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[发明专利]一种钇陶瓷晶须表面改性的硼化锆铌钼基复合材料及其制备方法-CN201710753974.0有效
发明人：陈东进 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钇陶瓷晶须表面改性的硼化锆铌钼基复合材料及其制备方法，该钇陶瓷晶须表面改性的硼化锆铌钼基复合材料包括硼化锆铌钼基复合材料和表面涂层，具体制备方法为：将硼化锆粉、铌粉和钼粉干燥混合，置于预制模具中，压制成胎坯，将胎坯烘干后置于碳纤维坩埚中，动态真空中烧结，当温度升至1700‑1900℃时对着胎坯进行加压，保温，继续升温继续加压，保温，自然冷却至室温，得到硼化锆铌钼基复合材料；将硼化锆铌钼基复合材料完全浸渍于含钇陶瓷晶须的表面改性溶液，取出静置,再重复浸渍2‑3次，烘干，煅烧，得到钇陶瓷晶须表面改性的硼化锆铌钼基复合材料。
一种陶瓷表面改性硼化锆铌钼基复合材料及其制备方法

[发明专利]硼化铌粉体的制备方法-CN201110136047.7无效
发明人：唐竹兴;张颖 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明提供一种硼化铌粉体的制备方法，包括配料、混合、固化、制粉、压块、烧成和制粉，其特征在于：将五氧化二铌粉体、碳化硼粉体和B2O3粉体与酚醛树脂混合，在40～100℃的温度下固化后制粉，将粉体压制成块体然后在1350℃～1900℃的温度氩气或氢气气氛烧制6～8小时制得硼化铌块体，经脱碳后粉碎制得硼化铌粉体。本发明具有工艺简单，硼化铌粉体纯度高，烧结性能好成本低的特点。
硼化铌粉体制备方法

[发明专利]一种硼化铌纳米粉体的制备方法-CN201410219065.5有效
发明人：冉松林;孙慧峰;魏雅男;汪德文;周黎明 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼化铌纳米粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该方法首先在熔融盐环境中以单质硼还原五氧化二铌，然后通过用热水浸润溶解熔盐及反应产生的三氧化二硼得到纳米硼化铌粉体。本发明所得到的硼化铌纳米粉体可用于制备超高温陶瓷、耐磨材料和超导材料。
一种硼化铌纳米制备方法

[发明专利]一种半导体薄膜及其制备方法-CN201911017277.4在审
发明人：闫一方 -专利权人：苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/38 文献下载
摘要：该半导体薄膜及其制备方法，其薄膜组成为五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬，其中五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬的摩尔比为0.3:0.3:0.4，所述薄膜的厚度为30‑40nm，包括以下步骤：S1.准备好五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬，将五氧化二铌、二硼化钛与氧化铬混合均匀，对其进行煅烧，然后依次进行造粒压片和烧结,得到陶瓷靶材。
半导体薄膜五氧化二铌二硼化钛氧化铬制备半导体薄膜表面半导体材料薄膜组成掺杂气体强光照射陶瓷靶材网络结构烧结摩尔比压片造粒煅烧薄膜离子衰退保证

[发明专利]多层阴极构件的制造方法-CN99814545.9无效
发明人： A·A·米尔赤 -专利权人：艾尔坎国际有限公司
申请日： 1999-11-16 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： C25C3/08 文献下载
摘要：一方面，本方法包括制备一种含碳的阴极基底，在基底上形成至少一层包含金属硼化物的复合耐火材料，其中在所述的表面上形成覆盖层之前，将待覆盖的含碳基底的表面粗糙化。将表面粗糙化，减少了这些层在高温操作条件下发生分离的趋势。另一方面，本方法包括制备一种含碳的阴极基底，依次在基底上形成至少二层包含金属硼化物的复合耐火材料覆层，其中覆层中金属硼化物的含量，随层与基底距离的增加而逐渐增加。通过在几层覆层中金属硼化物含量的逐渐变化，使碳和金属硼化物之间热膨胀率差异的影响变小。金属硼化物中的金属选自钛、锆、钒、铪、铌、钽、铬和钼。
多层阴极构件制造方法

[发明专利]细化金属合金的方法-CN201280009058.1有效
发明人：哈里巴比·内登德拉;玛格达列娜·诺瓦克 -专利权人：布鲁内尔大学
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：一种细化(i)包含铝和至少3％w/w硅的合金或(ii)包含镁的合金的粒度的方法，包括以下步骤：(a)向所述合金中添加足够的铌和硼以形成二硼化铌或Al₃Nb或两者，或(b)向所述合金中添加二硼化铌
细化金属合金方法

[发明专利]一种添加有微量硼的铌钛铝合金及其制备方法-CN201210155246.7无效
发明人：汪燕青;刘兆刚;刘创红;李娜;王东新;孙本双 -专利权人：国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种添加有微量硼的铌钛铝合金及其制备方法，其特征在于：按原子百分比计在铌钛铝合金中添加0.5％-5％的硼。经过实验证明，在含铌30％-60％，含钛10％-50％，含铝0-30％的这一类高温结构材料中，添加微量硼(0.5％-5％)作为晶粒细化剂，可以显著细化合金的晶粒和微观组织，从而提高合金的力学性能，增强增韧成分处于铌30％-60％，钛10％-50％，铝0-30％区间范围内的合金主要成分为β/B2相，因此这种晶粒细化技术对所描述的成分区间都有效。采用本发明的制备方法细化铌钛铝合金组织的工艺简单、实用，同时可以起到铌钛铝合金增强增韧的作用。
一种添加微量铝合金及其制备方法

[发明专利]树脂分散硼化铌碳化硼-碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014345.1有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：树脂分散硼化铌碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm³石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行树脂分散硼化铌填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得树脂分散硼化铌碳化硼‑碳纤维摩擦材料。本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充硼化铌、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，适应各种气候条件的摩擦材料。
硼化铌树脂分散碳化硼制备碳纤维摩擦材料摩擦材料埋入渗硅沉积石墨化碳纤维氮化氮化处理气候条件渗碳处理填充处理高摩擦高韧性石墨化碳化硅碳纤维渗碳填充

[发明专利]一种含独居石的陶瓷立方氮化硼砂轮-CN201410047865.3在审
发明人：胡光胜 -专利权人：当涂县南方红月磨具磨料有限公司
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： B24D3/14 文献下载
摘要：本发明涉及砂轮制造技术领域，具体涉及一种含独居石的陶瓷立方氮化硼砂轮及其生产工艺，该砂轮由以下重量份的原料制成：立方氮化硼磨料45-50、白刚玉磨料24-28、五氧化二铌3-5、二硼化锆2-3、独居石粉末3-4、偏硅酸钠5-7、助剂7-9；本发明砂轮采用五氧化二铌、二硼化锆、独居石等原料结制成了化学性能稳定，硬度高，耐温性能优良，热膨胀系数小的陶瓷结合剂，偏硅酸钠水溶液增进了陶瓷结合剂与磨料的把持强度，
一种独居石陶瓷立方氮化硼砂

[发明专利]合脂分散硼化铌碳化硼-碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014374.8有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：合脂分散硼化铌碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行合脂分散硼化铌填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得合脂分散硼化铌碳化硼本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充硼化铌、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，能适应各种气候条件的摩擦材料。 1
硼化铌碳化硼制备碳纤维摩擦材料摩擦材料埋入渗硅沉积石墨化碳纤维氮化氮化处理气候条件渗碳处理填充处理高摩擦高韧性石墨化碳化硅碳纤维渗碳填充

[发明专利]乙醇分散硼化铌碳化硼-碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014301.9有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：乙醇分散硼化铌碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行乙醇分散硼化铌填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得乙醇分散硼化铌碳化硼‑碳纤维摩擦材料。本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充硼化铌、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，能适应各种气候条件的摩擦材料。
乙醇分散硼化铌碳化碳纤维摩擦材料制备方法

[实用新型]一种硼掺杂金刚石电极-CN201721474192.5有效
发明人：杨扬;唐永炳;谷继腾 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了硼掺杂金刚石电极，包括电极基底，设置在所述电极基底一侧或两侧的过渡层，以及设置在所述过渡层上的硼掺杂金刚石薄膜层，所述过渡层为二硼化钛层、二硼化铌层、二硼化钽层或二硼化钨层，所述电极基底为钛基底、铌基底、钽基底或钨基底。该硼掺杂金刚石电极采用二硼化钛等材料在电极基底与硼掺杂金刚石薄膜之间形成过渡层，有效抑制了金属基底表面疏松碳化物层的形成，提高了硼掺杂金刚石薄膜和基底间结合力，且硼掺杂金刚石薄膜质量高，膜层致密无孔洞，
硼掺杂金刚石薄膜电极基过渡层硼掺杂金刚石电极处理高浓度有机废水电化学高级氧化孔洞致密电极工作寿命金属基底表面本实用新型二硼化钛层阳极处理效率二硼化钛二硼化钽二硼化铌耐腐蚀性碳化物层有效抑制结合力硼化钨基底膜层疏松钨基钛基钽基铌基

[发明专利]超声波分散硼化铌碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法-CN201610014383.7有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：超声波分散硼化铌碳化硼‑碳纤维摩擦材料的制备方法，其特征在于，将密度为0.1~1.8g/cm3石墨化的碳纤维毯进行渗碳处理后进行沉积碳化硼处理，再进行超声波分散硼化铌填充处理，再进行埋入渗硅处理，然后在氮气气氛中氮化处理制得超声波分散硼化铌碳化硼本发明是采用石墨化碳纤维毯通过渗碳、沉积碳化硅、填充硼化铌、埋入渗硅及氮化等步骤实现摩擦材料的制备，所制备的摩擦材料高强度、高韧性、高摩擦性能，能适应各种气候条件的摩擦材料。
超声波分散硼化铌碳化碳纤维摩擦材料制备方法

[发明专利]一种氮化硅、碳化硅结合二硼化铌泡沫陶瓷的制备方法-CN201410562967.9有效
发明人：唐竹兴 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：一种氮化硅、碳化硅结合二硼化铌泡沫陶瓷的制备方法，其特征在于：将NbB₂、硅微粉、酚醛树脂外加羟丙基甲基纤维素溶液均匀混合制成陶瓷浆料，然后将陶瓷浆料浸渍在聚氨酯泡沫上，干燥后在氮气气氛中烧制成氮化硅、碳化硅结合二硼化铌泡沫陶瓷。本发明制备的氮化硅、碳化硅结合二硼化铌泡沫陶瓷显微结构均匀，强度高，孔大小均匀，避免炭和游离硅的残留，使其强度、耐高温、抗热冲击性能得到大幅度提高。
一种氮化碳化硅结合二硼化铌泡沫陶瓷制备方法

[发明专利]一种实心金属钙、硅铁以及含稀土、铌、钒、硼高钛氮化钛硅合金粉复合包芯线-CN201611017061.4在审
发明人：凌春源 -专利权人：浙江宝信新型炉料科技发展有限公司
申请日： 2016-11-19 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：一种实心金属钙、硅铁以及含稀土、铌、钒、硼高钛氮化钛硅合金粉复合包芯线，该包芯线包括芯层和包裹在所述芯层外部的钢皮层，芯层和钢皮层之间设有钢或铁制成的网状支撑层，所述芯层包括硅铁氮化钛硅合金粉末层、中间保护层和实芯金属钙线，实芯金属钙线由中间保护层包裹，硅铁氮化钛硅合金粉末层包裹中间保护层，所述的硅铁氮化钛硅合金粉末层为粒径为3mm以下的硅铁粉末和氮含稀土、铌、钒、硼高钛化钛硅合金粉末，实芯金属钙线与硅铁以及含稀土、铌、钒、硼高钛氮化钛硅合金粉末的质量比为11~22~5。
一种实心金属以及稀土硼高钛氮化合金粉复合包芯线

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