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[发明专利]原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法-CN201880096524.1有效
发明人：崔鹤永;金栋元;金相勋;金根植 -专利权人：株式会社奈瑟斯比
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法。根据本发明的用于在基板形成原子层的原子层沉积装置包括：基板移送部，用于安置基板，并向第一方向及与所述第一方向不同的第二方向移送所述基板；气体供应部，布置于通过所述基板移送部而移送的所述基板的上方，并且包括供应源气体的源气体供应模块
原子沉积装置利用方法

[实用新型]一种原子层沉积装置及原子层沉积设备-CN202020673133.6有效
发明人：李哲峰;乌磊 -专利权人：深圳市原速光电科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种原子层沉积装置及原子层沉积设备，其中底板上设置有若干主固定孔和若干调节槽。本实用新型技术方案通过在底板上开设多个主固定孔，多个主固定孔用于与固定部件配合，将底板固定在外部设备上，调节槽的尺寸大于主固定孔的孔径，当需要调整底板的偏移角度时，可以通过调节槽进行位置的微调，调节完成后
一种原子沉积装置设备

[发明专利]传感器及其制造方法-CN202010231126.5在审
发明人： M·普达斯;J·基维奥亚;N·奥克萨拉 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：一种应变传感器，包括第一原子层沉积层、在第一原子层沉积层之上的柔性分子层沉积层和在分子层沉积层之上的第二原子层沉积层。
传感器及其制造方法

[发明专利]一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法-CN201110287076.3有效
发明人：刘键;饶志鹏;万军;夏洋;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及氧化锌制备的技术领域，具体涉及一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法。所述制备方法，包括：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含锌源气体，含锌源气体中的锌原子吸附在硅衬底上；以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中输送氢气，同时进行等离子体放电；向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源，未与氮原子反应的锌原子与含氧源中的氧原子形成锌氧键；重复上述步骤即可逐层生长含氮原子的氧化锌薄膜。本发明利用ALD设备对氧化锌薄膜进行氮掺杂，该方法简单易行，利用原子层沉积单层循环生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中掺杂氮原子，使得掺杂后的薄膜结构完整，性能显著。
一种氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]原子层沉积修饰的钾离子电池石墨负极改性方法及其应用-CN201811109900.4在审
发明人：李德军;贺晓东;冯建民;董雷 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积修饰的钾离子电池石墨负极改性方法及其应用,原子层沉积修饰的石墨材料的制备方法包括以下步骤：1)将石墨粉放入乙醇中均匀混合，得到分散液，将分散液烘干，得到处理后石墨粉；2)将步骤1)所得处理后石墨粉放入原子层沉积系统的反应腔内；3)进行原子层沉积1～150个周期，得到石墨材料。本发明采用原子层沉积技术，在原始石墨粉表面形成金属氧化物修饰层，金属氧化物修饰层的厚度可由沉积循环次数精确控制。相对于没有原子层修饰的原始石墨，电极材料与电解液的副反应得到有效抑制，形成稳定低阻的SEI膜，使得石墨负极在较长时间内保持高水平的容量特性。
原子沉积修饰离子电池石墨负极改性方法及其应用

[发明专利]基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法-CN201110190433.4无效
发明人：孙晓岚;董艳华;李超;刘晓虹;谢莉彬 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法，属光纤技术领域。本放大光纤由纤芯和包层组成，原子层沉积的铒铝混合薄膜位于纤芯结构中。本发明采用化学气相沉积法在特殊的改进化学气相沉积（MCVD）制棒机上依次进行包层及部分纤芯材料纯石英疏松层沉积，然后在石英疏松层上利用原子层沉积技术交替沉积Er2O3及Al2O3薄膜，得到光纤预制棒，最后进行拉制光纤本发明中的基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤，具有均一性好、分散性高、掺杂浓度高、增益谱宽、放大效率高、结构简单、价位低廉、易于产业化生产等特点，可用于构建光纤激光器、光纤放大器及光纤传感器等。
基于原子沉积技术浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法

[发明专利]一种基于原子层沉积的吸收膜及其制作方法-CN202011214378.3在审
发明人：沈伟东;郑婷婷;章岳光;杨陈楹;王海兰;陈潇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原子层沉积的吸收膜，由基底和其上的多层吸收膜系组成，所述多层吸收膜系由吸收膜层和介质膜层交替组成，吸收膜层为最内层，靠近基底设置；介质膜层为最外层；所述多层吸收膜系由原子层沉积方法得到本发明巧妙结合了吸收膜的设计制备和原子层沉积技术的优势，克服了传统的物理气相沉积方法无法满足大曲率元件沉积薄膜的均匀性、覆盖率的基本要求的困难。本发明通过原子层沉积技术制备的吸收膜，在设计波段内吸收率可达99％以上，可在高深宽比的复杂光学表面以及大曲率光学元件等特殊领域具有重要应用，有望在虚拟现实、防伪等方面广泛应用，为我国国民经济、社会发展、科学技术和国防建设等领域作出贡献。
一种基于原子沉积吸收及其制作方法

[发明专利]一种原子层沉积设备及其使用方法-CN201110300843.X有效
发明人：王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；所述沉积室内设有膜厚测量模块，所述膜厚测量模块与所述控制部件电连接。本发明还提供一种原子层沉积设备的使用方法。本发明通过采用沉积时间和膜层厚度测量模块，提高了原子层沉积设备的膜厚控制能力，减少设备故障，使得加工出的膜层更加接近所需厚度，有效降低膜层厚度漂移，提高了设备的利用率，且能够满足半导体加工越来越精细化的要求
一种原子沉积设备及其使用方法

[发明专利]气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该原子层沉积装置的原子层沉积方法-CN201280016242.9有效
发明人：全蓥卓;朴台容;李在相;崔哃昣;全喜营;朴珍圭 -专利权人：丽佳达普株式会社
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该装置的原子层沉积方法。所述气体喷注装置被配置成单管形状。气体通过所述气体喷注装置的中心部分被供应到衬底上。此处，由于沉积工艺是在常压下进行，所以不需要提供额外的装置及设置额外的时间来建立真空。并且，因为能够实施连续的工艺，所以工艺前步骤或工艺后步骤可以同时一起进行。
气体装置原子沉积以及使用方法

[发明专利]一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用-CN202010277909.7在审
发明人：蒋书森;吕文龙 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝‑氧化铝薄膜及其制备方法和应用，属于电子器件技术领域。本发明提供的氮化铝‑氧化铝薄膜的制备方法先将衬底升温至150～350℃，得到待沉积硅衬底；在真空条件下，向原子层沉积室通入三甲基铝气流，得到第一原子沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化，然后向原子层沉积室通入氨水气流，得到第一氮化铝‑氧化铝沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化；重复通入三甲基铝气流‑净化‑通入氨水气流‑净化的步骤，在待沉积硅衬底上得到氮化铝‑氧化铝薄膜。
一种氮化氧化铝薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种用于原子层沉积设备的进气方法-CN201110339697.1无效
发明人：饶志鹏;夏洋;陈波;李超波;万军;赵珂杰;黄成强;陶晓俊;李勇滔;刘键;石莎莉;江莹冰 -专利权人：嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种用于原子层沉积设备的进气方法。所述进气方法包括：将两种或两种以上前驱体源分别通过载气运输和/或载气吹扫的方式输送到原子层沉积反应腔中。本发明能够实现两路或多路同时进气，在满足ALD沉积方式的同时，增加适合用ALD设备沉积薄膜的前躯体的数量。
一种用于原子沉积设备方法

[发明专利]用于光电子器件的薄层封装，其制造方法以及光电子器件-CN201080013287.1有效
发明人：迪尔克·贝克;托马斯·多贝廷;埃尔温·兰;蒂洛·罗伊施 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：薄层封装(1)具有包括以下层的层序列(2)：第一原子层沉积层(3)，其借助原子层沉积来沉积，以及第二原子层沉积层(4)，其借助原子层沉积来沉积。
用于光电子器件薄层封装制造方法以及

[发明专利]ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构及其制作方法-CN202011502702.1在审
发明人：闫晓密 -专利权人：普瑞（无锡）研发有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构及其制作方法，其中，ALD沉积电流扩展层的LED芯片结构包括：在芯片衬底上生长LED芯片外延结构，在LED芯片外延结构上制作透明导电层，透明导电层包括利用电子束蒸发技术镀的ITO膜，以及利用电子束蒸发技术镀的铝原子层和利用ALD技术沉积的氧化铝膜形成的以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜。本发明在ITO薄膜的基础上，先沉积一层铝原子层，再用ALD技术沉积氧化铝，形成以铝原子为核，氧化铝为壳的核壳结构膜，氧化铝层可以减少对光的吸收，而且可以改善ITO薄膜的电流扩散，增加芯片的出光角度，提高芯片的光电性能
ald 沉积电流扩展 led 芯片结构及其制作方法

[发明专利]一种原子层沉积多腔单电源控制系统-CN202211578788.5在审
发明人：陈亚琦;王铁双;毛鹏飞;张赛谦;梁贺茗;吴杰;邓磊;梅胜利 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种原子层沉积三腔单电源控制系统。本发明提供的原子层沉积多腔单电源控制系统，包括控制模块、射频电源、射频阻抗、若干个固态继电器及对应的射频回路和反应腔：所述控制模块，对固态继电器进行开启或断开；所述控制模块，控制固态继电器的开关通断频率，根据原子层沉积工艺设置供能时间段，分时顺序对各个射频回路提供射频能量；所述射频回路，利用固态断电器的通断，为对应的反应腔提供射频能量，进行原子层沉积工艺。本发明提供的原子层沉积多腔单电源控制系统，采用单电源为多个原子层沉积反应腔进行错峰射频供电，能够有效减少射频电源的配置个数，节约设备投入成本。
一种原子沉积多腔单电源控制系统

[发明专利]可拆式粉末原子层沉积装置的自动化机台-CN202110455649.2在审
发明人：林俊成;张容华 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种可拆式粉末原子层沉积装置的自动化机台，主要包括一原子层沉积作业区、一可拆式粉末原子层沉积装置、一真空腔体放置区及一输送装置，其中可拆式粉末原子层沉积装置的真空腔体可相对于轴封装置拆卸或连接输送装置可将真空腔体由真空腔体放置区输送至原子层沉积作业区，并将真空腔体固定在轴封装置上，以对真空腔体内的粉末进行原子层沉积。完成沉积的真空腔体可由轴封装置卸下，并通过输送装置将真空腔体输送至真空腔体放置区，以进行自动化粉末的原子层沉积制程。
可拆式粉末原子沉积装置自动化机台