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[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN202010498955.X在审
发明人：邱建岚;郑俊民 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：在一方面，在第一阶中的介电层的第一叠层上形成介电层的中间叠层。然后，部分或完全刻蚀介电层的中间叠层并在其上沉积接着垫层。响应于平坦化接着垫层以暴露介电层的中间叠层的顶面，在经平坦化的接着垫层上方沉积介电层的第二叠层。通过刻蚀存储器元件的阶梯区中的介电层的第二叠层、介电层的中间叠层和介电层的第一叠层而形成阶梯。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310331501.3有效
发明人：庄学理;陈柏年;杨宝如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一器件包括第一栅叠层，并且第一栅叠层包括第一介电层。第二器件包括第二栅叠层，并且第二栅叠层包括第二介电层。第三器件包括第三栅叠层，并且第三器件包括第三介电层。第三介电层的厚度小于第二介电层的厚度，并且第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度。第三栅叠层的栅极长度在量上与第一栅叠层的栅极长度和第二栅叠层的栅极长度不同。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电容器结构以及其制造方法-CN202111266442.7在审
发明人：吴家伟;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：电容器结构包括第一电极、第二电极以及电容介电叠层。电容介电叠层设置在第一电极与第二电极之间，且电容介电叠层包括第一介电层。第一介电层包括第一氧化锆层以及第一氧化硅锆层。在第一电极上形成电容介电叠层，且电容介电叠层包括第一介电层。第一介电层包括第一氧化锆层以及第一氧化硅锆层。然后，在电容介电叠层上形成第二电极，且电容介电叠层位在第一电极与第二电极之间。
电容器结构及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件-CN201510347672.4有效
发明人：张敏南;骆武聪;李世昌;杨宇智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，包含一叠层结构具有一反射层、一第一电性半导体叠层位于反射层上、一主动层位于第一电性半导体叠层上，以及一第二电性半导体叠层位于主动层上；以及一第一电极位于叠层结构上，其中叠层结构还包含一氧化层不露出于叠层结构的外侧壁
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN202010799642.8有效
发明人：张敏南;骆武聪;李世昌;杨宇智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，包含一叠层结构具有一反射层、一第一电性半导体叠层位于反射层上、一主动层位于第一电性半导体叠层上，以及一第二电性半导体叠层位于主动层上；以及一第一电极位于叠层结构上，其中叠层结构还包含一氧化层不露出于叠层结构的外侧壁
半导体发光元件

[实用新型]线路载板-CN200420120045.4无效
发明人：李怡增 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2004-12-20 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种线路载板，主要是由一第一叠层结构、至少一第一导电柱、至少一第二叠层结构、一中间介电层及至少一第二导电柱所构成。第一叠层结构具有至少三层第一线路层与至少两层第一介电层。第一线路层与第一介电层是交互叠合，且任两相邻的第一线路层之间存在有上述第一介电层之一。第一导电柱贯穿第一叠层结构。第二叠层结构叠合在第一叠层结构上。中间介电层位于第一叠层结构与第二叠层结构之间。第二导电柱一并贯穿第一叠层结构、中间介电层与第二叠层结构。此线路载板可减少导电柱所占用的空间，进而增加线路载板的布线密度并降低成本。
线路

[发明专利]具有改进调谐范围的铁电变容管-CN200780039652.4无效
发明人：达尼埃尔·贝朗;马雷克·克莱;克劳斯·雷曼;威廉默斯·C·科尔;鲁迪格·毛佐克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电变容管(400)，其包括电极(406，410)之间的介电叠层(408)。介电叠层包括具有至少三个介电层的交替层序列。介电叠层的至少两个非单晶第一介电层由具有第一介电常数的第一介电材料制成，介电叠层的至少一个非单晶第二介电层由具有第二介电常数的第二介电材料制成，并且第一介电常数不等于第二介电常数。第一介电材料和第二介电材料之一呈现出较弱的铁电滞后。具有较弱的铁电滞后的介电材料占介电叠层的总体积的百分比大于20％。本发明的铁电变容管实现了介电叠层中的高相对介电常数、高击穿电压、低压下的大调谐范围、以及小介电损失。
具有改进调谐范围铁电变容管

[发明专利]三维叠层半导体结构及其制造方法-CN201410808686.7有效
发明人：赖二琨;施彦豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维叠层半导体结构及其制造方法，该三维叠层半导体结构，包括：多个叠层垂直形成于一基板上且相互平行，一介电层形成于叠层上；多个导电塞独立形成于介电层处；和一金属氧化物半导体(MOS)层形成于介电层上这些叠层其中之一包括多个多层柱体，各多层柱体包括多层绝缘层和多层导电层交替叠层而成。MOS层包括多个MOS结构分别与导电塞电性连接，以做为层选择器而选择和译码待操作的层平面。
三维半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有用于抵抗变形的扶壁结构的三维集成电路装置-CN201710684974.X在审
发明人：骆统;洪永泰;杨大弘;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种集成电路，包括位于叠层区中的叠层及位于所述叠层区之外的区。设置于叠层之外的扶壁结构包括栅栏形电性无源元件，所述栅栏形电性无源元件被配置成反抗所述叠层区之外的材料在朝向所述叠层区的方向上的膨胀。
叠层无源元件栅栏形电性扶壁三维集成电路装置变形的集成电路膨胀抵抗配置

[实用新型]方形动力电芯-CN202021742807.X有效
发明人：袁铖;胡明江;陈虎;杨伟;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种方形动力电芯。该方形动力电芯包括：电芯本体、绝缘膜、第一防水层及第二防水层，电芯本体具有首尾依次连接的第一表面、第一侧面、第二表面、第二侧面及底面；绝缘膜具有第一区、第二区和第三区，第一区包覆在第一表面、底面和第二表面上，第二区包括的第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区，第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区层叠在第一侧面上，第三区包括第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区，第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区层叠在第二侧面上；第一防水层覆盖在第一层叠区、第二层叠区及第三层叠区的接缝处；第二防水层覆盖在第四层叠区、第五层叠区及第六层叠区的接缝处。上述方形动力电芯的安全性较高。
方形动力

[发明专利]具有通电功能的堆叠式集成部件装置-CN201380016602.X有效
发明人： R.B.普格;F.A.弗里特施;D.B.奥特斯;J.D.里亚尔;A.托纳 -专利权人：庄臣及庄臣视力保护公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种具有通电功能的堆叠式集成部件装置，所述堆叠式集成部件装置包括至少第一堆叠层(1102)，所述至少第一堆叠层包括电活性装置，所述电活性装置包括一个或多个部件；第二堆叠层(1104)，所述第二堆叠层包括电活性装置，所述电活性装置包括一个或多个部件；和至少第三堆叠层(1106，1107)，所述至少第三堆叠层包括一个或多个通电装置。至少第一电连接件(1103，1105)允许电流在所述第一堆叠层和所述第二堆叠层中的所述一个或多个部件至少其中之一与所述第三堆叠层中的至少一个部件之间流动。所述第一堆叠层包括不同于所述第二堆叠层的技术类型的技术类型。
具有通电功能堆叠集成部件装置

[发明专利]具有改善的光提取的激光剥离发光二极管-CN200680025472.6有效
发明人：高翔;哈里·S·韦努高普兰;伊万·埃利亚舍维奇;迈克尔·萨克赖森 -专利权人：吉尔科有限公司
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件，该发光器件包括限定发光pn结的半导体叠层以及设置在半导体叠层上方的介电层。介电层具有与半导体叠层的折射率基本匹配的折射率。介电层具有远离半导体叠层的主表面。远端主表面包含有被构造成以便促进半导体叠层中所产生光的提取的图案、粗糙度或纹理。
具有改善提取激光剥离发光二极管

[发明专利]一种叠片电芯的制备方法、叠片电芯、叠片装置及系统-CN202310588106.7在审
发明人：曾黎亮;王泽超;郑耿杰;李攀攀;阳如坤;魏宏生 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠片电芯的制备方法、叠片电芯、叠片装置及系统，涉及电芯制备技术领域。该叠片电芯的制备方法包括：将多个第一极片沿第一方向依次间隔排布于两张隔膜之间，以使多个第一极片和两张隔膜共同形成内部层；将多个第二极片沿第一方向依次交叉排布于内部层相对的两侧上，以使多个第二极片和内部层共同形成复合叠层，其中，各第二极片与各第一极片分别对应；压持复合叠层，形成错位叠层；对错位叠层进行Z字形折叠。本发明提供的叠片电芯的制备方法简化了叠片电芯的制备过程，大幅提高了生产效率，适用于大规模生产。
一种叠片电芯制备方法装置系统

[发明专利]一种叠片电芯的制备方法、叠片电芯、叠片装置及系统-CN201910771940.3有效
发明人：曾黎亮;王泽超;郑耿杰;李攀攀;阳如坤;魏宏生 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠片电芯的制备方法、叠片电芯、叠片装置及系统，涉及电芯制备技术领域。该叠片电芯的制备方法包括：将多个第一极片沿第一方向依次间隔排布于两张隔膜之间，以使多个第一极片和两张隔膜共同形成内部层；将多个第二极片沿第一方向依次交叉排布于内部层相对的两侧上，以使多个第二极片和内部层共同形成复合叠层，其中，各第二极片与各第一极片分别对应；压持复合叠层，形成错位叠层；对错位叠层进行Z字形折叠。本发明提供的叠片电芯的制备方法简化了叠片电芯的制备过程，大幅提高了生产效率，适用于大规模生产。
一种叠片电芯制备方法装置系统

[实用新型]一种光伏并网型逆变器及其叠层母排装置-CN201320688077.3有效
发明人：杨启富;朱亮平;李靖 -专利权人：海南金盘电气有限公司;桂林君泰福电气有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叠层母排装置，包括设置有正极导电层、负极导电层和绝缘层的导电层，正极导电层与负极导电层通过绝缘层相隔离，导电层设置有正极输出端和负极输出端，正极输出端用于与功率模块的正极相电连接，负极输出端用于与功率模块的负极相电连接；导电层还设置有进电排，进电排用于与进线排相电连接。同时，本实用新型还提供了一种光伏并网型逆变器，包括功率模块，还包括叠层母排，叠层母排为如上文所述的叠层母排。本实用新型所提供的一种光伏并网型逆变器及其叠层母排，通过设置进电排，实现电流在叠层母排汇流，并通过正极输出端和负极输出端分流，提高叠层母排的模块化程度。
一种并网逆变器及其叠层母排装置

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