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[发明专利]一种集成芯片及其制作方法-CN202110992587.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成芯片及其制作方法，包括步骤：在硅衬底上划分硅器件区域和砷化镓器件区域；在硅衬底对应砷化镓器件区域上形成砷化镓外延结构；在砷化镓外延结构上形成砷化镓器件；在硅衬底上对应硅器件区域形成硅器件；形成所述砷化镓器件与所述硅器件之间的金属互连层。可以将砷化镓器件和硅器件集成到一个芯片上，实现降低制造成本、减小器件面积、提升系统集成度等优点。
一种集成芯片及其制作方法

[发明专利]一种室温下吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法-CN201410041978.2有效
发明人：徐万劲;秦国刚;张瑜;秦来香 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行剂量小于5000Gy低剂量电子辐照，使硅晶片待清洁区或硅器件有源区中的过渡金属杂质向附近的吸杂缺陷区扩散，从而降低硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质浓度相比于现有的硅材料吸杂方法，该方法在室温下进行，因而不仅可用于硅晶片还可用于硅器件吸杂，且该方法不限于单晶或多晶硅片及硅器件，也适用于其它半导体材料（如锗）和相应器件。
一种室温晶片器件过渡金属杂质方法

[发明专利]静电防护器件及其制造工艺-CN201210102462.5有效
发明人：姜一波;杜寰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，公开了一种静电防护器件，包括可控硅器件、MOS管器件；所述可控硅器件与所述MOS管器件串联。本申请还公开了一种静电防护器件的制造工艺，包括在半导体基底上制成可控硅器件；在所述可控硅器件附近制成MOS管；将可控硅器件与MOS管器件串联。所述静电防护器件兼有可控硅极小寄生电容和MOS器件高维持电压的特点可应用在高压射频电子电路或器件的静电保护等方面。
静电防护器件及其制造工艺

[发明专利]与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件及其制作方法-CN201110266243.6有效
发明人：曹永峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件及其制作方法，该种硅纳米线器件的硅纳米线高度降低、高宽比减小，硅纳米线的横向接触面增大，所述硅纳米线器件的制作工艺包括在衬底上形成硅纳米线和源/漏区；在源/漏区上依次形成金属焊垫及接触孔；干法释放硅纳米线器件，暴露出硅纳米线。所述硅纳米线器件的优点是与现有硅纳米线器件相比受侧墙影响大大降低，有效接触面增加，从而硅纳米线器件的受影响率变大，同时由于硅纳米线的宽度增加，大大降低了制作硅纳米线器件对于光刻和刻蚀工艺的要求，有效降低了生产成本
cmos 工艺兼容纳米器件及其制作方法

[发明专利]氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法-CN201110037228.4无效
发明人： F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：用于包括硅器件层和氮化镓(GaN)器件层的半导体器件的结构和方法。在实施方案中，硅器件层和GaN器件层具有彼此共平面的上表面。在另一实施方案中，GaN器件层并不直接位于硅器件层下面，和硅器件层并不直接位于GaN器件层下面。半导体器件还可包括在硅器件层上和/或内形成的硅基半导体器件，和在GaN器件层上和/或内形成的氮化物基半导体器件。GaN器件层可包括多个层，所述多个层可形成为共形遮盖层和然后平坦化，或者可选择性地形成然后平坦化。
氮化器件电路单片集成结构方法

[发明专利]共源共栅级联的氮化镓器件封装结构-CN201710059793.8在审
发明人：陈磊;阮颖 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构，硅器件和GaN器件上下连接形成共源共栅级联结构，具体结构为硅器件栅极作为级联结构栅极，硅器件源极作为级联结构源极，GaN器件漏极作为级联结构漏极，硅器件源极与GaN器件栅极连接，GaN器件源极与硅器件漏极连接，GaN器件栅极与硅器件源极连接，电容器的一端直接连接到硅器件源极，另一端通过导线连接到GaN器件源极，封装排布硅器件位于GaN器件的上部，连接部分通过结构中间位置的焊盘连接整个结构能够有效降低共源共栅级联结构中存在的寄生电感，避免大电流关断情况下GaN器件发生发散振荡现象，能够有效延长GaN器件的使用寿命。
共源共栅级联氮化器件封装结构

[发明专利]一种硅光电器件批量测量系统-CN201910966524.9在审
发明人：方芳;余玉洪;唐述文;孙志宇;张永杰;陈俊岭;苏弘;千奕;赵红赟;杨海波;孔洁 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅光电器件批量测量系统，其特征在于，该测量系统包括脉冲驱动器、LED光源、光积分器件、集束光纤、硅光电器件测量盒、数据采集系统、皮安表和电源；脉冲驱动器连接至少一个LED光源的输入端，每一LED光源的输出端均依次通过对应光积分器件和集束光纤连接对应硅光电器件测量盒，每一硅光电器件测量盒内均设置有若干待测硅光电器件，集束光纤用于将LED光源发射的光脉冲均匀分配至硅光电器件测量盒内的每一待测硅光电器件上；每一待测硅光电器件的输出端均连接数据采集系统；各硅光电器件测量盒之间串联连接，位于一端的硅光电器件测量盒通过皮安表连接电源，本发明可以广泛应用于批量测量技术领域中。
硅光电器件测量盒集束光纤脉冲驱动器测量系统积分器件输出端电源测量技术领域数据采集系统采集系统均匀分配连接数据表连接光脉冲输入端发射应用

[发明专利]一种具有界面N⁺层的SOI LDMOS半导体器件-CN201210261200.3有效
发明人：胡盛东;罗俊;谭开洲;徐学良;王健安;秦国林;唐昭焕;陈文锁 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有界面N+层的SOILDMOS半导体器件，涉及一种半导体功率器件，包括衬底硅层、介质埋层和有源顶层硅，介质埋层设置于衬底硅层与有源顶层硅之间，有源顶层硅自半导体表面至介质埋层分为N型硅层、P型硅层和N+硅层三部分；本发明采用在介质埋层与有源顶层硅间设置N+硅层，使得该器件在反向阻断状态时，界面部分耗尽的高浓度电离施主增强介质埋层电场，并有效调制有源顶层硅内电场分布，从而有效提高器件纵向耐压和器件横向耐压同时，有源顶层硅中的P型硅层可调节该器件的RESURF条件，缓解器件击穿电压与导通电阻之间的矛盾。
一种具有界面 sup soi ldmos 半导体器件

[发明专利]硅基光互连系统-CN201811563027.6在审
发明人：薛磊;岳庆冬 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基光互连系统，包括：第一硅衬底、光电器件、CMOS器件及第一隔离层，所述光电器件和所述CMOS器件均设置于所述第一硅衬底之上，所述第一隔离层设置于所述第一硅衬底和所述光电器件之间，本发明的硅基光互连系统集成了光电器件和CMOS，且光电器件和CMOS共用硅衬底，光电器件的光源、波导、探测器共用硅衬底，能应用于芯片等光传输结构中，器件的兼容性高，光耦合效率高，器件的传输性能好。
硅基光互连系统

[实用新型]硅基光互连系统-CN201822144918.X有效
发明人：薛磊;岳庆冬 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基光互连系统，包括：第一硅衬底、光电器件、CMOS器件及第一隔离层，所述光电器件和所述CMOS器件均设置于所述第一硅衬底之上，所述第一隔离层设置于所述第一硅衬底和所述光电器件之间，本实用新型的硅基光互连系统集成了光电器件和CMOS，且光电器件和CMOS共用硅衬底，光电器件的光源、波导、探测器共用硅衬底，能应用于芯片等光传输结构中，器件的兼容性高，光耦合效率高，器件的传输性能好。
光电器件硅衬底光互连系统硅基本实用新型隔离层光传输结构光耦合效率传输性能兼容性探测器波导光源芯片应用

[发明专利]一种硅衬底GaN半导体共源共栅器件的设计方法-CN201810818998.4有效
发明人：刘查理 -专利权人：刘查理
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种硅衬底GaN半导体共源共栅器件的设计方法，将高压硅衬底GaN半导体器件漏极作为共源共栅器件的漏极，栅极与低压器件源极连接作为共源共栅器件的源极且接地电，源极与低压器件漏极连接，将低压器件栅极作为共源共栅器件的栅极；将高压硅衬底GaN半导体器件的硅基板接地电；将低压器件的阈值电压设计为3V～10V；在硅衬底GaN半导体共源共栅器件上并联高压硅二极管；通过公式计算低压器件漏极与源极之间的电容的值或者在低压器件上并联硅电容或者稳压二极管基于本发明设计的硅衬底GaN半导体共源共栅器件，解决了现有硅衬底GaN半导体共源共栅器件因其本身设计导致容易失效的问题。
一种衬底 gan 半导体共源共栅器件设计方法

[发明专利]低功耗MOS器件栅极刻蚀方法及低功耗MOS器件制造方法-CN201310386315.X在审
发明人：张振兴;王百钱 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种低功耗MOS器件栅极刻蚀及低功耗MOS器件制造方法。所述低功耗MOS器件栅极刻蚀方法包括：形成低功耗MOS器件的栅极多晶硅层，其中低功耗MOS器件包括低功耗NMOS器件和低功耗PMOS器件，而且其中所述NMOS器件的栅极多晶硅层为掺杂的栅极多晶硅，所述PMOS器件的栅极多晶硅层为未掺杂的栅极多晶硅；利用氟化物和CL2的混合气体对所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅层进行刻蚀以形成所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅图案。
功耗 mos 器件栅极刻蚀方法制造

[发明专利]集成的硅和III-N半导体器件-CN201480024816.6有效
发明人： N·蒂皮兰尼;S·彭德哈卡尔;R·L·怀兹 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：集成的硅和III‑N半导体器件可以通过在具有第一取向的第一硅衬底(100)上生长III‑N半导体材料(102)来形成。具有不同的第二取向的第二硅衬底(106)具有在硅器件膜(110)与载体晶片(112)之间的释放层(108)。硅器件膜(110)附接到III‑N半导体材料，同时硅器件膜(110)通过释放层(108)连接到载体晶片(112)。载体晶片(112)随后被从硅器件膜(110)上去除。第一多个组件被形成在硅器件膜之中和/或之上。第二多个组件被形成在暴露区域中的III‑N半导体材料之中和/或之上。在替代的工艺中，可以在集成的硅和III‑N半导体器件中的硅器件膜与III‑N半导体材料之间设置介电夹层。
集成 iii 半导体器件

[发明专利]一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法-CN201010157559.7有效
发明人：卜建辉;毕津顺;习林茂;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，该方法包括：步骤1：提取绝缘体上硅器件的热阻；步骤2：测试绝缘体上硅器件在应力条件下的漏电流，计算出绝缘体上硅器件在应力条件下的功率，然后利用提取的热阻计算绝缘体上硅器件的实际温度；步骤3：对绝缘体上硅器件做加速应力实验；步骤4：预测绝缘体上硅器件的热载流子寿命。利用本发明，实现了对SOI器件热载流子寿命的准确预测。
一种预测绝缘体器件载流子寿命方法

[发明专利]基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件及其制备方法-CN201110441605.0无效
发明人：王永进;朱洪波 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，所述硅衬底层具有一个贯穿至顶层氮化物层下表面的长方体空腔；所述顶层氮化物器件层位于空腔上部的悬空部分具有纳米光子器件结构。本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件及其制备方法能够实现光波与悬空光子器件交互作用的基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件以及便于与硅微电子技术集成，实现集成硅基光电子器件。
基于衬底氮化物材料悬空谐振光子器件及其制备方法

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