效应在任意时刻的损伤量，得到多种退化效应同时存在时的半导体器件的损伤量；根据多种退化效应同时存在时的半导体器件的损伤量，得到多种退化效应同时存在时的半导体器件的预估寿命值；所述与预估寿命值相关的参量，包括：损伤速率、半导体器件失效时的总损伤量、单个退化效应在任意时刻的损伤量、等效退化时间，以及退化公式及其系数。
一种基于退化效应模型半导体器件寿命估算方法

[发明专利]光器件损伤检测方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN201910956567.9在审
发明人：马文静;张军伟;徐振源;向勇;陈良明;胡东霞;袁强;袁晓东;周丽丹;李可欣;房奇 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G01N29/14 文献下载
摘要：本申请提供一种光器件损伤检测方法、装置、电子设备及可读存储介质，通过获取待测光器件运行时的产生的声传播信号，对声传播信号进行处理，得到声传播信号的特征参数，进而基于特征参数确定出待测光器件中的声传播信号源的类型、强度及活度，最后基于声传播信号源的类型、强度及活度确定出待测光器件的损伤类型及损伤程度。这样，利用元件在存在物理损伤时，运行过程中会产生声传播信号的特点，通过对声传播信号进行采集、处理，从而实现对待测光器件的损伤类型及损伤程度的确定。相较于相关技术而言，不需要进行光器件的拆卸，限制条件更少，检测效率更高。
声传播测光器件损伤特征参数光器件信号源活度可读存储介质信号进行处理电子设备损伤检测物理损伤限制条件运行过程运行时拆卸采集检测申请

[发明专利]一种精密器件补加工方法及其专用紧固夹具-CN201810841497.8有效
发明人：朱军君;赵阅;文俊 -专利权人：广东宽普科技股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种精密器件补加工方法，其特征在于：在精密器件与印制电路板回流焊之前进行；首先，采用紧固夹具将精密器件定位和固定，并且精密器件引脚通过紧固夹具接地和弹性固定；之后，将精密器件端部的安装区域切除本发明补加工方法可缩小精密器件体积，可提高生产效率，提升产品质量和加工一致性，可保护精密器件免受静电损伤和振动损伤。本发明还提供一种用于精密器件补加工、结构简单、使用便捷、可提高生产效率、提高产品质量、提升加工一致性、防止精密器件在补加工过程中静电损伤和振动损伤的紧固夹具。
一种精密器件加工方法及其专用紧固夹具

[发明专利]一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置-CN202010229918.9在审
发明人：郭红霞;柳奕天;潘霄宇;周益春;张凤祁;张文首;顾朝桥;琚安安;张鸿;钟向丽;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置，其中，SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。该方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析
一种 sic mosfet 器件损伤机理分析方法装置

[发明专利]一种阵列式图像传感器激光损伤阈值估算方法-CN202110614724.5有效
发明人：张检民;师宇斌;冯国斌;徐作冬;李云鹏;窦鹏程;赵军 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光辐照效应损伤阈值分析方法，具体涉及一种阵列式图像传感器激光损伤阈值估算方法，解决激光干扰损伤效应阈值实验数据存在较大差异的问题。该方法通过获取阵列式图像传感器样品上不同程度的点损伤效应、线损伤与大面积失效激光参数，以及失效阈值，计算得出线损伤阈值、大面积失效阈值，再以点损伤阈值为基准阈值，计算出线损伤、大面积失效以及失效的相关参数，最后通过多次实验得到线损伤、大面积失效和失效的相关系数区间。根据此参数区间和未知器件或相似器件的点损伤阈值，就可得到未知器件或相似器件的线损伤、大面积失效和失效的系数区间。消除测量不确定度、效应现象随机性、样品个体差异的实验误差，提高准确度。
一种阵列图像传感器激光损伤阈值估算方法

[实用新型]可防御木马光攻击的量子密钥分发设备-CN202121587571.1有效
发明人：唐世彪;刘仁德;汤艳琳 -专利权人：科大国盾量子技术股份有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可防御木马光攻击的量子密钥分发设备，其发送端包括光源、编码单元、衰减单元、光学传输元件、低损伤阈值光器件和第一光学探测元件。其中，低损伤阈值光器件包括熔融光纤。光学传输元件设在衰减单元与低损伤阈值光器件之间，且具有第一端口、第二端口和第三端口，并且，第一端口、第二端口和第三端口分别连接衰减单元、低损伤阈值光器件和第一光学探测元件。由此可以无需高功率光器件，仅基于常规光器件实现对各种木马光攻击的防御。
防御木马攻击量子密钥分发设备

[发明专利]化合物器件空间连续谱质子位移损伤地面等效评估方法-CN201710631110.1有效
发明人：于庆奎;孙毅;罗磊;张洪伟;唐民;陈佳怡 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及化合物器件空间连续谱质子位移损伤地面等效评估方法，该方法能够用于指导评估宇航用化合物器件在空间辐射环境中因位移损伤效应造成的性能退化情况，获得器件抗位移损伤能力的准确数据，为器件抗辐射加固设计提供依据，也为宇航型号选择抗辐射能力满足要求的器件和进行应用加固设计提供参考数据，属于化合物器件的宇航应用技术领域。
化合物器件空间连续谱质子位移损伤地面等效评估方法

[发明专利]基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法及系统-CN202211415053.0在审
发明人：李兴冀;杨剑群;刘锋凯;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请涉及基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法及系统，所述基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法包括：获取基于器件真实工艺状态的辐射损伤实际参数，根据所述辐射损伤实际参数，得到界面态和氧化物电荷，根据所述界面态、所述氧化物电荷和所述辐射损伤实际参数构建辐射损伤仿真模型；通过微观反应方程和反应势垒，获取界面态和氧化物电荷，对其进行仿真训练，得到辐射损伤仿真模型。本申请的方法通过辐射损伤仿真模型，能够快速模拟辐射损伤。
基于器件真实工艺状态剂量率辐射损伤仿真方法系统

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