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[发明专利]集成栅漏电容的超结器件及制造方法-CN202211124223.X有效
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，提供一种集成栅漏电容的超结器件及制造方法。所述超结器件包括：有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构；所述平板电容结构与所述栅极以及所述截止环区相连，所述平板电容结构作为超结器件的栅漏电容本申请在终端区集成与栅极和截止环区相连的平板电容结构，该平板电容结构作为栅漏电容，可以减小超结器件电容的非线性特性，从而增加栅极驱动对超结器件栅极的可控性，减缓超结器件的电压、电流振铃，防止电压击穿损坏器件
集成漏电器件制造方法

[发明专利]低压超结MOSFET的制造方法-CN201510990423.7在审
发明人：岳玲;刘挺;杨乐;徐西昌 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压超结MOSFET的制造方法，该方法为：通过深槽填充多晶硅，两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用湿法腐蚀的方式形成浅槽，在浅槽中制作低压超结MOSFET，共同构成低压超结器件本发明能够用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不加大的情况下，能够制造出具有更高耐压，更低导通电阻的低压超结型器件，提高VDMOS的性能，同时也能降低成本。
低压 mosfet 制造方法

[发明专利]半导体超结器件的制造方法-CN202011125896.8有效
发明人：刘伟;袁愿林;王睿;刘磊 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体超结器件技术领域，具体公开了一种半导体超结器件的制造方法，包括：以第一绝缘层和第二绝缘层为掩膜自对准的刻蚀n型衬底，在n型衬底内形成第二沟槽，在第二沟槽内形成栅极结构。本发明的半导体超结器件的制造方法，形成栅极和p型柱只需要进行一次光刻工艺，可以极大的降低半导体超结器件的制造成本，并降低半导体超结器件的制造风险。
半导体器件制造方法

[发明专利]高压三维耗尽超结LDMOS器件及其制造方法-CN202010888999.3在审
发明人：张波;朱旭晗;祖健;章文通;乔明;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压三维耗尽超结LDMOS及其制造方法，包括第二导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一和第二导电类型阱区，第一介质氧化层，第二导电类型埋层，第二介质氧化层，周期性排列的第一和第二导电类型区形成超结；所述第二导电类型埋层以及超结结构均位于第一导电类型漂移区中，其中超结位于第二导电类型埋层上方且与第二导电类型埋层相连；所述第二导电类型埋层在关态下优化器件表面电场，第二导电类型埋层和超结第二导电类型区三面包围超结第一导电类型区，形成三维耗尽超结结构Fin‑SJ结构，允许第一导电类型漂移区和超结第一导电类型区掺杂浓度提高，并且超结结构提供了表面低阻通路，降低器件比导通电阻。
高压三维耗尽 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]一种单细胞手术装置-CN202110095717.9有效
发明人：金尚忠;冯笛;姜丽;金怀洲 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02B21/32 文献下载
摘要：本发明提供一种单细胞手术装置，所述装置包括至少两组同轴双波导光纤以及与其数量对应的微操系统，所述同轴双波导光纤安装在该微操系统上，该微操系统用于操控所述同轴双波导光纤移动；所述同轴双波导光纤包括一个中间芯和一个环形芯，并在该光纤的纤端具有对称的圆锥台结构，反射汇聚环形芯内传输的环形捕获光束，形成光镊；在光纤端面的中心处刻蚀有一个凹槽，平凸透镜粘附于该凹槽内；其中，第一同轴双波导光纤的中间芯传输的荧光激发光束经过所述平凸透镜后，形成突破衍射极限的超分辨纳米光学射流，可实现纳米量级的超分辨荧光照明；第二同轴双波导光纤的中间芯传输的激发光束经过所述平凸透镜后形成光刀。
一种单细胞手术装置

[发明专利]一种基于双芯光子晶体光纤的光纤陀螺-CN200810062482.8无效
发明人：陈侃;黄腾超;舒晓武;刘承 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双芯光子晶体光纤的光纤陀螺。它包括宽谱超发光二极管、PIN探测器、分束器、铌酸锂集成光学调制器、双芯光子晶体光纤环，宽谱超发光二极管发出的光线由分束器分成两束光，其中一束光进入死头被衰减，另一束光进入铌酸锂集成光学调制器再分成两束光，并进入双芯光子晶体光纤环的两端分别沿双芯纤芯缺陷通道顺时针和逆时针反向传播，经双芯PCF环单模、保偏传输后返回铌酸锂集成光学调制器产生干涉，干涉光经分束器进入PIN探测器。
一种基于光子晶体光纤陀螺

[实用新型]一种双芯光纤透射式双通道SPR传感器-CN201720924712.1有效
发明人：刘春兰;苏于东;魏勇;张永慧;许刚;姜友嫦;屈勇;聂祥飞 -专利权人：重庆三峡学院
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：本实用新型提出一种双芯光纤透射式双通道SPR传感器，包括超连续谱光源1，耦合注光装置2，双芯光纤3，两锥角SPR传感探针4，多模光纤5，光谱仪6，注射泵7，反应池8，废液池9，计算机10；超连续谱光源光通过耦合注光装置注入双芯光纤一个纤芯，在SPR微传感器探针上下对称两锥角结构斜面处两次全反射，同时发生表面等离子体共振，反射光进入多模光纤中水平传输，并送入光谱仪采集反射衰减光谱；通过耦合注光装置更换双芯光纤的不同纤芯，本实用新型可在同一传感区对混合物进行两种分析物同时检测；双路参考测量有效弥补背景折射率的干扰及非特异性结合、物理吸收等造成的干扰。
双芯光纤耦合光装置本实用新型光谱仪超连续谱多模光纤双通道透射式纤芯锥角表面等离子体共振非特异性结合参考测量传感探针上下对称衰减光谱水平传输微传感器物理吸收混合物传感区反射光反应池废液池分析物光源光全反射折射率注射泵双路探针反射光源送入采集计算机检测

[发明专利]沟槽栅超结器件及其制造方法-CN201710388218.2有效
发明人：范让萱;缪进征 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：超结结构的第二导电类型柱由填充于形成于第一导电类型外延层中的超结沟槽中的第二导电类型外延层组成；沟槽栅的栅极沟槽为通过对超结沟槽顶部的第二导电类型外延层进行回刻形成，使得栅极沟槽和超结沟槽呈自对准结构，沟槽栅和第二导电类型柱呈自对准结构，从而消除沟槽栅对超结结构的步进的影响。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能缩小超结结构的步进尺寸，能节省一层栅极沟槽对应的光罩，从而能降低成本，能降低器件的正向导通电阻。
沟槽栅超结器件及其制造方法

[发明专利]一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS-CN201910055794.4有效
发明人：祝靖;田甜;李少红;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS，包括兼做漏极的N型衬底及N型漂移区，N型漂移区内设有第一P柱，第一P柱的顶部设有第一P型体区，在第一P型体区上设有NMOS管，所述NMOS管与所述第一P型体区之间设有SiO2隔离层，所述第一P型体区上设有第一P型重掺杂区，所述超结VDMOS的源极金属、NMOS管的源极金属及第一P型重掺杂区相连接；所述超结VDMOS的漏极作为所述超结功率VDMOS的漏极，所述超结VDMOS的栅极与所述NMOS管的栅极连接并作为所述超结功率VDMOS的栅极，所述NMOS管的漏极作为所述超结功率VDMOS的源极；在超结VDMOS的N型漂移区上设有肖特基接触且肖特基接触与所述
一种反向恢复电荷功率 vdmos

[发明专利]SOI横向超结功率MOSFET器件-CN201210138951.6无效
发明人：王文廉;王玉 -专利权人：中北大学
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件，具体是一种SOI横向超结功率MOSFET器件。本发明解决了现有SOI横向超结功率MOSFET器件耐压低、以及自热效应严重的问题。SOI横向超结功率MOSFET器件包括p型衬底、设于p型衬底上端面的绝缘埋层、以及由横向交替分布的超结n区和超结p区构成的超结结构；绝缘埋层的上端面设有n型埋层；n型埋层的上端面设有p型外延层；p型体区和超结结构均设于
soi 横向功率 mosfet 器件

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN201911098287.5在审
发明人：曾大杰 -专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，超结器件各原胞形成于对应的超结单元上，包括：沟道区和平面栅，栅漏电容为由平面栅对顶部漂移区和底部的第一导电类型柱进行纵向耗尽形成的电容。超结单元中，第二导电类型柱会对第一导电类型柱进行横向耗尽，在保持超结单元的电荷平衡或使第二导电类型掺杂总量多以保证击穿电压满足要求的条件下，超结单元的顶部区域中的第二导电类型柱的宽度设置为小于第一导电类型柱的宽度本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能增加器件的栅漏电容，能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲。
器件及其制造方法

[发明专利]电压钳位的超结器件及制造方法-CN202211122807.3有效
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，提供一种电压钳位的超结器件及制造方法。所述超结器件包括有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构和电阻结构，所述平板电容结构与所述电阻结构串联连接构成RC吸收电路；所述RC吸收电路与源极和截止环区相连，用于对超结器件的漏源电压进行电压钳位。本申请在超结器件的终端区集成RC吸收电路，将器件漏源电压钳位在安全电压值范围内，可以减缓器件电压电流振铃，防止器件因过压击穿而损坏；充分利用超结器件终端区芯片面积，不需要额外占用超结器件有源区面积，不会引起超结器件其它参数的退化
电压器件制造方法

[发明专利]超结器件的终端结构的耐压验证方法-CN201810695808.4有效
发明人：赵龙杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件的终端结构的耐压验证方法包括如下步骤：步骤一、在第一晶圆的半导体衬底上形成第一超结器件，第一超结器件的终端结构形成于过渡区和所述终端区中。步骤二、对第一超结器件的终端结构进行第一次耐压测试并得到终端结构的初始耐压值。步骤三、在第二晶圆的半导体衬底上形成超结结构；之后进行注入剂量小于7E11cm‑2的全面的第一次掺杂离子注入，之后完成第二超结器件。步骤四、对第二超结器件的终端结构进行第二次耐压测试并得到终端结构的注入后耐压值。步骤五、比较注入后耐压值和初始耐压值并根据比较结果对第一超结器件的终端结构进行验证。
器件终端结构耐压验证方法

[发明专利]超硬密封复合阀-CN03118204.6有效
发明人：朱庭 -专利权人：朱庭
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： F16K13/00 文献下载
摘要：一种超硬密封复合阀由阀体、阀座、手轮、阀座支架、支架盖板及组合阀芯等组成，其特征在于所述的手轮通过与该手轮下主动齿轮连接的一双联齿轮、以及与该双联齿轮啮合联动的拨杆齿轮组成一个双齿轮联动机构；并且通过受该双齿轮轮联动机构中各自独立的两齿轮轴操纵的阀芯组合件A和阀芯组合件B，在阀座、阀体及进流座上设置并组成的过流通道中形成两道前、后密封形态的复合密封结构；同时该复合阀的阀芯密封构件由超硬特种硬质合金材料制作或涂覆。
密封复合

[发明专利]超结MOS管的制造方法-CN201611070751.6在审
发明人：张栋 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结MOS管的制造方法，包括以下步骤S1、制作超结MOS管的晶圆；S2、对所述晶圆进行辐照；S3、对所述晶圆进行退火。本发明的超结MOS管的制造方法，可以降低电流对电荷平衡态的影响，使所述超结MOS管具有更好的稳定性和可靠性。
mos 制造方法