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[实用新型]带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件-CN201821424487.6有效
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率器件技术领域，尤其涉及一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件，其结构包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层、源极金属；本实用新型所述的带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件采用沟槽栅结构，且沟槽栅位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快，耐压高的特点，同时又具有沟槽栅屏蔽JFET电阻的特点，从而提高了超结MOSFET器件的功率密度。
超结MOSFET 沟槽栅结构深槽深槽结构本实用新型沟槽栅外延层源区多晶硅栅极栅极氧化层功率器件器件横向源极金属介质层衬底电阻耐压屏蔽保留

[发明专利]超结器件制造方法及超结器件-CN201510267296.8在审
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种超结器件制造方法及超结器件，其中方法包括：在衬底上形成外延层，在所述外延层上形成氧化层掩膜；对所述氧化层掩膜进行光刻、刻蚀，并在所述氧化层掩膜的掩蔽下，在所述外延层上刻蚀出凹槽；在所述凹槽内形成氧化物层本发明提供的超结器件制造方法及超结器件中，在外延层上形成有凹槽，并在所述凹槽内形成有氧化物层，能够有效减小栅漏电容，减少器件的开关时间，降低器件的开关损耗；并且，相对于现有技术，本发明中的栅氧化层的厚度并没有增加
器件制造方法

[实用新型]一种渔网机用单双结切换装置-CN202122622477.1有效
发明人：王金才;赵正彬;陈立军 -专利权人：扬州鑫渔纺织机械有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： D04G1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了渔网机领域内的一种渔网机用单双结切换装置，包括安装架，所述安装架上设置有齿条，所述齿条与齿轮啮合，所述齿轮上设置有上钩，所述齿条的两侧分别连接有可调单结摆动结构和可调双结摆动结构，所述可调单结摆动结构和可调双结摆动结构分别与单结动力机构以及双结动力机构相连；齿条两侧分别与可调单结摆动结构和可调双结摆动结构相连，在需要使用打单结时，只需要将调整可调双结摆动结构，使其对齿条不施加影响，进而只有单结摆动结构动作，拉动齿轮在安装架上来回移动，进而带动齿轮转动，使得与齿轮相连的上钩随着齿轮转动，实现打单结，反之亦然，本实用新型用于渔网的单双结切换功能。
一种渔网机用单双结切换装置

[发明专利]一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构-CN201510034207.5有效
发明人：朱伟东;赵泊然 -专利权人：应能微电子（上海）有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其包含一具有第一导电类型的重掺杂硅衬底；在所述重掺杂硅衬底顶面设置一具有第一导电类型的掺杂外延层；在所述掺杂外延层上设置有一系列密排的超深沟槽，且所述超深沟槽的高宽比为所述超深沟槽通过掺杂多晶硅的填充，并经过高温推进形成一个立体的具有第二导电类型的扩散掺杂区域，与具有第一导电类型的晶圆掺杂硅衬底形成一个纵向结构的PN结。该纵向结构的PN结的结面积由侧面积和底面积所组成。而纵向结构的PN结的结面积可以通过沟槽刻蚀的深度来增加，因此这种具有纵向PN结的TVS二极管结构可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦级）或浪涌电流。
超深沟槽第一导电类型纵向结构瞬态电压抑制器掺杂外延层硅衬底重掺杂掺杂多晶硅导电类型沟槽刻蚀扩散掺杂浪涌电流纵向PN结掺杂硅高宽比面积和衬底顶面晶圆浪涌密排填充芯片

[实用新型]一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构-CN201520047004.5有效
发明人：朱伟东;赵泊然 -专利权人：应能微电子（上海）有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其包含一具有第一导电类型的重掺杂硅衬底；在所述重掺杂硅衬底顶面设置一具有第一导电类型的掺杂外延层；在所述掺杂外延层上设置有一系列密排的超深沟槽，且所述超深沟槽的高宽比为所述超深沟槽通过掺杂多晶硅的填充，并经过高温推进形成一个立体的具有第二导电类型的扩散掺杂区域，与具有第一导电类型的晶圆掺杂硅衬底形成一个纵向结构的PN结。该纵向结构的PN结的结面积由侧面积和底面积所组成。而纵向结构的PN结的结面积可以通过沟槽刻蚀的深度来增加，因此这种具有纵向PN结的TVS二极管结构可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦级）或浪涌电流。
一种具有深沟瞬态电压抑制器结构

[发明专利]柔软型耐高温不燃烧通讯电缆-CN93115900.8无效
发明人：门亚威;门亚丽 -专利权人：门亚威
申请日： 1993-11-09 - 公布日： 1995-05-17 - 主分类号： H01B7/34 文献下载
摘要：柔软型耐高温不燃烧通讯电缆，其线芯材料采用裸铜线，其特征是内芯涂料由双酚A改性有机硅树脂、超细滑石粉、618#树脂、硅烷偶联剂KH550组成；外护套涂料由有机硅树脂硼聚对苯二酚树脂、超细滑石粉、硅烷偶联剂KH550、618#树脂、氯化联苯醚组成，经用无碱玻璃纤维或石英玻璃纤维绕包，浸涂内芯涂料，外护套涂料，烘干固化等工艺制成多种性能柔软型耐高温不燃烧通讯电缆，包括二芯扁平电话线。
柔软耐高温燃烧通讯电缆

[发明专利]一种编织的技术方法-CN201811607821.6在审
发明人：李学忠 -专利权人：苏州迪塔杉针织有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： D04G5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种编织的技术方法，包括八字编织技术、平结编织技术、单平结编织技术、十字结编织技术、雀头结编织技术、双联接编织技术和单线双联结编织技术，通过八字编织技术、平结编织技术、单平结编织技术、十字结编织技术、雀头结编织技术、双联接编织技术和单线双联结编织技术进行编织，从而可以很好的根据不同编织需要来进行编织使用，使得在编织的时候更加立体，图形更加形象，而平结编织技术、单平结编织技术和十字结编织技术，使得在进行编织双面立体和立体图案的时候更加便利，八字编织技术、雀头结编织技术、双联接编织技术和单线双联结编织技术，使得编织和连接使用的时候更加方便。
一种编织技术方法

[实用新型]一种紧密型复合架空电缆-CN202022158228.7有效
发明人：吴雪平 -专利权人：嘉兴奥氟特电子科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01B7/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紧密型复合架空电缆，属于架空电缆技术领域，包括缆芯，所述缆芯外表面包覆有绝缘层，所述绝缘层外表面包覆有屏蔽层，所述屏蔽层外表面包覆有超疏水层，所述超疏水层外表面包覆有橡胶阻燃层。本实用新型一种紧密型复合架空电缆，能将导体和光纤导体热量导出，在电缆上有结的冰的通过导出的热量能加快冰块融化不会影响电缆送电，同时具有较高的绝缘性，能提高电缆的使用寿命，也能屏蔽外界信号的干扰，也具有较高的输水性
一种紧密复合架空电缆

[发明专利]半导体运算放大装置和半导体感测装置-CN202011142199.3有效
发明人：陈建章 -专利权人：杭州晶华微电子有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：该半导体运算放大装置包括：主运算放大电路，包括被配置为接收差分输入信号的第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管；以及输入电流补偿电路，包括第三双极结型晶体管、钳位运算放大器和电流镜。钳位运算放大器被配置为使第三双极结型晶体管与第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管在相同的偏置下工作。电流镜被耦合在第一节点与第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管和第三双极结型晶体管的基极之间，并且电流镜被配置为分别向第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管和第三双极结型晶体管的基极提供彼此成比例的偏置电流
半导体运算放大装置

[发明专利]一种形成超浅结的方法-CN202110168061.9在审
发明人：杨健 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种形成超浅结的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成外延层，提供掺杂物，向外延层和部分半导体衬底中注入掺杂物，去除外延层，以在半导体衬底中形成超浅结。本发明实施例的形成超浅结的方法能够实现高能量和高剂量注入而获得低能量和低剂量的注入效果，解决了相关技术中存在的获得低能量和低剂量的注入效果比较困难的问题。
一种形成超浅结方法

[发明专利]一种具有体电场调制效应的横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201610251306.3有效
发明人：段宝兴;曹震;董自明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有体电场调制效应的横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管，在横向超结功率器件的有源区下方的衬底外延材料中形成多层浮空埋层，可以通过合理地设置多层浮空埋层的位置、厚度、长度和掺杂浓度对横向超结功率器件的体电场有效地进行调制
一种具有电场调制效应横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应

[实用新型]一种超硬密封复合阀-CN03227217.0无效
发明人：朱庭 -专利权人：朱庭
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： F16K1/00 文献下载
摘要：一种超硬密封复合阀由阀体(17)、阀座(13)、于轮(2)、阀座支架(23)、支架盖板(1)及组合阀芯等组成，其特征在于所述的手轮(2)通过与该手轮(2)下主动齿轮(5)连接的一双联齿轮(26)、以及与该双联齿轮(26)啮合联动的拨杆齿轮(7)组成一个双齿轮联动机构；并且通过受该双齿轮轮联动机构中各自独立的两齿轮轴操纵的阀芯组件A和阀芯组件B，在阀座(13)与阀体(17)上设置并组成的过流通道(19)中形成两道前
一种密封复合

[发明专利]一种SiC半超结结型栅双极型晶体管器件及其制作方法-CN202211146638.7有效
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体提供一种SiC半超结结型栅双极型晶体管器件及其制作方法，SiC半超结结型栅双极型晶体管器件由下至上依次为集电极金属层、P+型衬底层、N型辅助层、沿N型辅助层的宽度方向交替地形成在本发明采用的结型栅双极型晶体管结构，可以彻底消除栅极氧化层带来的缺陷，并且具有优异的导通特性和开关性能，并引入半超结结构，进一步地提高了本发明的击穿电压，降低导通电阻。
一种 sic 半超结结型栅双极型晶体管器件及其制作方法

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN201710156182.5有效
发明人：李昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，超结器件单元包括：沟槽栅，形成于N型柱顶部；在沟槽栅两侧形成有沟道区；源区形成于沟道区表面，漏区形成于超结结构的底部；在沟道区底部的沟槽栅的两侧侧面形成有N型掺杂的电流发散区，本发明还公开了一种超结器件的制造方法。
器件及其制造方法

[发明专利]一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构-CN201510033858.2在审
发明人：朱伟东;赵泊然 -专利权人：应能微电子（上海）有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构，其包含一具有第一导电类型的掺杂硅衬底，在所述掺杂硅衬底表面设置有一系列密排的超深沟槽，所述超深沟槽通过掺杂多晶硅的填充，并经过高温推进形成一个立体的具有第二导电类型的扩散掺杂区域，与具有第一导电类型的晶圆掺杂硅衬底形成一个纵向结构的PN结。该纵向结构的PN结的结面积由侧面积和底面积所组成。而纵向结构的PN结的结面积可以通过沟槽刻蚀的深度来增加，因此这种具有纵向PN结的TVS二极管结构可以在更小的芯片尺寸上承受更大的浪涌功率（千瓦级）或浪涌电流。
一种具有深沟瞬态电压抑制器结构