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[发明专利]一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺-CN201010110023.X有效
发明人：焦云峰;杨青天;程谦礼 -专利权人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
申请日： 2010-02-20 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池制绒的技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺，包括硅片表面预处理步骤、反应离子刻蚀(RIE)步骤、刻蚀后的硅片表面残余物去除步骤，对硅片表面进行预处理后，再在硅片表面制备纳米掩膜层，然后将具有纳米掩膜层的硅片进行反应离子刻蚀(RIE)，最后将表面残余物去除后，在硅片表面形成绒面，本发明制备的绒面可使硅片表面的反射率降低至2％以下，增加光的吸收，与传统的湿法化学腐蚀绒面技术相比，能够获得更高的电池光电转换效率
一种晶体太阳能电池刻蚀工艺

[发明专利]一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法-CN202011318813.7在审
发明人：李佳鹤;杨宇新;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种MRAM磁隧道结的刻蚀方法，包括步骤1、采用离子束刻蚀和/或反应离子刻蚀进行刻蚀量为t1的主刻步：离子束的方向角为10~60°，反应离子刻蚀的偏压为400‑1000V；步骤2、刻蚀量为t2的清洗步：采用的反应离子刻蚀的偏压为50V‑400V，脉冲占空比为5%‑50%，t1：t2≥0.5，清洗步完成后，在底电极或底介质层上的刻蚀形貌为方形沟槽；步骤3、原位保护：镀膜进行原位保护。本发明将RIE和IBE刻蚀相结合，通过刻蚀顺序的布设及刻蚀参数的选择，在对小尺寸密集磁隧道结刻蚀效果显著提升的同时，也能适用于非密集磁隧道结的刻蚀。从而解决了密集图形刻蚀时低选择比、低陡直度的问题。进一步，方形刻蚀沟槽，能大幅提高MTJ结的TMR和使用寿命，并消除底部沉积。
一种 mram 隧道刻蚀方法

[发明专利]一种光开关的设计及制作工艺-CN200610002666.6有效
发明人：董立军;陈大鹏;欧易;景玉鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G02B6/35 文献下载
摘要：a.用LPCVD低压化学气象淀积在双面抛光的硅片上双面淀积低应力氮化硅厚度；b.正面光刻氮化硅悬臂梁图形；c.RIE反应离子刻蚀形成氮化硅悬臂梁图形；d.背面光刻出腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；e.RIE反应离子刻蚀形成腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；f.涂胶光刻并电子束蒸发金薄膜；g.显影剥离形成金电极；h.KOH溶液在80摄氏度下腐蚀8小时形成氮化硅悬臂梁和光纤沟槽；i.光刻，电子束蒸发剥离形成下极板；
一种开关设计制作工艺

[发明专利]一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法-CN201010182276.8有效
发明人：叶振华;尹文婷;王建新;方维政;杨建荣;陈昱;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性
一种显现碲锌镉红外衬底缺陷等离子体刻蚀方法

[发明专利]一种多种检测功能的RIE半导体材料刻蚀装置-CN201911333786.8在审
发明人：刘胜;李瑞;东芳;王诗兆;阳学进;韩旭 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种多种检测功能的RIE半导体材料刻蚀装置，包括：RIE半导体材料刻蚀腔体、气体流量计、质谱‑光谱联用仪、RHEED、原子力显微镜、气体压强计、温度测试仪、翘曲测试仪、X射线衍射仪、射频电源其将光谱检测、质谱检测、XRD检测、原子力显微镜检测、温度、应力、气体流量和压强检测集成于RIE半导体材料刻蚀系统中，提供了一种具备气态/固态/粒子态/等离子态的多维度质量检测功能的反应离子刻蚀原位在线检测系统该装置测量手段基本实现了覆盖元素、晶格、物质等与缺陷直接相关的信息的监测以及薄膜表面粗糙度、刻蚀深度、深宽比等薄膜信息的检测，实现了低损伤高性能的材料刻蚀过程。
一种多种检测功能 rie 半导体材料刻蚀装置

[发明专利]深硅沟槽刻蚀方法及硅器件-CN201910353084.X在审
发明人：陈桥波 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅器件及深硅沟槽刻蚀方法，该深硅沟槽刻蚀方法包括以下步骤：S1、提供硅衬底和光阻，将所述光阻涂布到硅衬底上；S2、进行曝光显影，采用反应离子刻蚀工艺，利用干法刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，其中，刻蚀气体包括SF₆、O₂和HBr；S3、反应离子刻蚀结束后，进行干法去胶并清洗，得到硅器件，所述硅器件上具有深硅沟槽。该刻蚀方法采用SF₆+O₂+HBr的气体组合刻蚀深硅沟槽，其刻蚀率高，工艺流程简便。所制备得到的硅器件具有光滑、平整且垂直的深硅沟槽，有效解决了目前rie干法刻蚀深硅沟槽的沟槽侧壁角度倾斜度较大、底部较粗糙，不满足工艺需求等问题。
硅沟槽刻蚀硅器件硅衬底干法刻蚀反应离子刻蚀工艺反应离子刻蚀倾斜度干法去胶工艺需求沟槽侧壁光阻涂布刻蚀气体曝光显影有效解决工艺流程垂直的刻蚀率光滑光阻制备粗糙清洗平整

[发明专利]一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法-CN201410296521.6无效
发明人：李世彬;王健波;余宏萍;张鹏;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀法（ICP-RIE）对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底表面上形成黑硅层；在黑硅层表面沉积钝化层本发明的实施例的方法中，采用的是P型重掺杂硅衬底，并且选用ICP-RIE对硅表面进行刻蚀，由于ICP刻蚀选择比高，均匀性好，刻蚀的垂直度和光洁度较高，因此可以获得更好的截面形貌且污染较少。刻蚀之后获得的黑硅材料再通过原子层沉积(ALD)在黑硅层表面沉积一层Al₂O₃钝化层，可以降低反射，减少表面电荷复合率。
一种制造波段吸收材料方法

[发明专利]基于隧穿钝化接触技术的硅基光电化学制氢光阴极制备方法-CN202211407691.8在审
发明人：陆洋;冯毅;刘猛 -专利权人：上海航天能源股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于隧穿钝化接触技术的硅基光电化学制氢光阴极制备方法，包括选择双面抛光的p型单晶硅衬底进行清洗处理，将处理后的p型单晶硅片放入使用碱性制绒溶液中进行各向异性的腐蚀，将处理后的p型单晶制绒片进行单面的反应离子刻蚀处理，将处理后的p型单晶硅基体放入到刻蚀缓冲溶液中进行扩孔清洗处理，本发明使用反应离子刻蚀(RIE)技术和碱湿法制绒结合，可以制备出微纳复合的陷光纹理表面，克服了纯纳米黑硅结构机械鲁棒性差、表面复合速率高的缺点
基于钝化接触技术硅基光电化学制阴极制备方法

[发明专利]实验仿真方法、装置及计算机程序产品-CN202210220651.6在审
发明人：曲晟源;苏涵;王立坤;兰泽峰;张航鹤洋;祁腾骧;白天祎;霍永隽;李红;马壮 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种实验仿真方法、装置及计算机程序产品，所述方法包括：接收用于指示第一目标的目标输入；响应于所述目标输入，显示所述第一目标对应的目标实验信息，所述第一目标包括反应离子刻蚀RIE的实验步骤内容，所述目标实验信息是基于RIE知识库和/或RIE真实实验数据确定的。本发明的实施例通过接收用于指示第一目标的目标输入；响应于所述目标输入，显示所述第一目标对应的目标实验信息，所述第一目标包括RIE的实验步骤内容，所述目标实验信息是基于RIE知识库和/或RIE真实实验数据确定的，而且通过人机交互的方式进行实验仿真，可以更便捷地进行RIE演示和RIE练习。
实验仿真方法装置计算机程序产品

[发明专利]无需使用CMP工艺去除SOI衬底上硬掩模的结构和方法-CN201280005006.7有效
发明人：权五正 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：在深沟槽反应离子刻蚀（RIE）工艺之后，在硬掩模材料上沉积阻挡材料。去除硬掩模材料的顶部上的阻挡材料。使用选择湿法刻蚀工艺去除硬掩模材料。有效控制槽的凹陷深度。
无需使用 cmp 工艺去除 soi 衬底上硬掩模结构方法

[发明专利]一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法-CN201410854544.4有效
发明人：唐成春;李俊杰;姜倩晴;顾长志;全保刚;金爱子 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：一种用电子束光刻(EBL)结合反应离子刻蚀(RIE)大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法，包括如下步骤：1)清洁金刚石表面并蒸镀粘附层金属；2)在蒸镀了粘附层金属的金刚石样品表面旋涂HSQ层，并进行前烘；3)在EBL系统中对金刚石样品表面HSQ层进行曝光；4)对曝光后的HSQ层进行显影定影；5)用RIE刻蚀去除周期性柱形硅氧化物掩膜周围的粘附层金属；6)用RIE刻蚀周期性凸球阵列结构。
一种大面积制备纳米透镜阵列方法

[发明专利]一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料-CN201710631297.5有效
发明人：晏小平;秦金;王亮;王肇中 -专利权人：武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用RIE设备刻蚀InP材料的方法及刻蚀InP材料，涉及半导体材料干法刻蚀领域，包括以下步骤：S1、在InP‑外延片上通过PECVD设备，生长一层SiO22阻挡层上；S4、通过湿法去胶，将光刻胶去除干净；S5、将待刻蚀的样品用KOH溶液清洗2～3分钟，清洗后冲水并干燥处理；S6、将样品载入RIE工艺腔体中进行刻蚀。本发明使用RIE设备刻蚀InP材料的方法通过对干法刻蚀工艺的改进，解决了反应离子刻蚀设备刻蚀InP过程中产生的聚合物副产物污染样品的问题。
一种使用 rie 设备刻蚀 inp 材料方法

[发明专利]一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法-CN201310405652.9无效
发明人：王丽春;赵彦;黄海冰;吕俊;王艾华;赵建华 -专利权人：中电电气（南京）光伏有限公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：步骤如下（1）化学去除表面能损伤层；（2）采用一次扩散工艺进行重掺杂，形成PN结；（3）硅片表面生长或形成介质层或掩膜层；（4）化学腐蚀方法腐蚀非电极栅线区的介质层而保留电极栅线区下的掩膜层；（5）利用反应离子刻蚀RIE在非电极栅线区刻蚀出100-300nm的金字塔绒面结构，同时一次性形成浅掺杂区；（6）使用湿化学方法一次性去除反应离子刻蚀形成的表面损伤层及电极栅线区下掩膜层，即得到选择性发射极结构。本发明采用一次扩散结合反应离子刻蚀技术就完成选择性发射极多晶/类单晶硅太阳电池所需的轻重掺杂和低反射率纳米级表面织构，简化了工艺路径，转化效率高，适合工业化量产。
一种多晶单晶硅太阳能电池选择性发射极结构制备方法

[发明专利]一种反应离子刻蚀掩膜-CN202210294399.3有效
发明人：罗倩;高国涵;邵俊铭;吴湘;范斌 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应离子刻蚀掩膜。传统的反应离子刻蚀掩膜制作是在不需要刻蚀的区域涂上掩膜层，需要刻蚀的区域不做任何处理，这样，刻蚀之后就会有边缘效应，出现掩膜边界出现台阶的问题。在反应离子刻蚀修型的工艺中，检测的波像差是连续面型，而不是离散的，本发明刻蚀采用的掩膜最好是渐变的小孔分布，而不是非零即一的状态，这样刻蚀后的波前也不会出现台阶的情况。本发明公开的一种反应离子刻蚀掩膜，不同于传统的反应离子刻蚀掩膜，解决了传统的反应离子刻蚀掩膜分界线上出现台阶的问题。
一种反应离子刻蚀

[发明专利]一种纳米网的制备方法-CN202110270117.1在审
发明人：张青竹;田佳佳;李俊杰;吴次南;张兆浩;殷华湘;刘战峰;毛淑娟;张静;王文武;屠海令 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直纳米网的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与氮化硅，形成氮化硅纳米网阵列，再以SiNx纳米网阵列为掩膜刻蚀衬底硅
一种纳米制备方法

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