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[发明专利]一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法-CN202211157163.1在审
发明人：杨克伟;曲晓东;江土堆;罗桂兰;尤翠萍;赵斌;陈凯轩 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，通过：在所述发光台面设置所述第二金属反射镜、电流阻挡层，使所述集成金属层层叠于所述第二金属反射镜及电流阻挡层背离所述外延叠层的一侧表面，并通过所述介质型DBR反射镜覆盖所述集成金属层、第二金属反射镜以及电流阻挡层；从而通过所述介质型DBR反射镜作为所述第二金属反射镜以及电流阻挡层的反射结构，实现了LED芯片发光台面的补充反射。其次，所述介质型DBR反射镜嵌入所述通孔侧壁作为所述第一金属反射镜与所述外延叠层之间的绝缘层的同时，通过所述DBR反射镜结合所述第一金属反射镜，极大地提升了LED芯片的发光效率。
一种通孔式垂直结构 led 芯片及其制作方法

[发明专利]光谱补偿式太阳能光伏发电系统-CN201210315971.6有效
发明人：陈小源;杨康;李东栋;王亮兴;方小红;付苓;李明;李成 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H02S10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光谱补偿式太阳能光伏发电系统，主要由反射镜组、叠层太阳能电池、管理控制系统和电力系统四部分组成。该系统的基本功能是：利用对特定谱段或者特定波长的太阳光具有反射作用的半反射镜，补偿叠层电池电流输出较弱的结，解决叠层电池在使用过程中因入射光谱的不均导致的各结电流输出失配的问题。其特点在于该系统将使用的反射镜分为全太阳光谱反射功能的全光谱反射镜与对特定谱段或者特定波长的太阳光具有反射作用的半反射镜两种，反射镜组将太阳光反射到叠层电池表面后，叠层电池表面的探测器获得电流失配信号，并将其反馈至控制系统，控制系统输出信号驱动半反射镜对叠层电池输出电流较弱的相应子电池进行光谱补偿。
光谱补偿太阳能发电系统

[发明专利]将多单元半导体激光器与光纤的耦合系统-CN201210042236.2无效
发明人：林学春;陈凯;侯玮;郭渭荣;王祥鹏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种将多单元半导体激光器与光纤的耦合系统，包括：第一组半导体激光器；第一组微型快轴准直镜，位于第一组半导体激光器的出光光路上；第一组镀高反膜叠层基片反射镜，位于第一组微型快轴准直镜的光路上；第二组半导体激光器；第二组微型快轴准直镜，位于第二组半导体激光器的出光光路上；一反射镜，位于第一组镀高反膜叠层基片反射镜反射光路上；第二组镀高反膜叠层基片反射镜，位于第二组微型快轴准直镜的光路上；一λ/2波片，位于反射镜的反射光路上；一偏振分束器，位于λ/2波片之后及第二组镀高反膜叠层基片反射镜反射的光路上，将通过反射镜和第二组镀高反膜叠层基片反射镜的光汇聚，形成汇聚光；一宏观慢轴准直镜、一宏观快轴准直镜和一光纤，依次位于汇聚光的光路上
单元半导体激光器光纤耦合系统

[发明专利]基于多周期布拉格反射镜的雪崩光电二极管及其制备方法-CN202110898534.0在审
发明人：张军琴;刘蒙;单光宝;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多周期布拉格反射镜的雪崩光电二极管及其制备方法，所述雪崩光电二极管包括阳极、Ge电极接触层、吸收层、电荷层、倍增层、阴极、SOI衬底、保护层、第一多周期布拉格反射镜、第二多周期布拉格反射镜、第三多周期布拉格反射镜和光波导，其中，第三多周期布拉格反射镜叠放在SOI衬底内部；阴极包括设置在SOI衬底上表面的第一阴极部分和第二阴极部分，第一多周期布拉格反射镜位于第一阴极部分与倍增层和电荷层形成的叠层结构之间，第二多周期布拉格反射镜位于第二阴极部分与叠层结构之间。该雪崩光电二极管利用多周期布拉格反射镜的强反射作用，可提高光的耦合效率，增强器件的光吸收，有效提高器件的响应度。
基于周期布拉格反射雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]面射型激光装置-CN201910260182.9有效
发明人：许聪基;赖铭智;林弘伟;许文士;郭浩中;叶晏玮;萧越;向宇;张鹏 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：面射型激光装置用以产生一激光光束，且包括外延叠层体以及一保护结构。外延叠层体包括一第一反射镜层、一有源层、一第二反射镜层。有源层位于第一反射镜层与第二反射镜层之间，且外延叠层体具有至少一氧化沟槽，其由外延叠层体的一表面延伸至外延叠层体内部。保护结构设置于外延叠层体上，且包括一第一叠层部分。第一叠层部分覆盖氧化沟槽的一内壁面，且第一叠层部分至少包括一应力缓冲层、一氧化铝层以及一覆盖层。氧化铝层夹设在应力缓冲层与覆盖层之间。
面射型激光装置

[发明专利]广角反射镜系统-CN200780010809.0有效
发明人：迈克尔·F·韦伯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：一种包括宽带薄膜干涉叠堆的复合反射镜系统，薄膜干涉叠堆具有多个微层以及光学厚层，光学厚层的折射率大于空气的折射率但小于叠堆的最小折射率。反射镜系统能够为在叠堆和光学厚层中以超临界角传播的光提供高反射率，同时避免例如由于与支承结构相接触而在反射镜背面存在污垢或诸如吸收材料等其它干扰物而导致的反射率降低。
广角反射系统

[发明专利]一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构-CN201910083328.7有效
发明人：吴小明;刘军林;陈芳;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，是常规AlGaInP红色发光二极管的反射镜层改成复合反射镜层，复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区，反射区由介质层和反射金属组成，介质层的介质材料的折射率在1.0‑2.5之间，电极为金属，材料和接触的半导体材料有关，对p型GaP，电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层，或者，电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层；对n型GaAs，电极的金属材料为Ni、Au和Ge三种金属的叠层或者两种或两种以上的合金；粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种。本发明具有能提高反射镜的反射率、器件的出光效率和电光转换效率、同时保证反射镜结构具有很好的粘附性和可靠性的优点。
一种带有复合反射 algainp 红色发光二极管器件结构

[发明专利]谐振腔、激光单元、激光器以及激光雷达-CN202011514195.3在审
发明人：林炳成;费嘉瑞;向少卿 -专利权人：上海禾赛科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：一种谐振腔、激光单元、激光器和激光雷达，所述谐振腔包括：相对间隔设置的第一反射镜和第二反射镜；位于所述第一反射镜和所述第二反射镜之间的有源结构；所述有源结构包括多个包括发光层的功能叠层，分别为第1功能叠层、第2功能叠层……第N功能叠层，至少所述第1功能叠层和所述第N功能叠层还包括：电流限制层；同一功能叠层中，所述电流限制层和所述发光层之间的距离为传导间距；所述第1功能叠层的传导间距大于所述第N功能叠层的传导间距在所述有源结构中设置传导间距不均匀的功能叠层，能够抑制边界位置处电流集聚效应和中心区域电流密度的增加，都能够有效增加基模强度、抑制高阶模的激发，能够有效减小激光的发散角。
谐振腔激光单元激光器以及激光雷达

[发明专利]用于扫频源光学相干层析成像系统的波长可调谐垂直腔面发射激光器-CN201810386712.X在审
发明人： T·牧野;T·李;D·尤 -专利权人：英菲尼斯有限责任公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：所述波长可调谐VCSEL包括VCSEL的底部反射镜、有源区、以及通过静电偏转而可移动的MEMS可调谐上部反射镜。所述底部反射镜包括GaAs基分布的布拉格反射镜(DBR)叠层，以及所述有源区包括多个GaAs基量子点(QD)层的叠层，所述有源层在GaAs衬底上外延生长。所述MEMS可调谐上部反射镜包括由悬挂梁支撑的膜部、以及包含介电DBR叠层的上部反射镜。
反射镜波长可调谐可调谐叠层垂直腔面发射激光器量子点扫频源源区光学相干层析成像系统光学相干层析成像布拉格反射镜微机电系统外延生长中心波长静电可移动悬挂梁波长衬底介电膜部优选源层扫描覆盖支撑

[发明专利]用于扫频源光学相干层析成像系统的波长可调谐垂直腔面发射激光器-CN201480044416.1有效
发明人： T·牧野;T·李;D·尤 -专利权人：英菲尼斯有限责任公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：所述波长可调谐VCSEL包括VCSEL的底部反射镜、有源区、以及通过静电偏转而可移动的MEMS可调谐上部反射镜。所述底部反射镜包括GaAs基分布的布拉格反射镜(DBR)叠层，以及所述有源区包括多个GaAs基量子点(QD)层的叠层，所述有源层在GaAs衬底上外延生长。所述MEMS可调谐上部反射镜包括由悬挂梁支撑的膜部、以及包含介电DBR叠层的上部反射镜。
反射镜波长可调谐可调谐叠层垂直腔面发射激光器量子点扫频源源区光学相干层析成像系统光学相干层析成像布拉格反射镜微机电系统外延生长中心波长静电可移动悬挂梁波长衬底介电膜部优选源层扫描覆盖支撑

[发明专利]单模垂直腔面发射激光器及其制造方法-CN200410080455.5无效
发明人：伯纳德·乌尔里克·克勒;斯科特·W·科尔扎因;劳拉·焦瓦尼;郑安年 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2004-10-10 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：这种VCSEL包括光发射表面和整块纵向叠层结构。纵向叠层结构包括第一反射镜、第二反射镜和腔区。腔区设置在第一反射镜和第二反射镜之间，包括活性光产生区和腔延伸区。纵向叠层结构还包括离子注入电流抑制区。
单模垂直发射激光器及其制造方法

[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制作方法-CN202111422016.8在审
发明人：林志伟;崔恒平;蔡玉梅;陈凯轩;蔡海防 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述介质孔与第二型半导体层电性连接，保证电流的注入和导通；同时，解决了外延叠层与介质层、金属反射镜之间结合力弱的问题，从而提高芯片的可靠性。另一方面，使金属反射镜与介质层形成ODR反射结构，将外延叠层朝向基板一侧辐射的光线返回至外延叠层，并从出光侧辐射出去，提高出光效率。
一种垂直结构 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种垂直结构LED芯片-CN202122930127.1有效
发明人：林志伟;崔恒平;蔡玉梅;陈凯轩;蔡海防 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述介质孔与第二型半导体层电性连接，保证电流的注入和导通；同时，解决了外延叠层与介质层、金属反射镜之间结合力弱的问题，从而提高芯片的可靠性。另一方面，使金属反射镜与介质层形成ODR反射结构，将外延叠层朝向基板一侧辐射的光线返回至外延叠层，并从出光侧辐射出去，提高出光效率。
一种垂直结构 led 芯片

[发明专利]可筛选水分钝化平面折射率导向型垂直腔面发射激光器-CN200410088556.7无效
发明人：威尔逊·H·威德贾贾;伯纳德·乌尔里克·克勒 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一方面，VCSEL包括具有顶表面的垂直叠层结构。垂直叠层结构包括顶反射镜，底反射镜和腔区，该腔区布置在顶反射镜和底反射镜之间并包括活性光产生区。顶反射镜和底反射镜中的至少一个具有至少一个限定出孔隙区的层。垂直叠层结构限定出至少一个侧壁区域，所述侧壁区域从所述顶表面至少延伸到对应于所述孔隙区的深度。缺陷指示器系统包括具有化学可变的光学性能的指示器层和上覆于指示器层的阻挡层。
筛选水分钝化平面折射率导向垂直发射激光器

[发明专利]一种波导型Ge/Si雪崩光电二极管及制备方法-CN202110898554.8在审
发明人：张军琴;刘蒙;单光宝;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种波导型Ge/Si雪崩光电二极管及其制备方法，所述二极管包括阳极、Ge电极接触层、吸收层、电荷层、倍增层、阴极、SOI衬底、保护层、第一多周期布拉格反射镜、第二多周期布拉格反射镜和光波导，其中，SOI衬底自下而上依次包括Si衬底、SiO2埋氧化层和Si电极接触层；倍增层、电荷层、吸收层、Ge电极接触层及阳极自下而上依次设置在Si电极接触层上；第一多周期布拉格反射镜和光波导分别位于倍增层、电荷层和吸收层形成的叠层结构的相对两侧；第二多周期布拉格反射镜横向叠放在Si电极接触层与SiO2埋氧化层之间。该雪崩光电二极管利用布拉格反射镜的强反射作用，可提高光的耦合效率，增强器件的光吸收，有效提高器件的响应度。
一种波导 ge si 雪崩光电二极管制备方法

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