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[发明专利]一种空间用防静电复合原子氧防护涂层制备方法-CN202211242516.8在审
发明人：李中华;李毅;王志民;王艺;何延春;徐嶺茂;赵琳;熊玉卿;王虎;王洁冰;李林;汪科良 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间用防静电复合原子氧防护涂层制备方法，涉及航天器空间环境效应防护技术领域，首先在有机基底材料上利用等离子体增强化学气相沉积技术制备一层厚度50～600nm的硅氧烷防护涂层。接着在硅氧烷防护涂层上利用等离子体增强原子层沉积技术制备的一层厚1～200nm的氧化铝涂层，具有修复硅氧烷缺陷的功能；随后在氧化铝涂层上采用等离子体增强化学气相沉积技术制备厚度100～300nm的SiOx原子氧防护涂层，用来阻挡原子氧侵蚀；最后采用RF磁控溅射法制备一层氧化铟锡防静电涂层。该防护方法有助于提升原子氧防护性能，具有防静电功能。该复合薄膜既能提升原子氧防护性能，又能满足低轨、超低轨、长寿命卫星防静电原子氧防护性能需求。
一种空间静电复合原子防护涂层制备方法

[发明专利]一种提高载药微球控释能力的方法-CN201510319273.7有效
发明人：杨红军;张骞;徐卫林;王娜;冯锦旗;胡睿青 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： A61K9/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高载药微球控释能力的方法，属医药技术领域，该方法利用原子层沉积技术先对载药微球进行活性表面处理，然后经过逐层的原子沉积，使载药微球表面形成可控厚度的沉积层，通过对沉积层厚度的准确控制，来实现药物的缓慢释放
一种提高载药微球控释能力方法

[发明专利]一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法-CN201210530718.2有效
发明人：张阳;董亚斌;卢维尔;解婧;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，属于氧化锌薄膜制备技术领域。所述方法包括：原子层沉积设备通入含锌源气体和含氧源气体，在原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜；原子层沉积设备通入含铝源气体和含氧源气体，在氧化锌薄膜表面生长氧化铝层。
一种制备表面粗糙氧化锌薄膜方法

[发明专利]ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法-CN201110239699.3无效
发明人：宋佳;李文英;姜来新;尹桂林;余震;何丹农 -专利权人：上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。
zno cu 透明导电薄膜制备方法

[发明专利]ONO结构及ONO电容的制作方法-CN201410217609.4无效
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种ONO结构的制作方法，包括以等离子体增强原子层沉积工艺在晶圆表面生长第一氧化硅层；以等离子体增强原子层沉积工艺在所述第一氧化层上生长氮化硅层；以及以等离子体增强原子层沉积工艺在所述氮化层上生长第二氧化硅层上述步骤在等离子体增强原子层沉积设备中原位执行。本发明可以在同一设备同一工艺菜单中制作性能优越的ONO结构。
ono 结构电容制作方法

[发明专利]一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法-CN201910920956.6在审
发明人：张希威;孟丹;汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法。该方法主要包括方法如下步骤：1)将衬底放入原子层沉积系统反应腔；2)将原子层沉积系统反应腔抽取真空；3)向原子层沉积系统反应腔交替通入前驱体，使之在衬底表面发生自限性化学反应并生长大面积二硫化铪薄膜。本发明具有所涉及的一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法，能够实现所制备的二维二硫化铪薄膜具有原子级厚度精确可控、大面积、均匀等优点；且反应温度较低，能兼容柔性衬底，并且能与后序的光刻等半导体工艺结合实现所制备薄膜的图案化
硫化原子层沉积系统反应腔薄膜原子层沉积工艺薄膜制备衬底制备化学反应半导体工艺衬底表面前驱体图案化原子级自限性二维放入光刻可控抽取兼容生长

[发明专利]一种用于原子层沉积设备的进气方法-CN201110339683.X无效
发明人：饶志鹏;夏洋;陈波;李超波;万军;赵珂杰;黄成强;陶晓俊;李勇滔;刘键;石莎莉;江莹冰 -专利权人：嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种用于原子层沉积设备的进气方法。所述进气方法为：装有不同前驱体的各个源瓶之间的气路为并行的。本发明在满足ALD沉积方式的同时，增加适合用ALD设备沉积薄膜的前躯体的数量，能够实现较多种前躯体源的活化并达到在衬底上进行吸附的目的。
一种用于原子沉积设备方法

[发明专利]一种复合正极及其在固态聚合物锂离子电池的应用-CN201910362411.8有效
发明人：孙学良;梁健能;孙乾;罗婧;赵阳;卢世刚;张立;赵尚骞 -专利权人：国联汽车动力电池研究院有限责任公司;西安大略大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：所述复合正极包括：高电压正极、及包覆于高电压正极的保护层；所述保护层材料选自原子层沉积材料和/或分子层沉积材料。本发明采用原子层沉积/分子层沉积技术包覆锂离子电池正极材料，形成保护层，从而防止含此类正极材料的固态锂离子电池中的聚合物基电解质分解，进而提高了固态锂离子电池在高充电电压下的循环性能。
一种复合正极及其固态聚合物锂离子电池应用

[发明专利]一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法-CN201911352194.0有效
发明人：尹彬;张庆钊;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法，涉及半导体技术领域，通过将称重模块放置在衬底的下方，测量所述衬底的原始质量和所述衬底的原始表面积；将第一前驱体通入所述真空腔室反应结束，测量所述衬底的第一质量，用第一惰性气体吹扫所述真空腔室测量所述衬底的第二质量；将第二前驱体通入所述真空腔室反应结束，测量所述衬底的第三质量，用所述第一惰性气体吹扫所述真空腔室获得原子层沉积薄膜，测量所述衬底的第四质量；根据所述原子层沉积薄膜的密度计算所述原子层沉积薄膜的第一厚度，达到了采用在线测量衬底质量变化，更精确的测出衬底各处的薄膜厚度，保证器件整体具有良好包覆性的技术效果。
一种监测原子沉积薄膜生长厚度方法

[发明专利]减轻膜中的渗漏-CN201480071532.2有效
发明人： R·N·卡尼克;S·博思;M·S·H·布提利尔;N·G·哈吉康斯坦蒂诺;T·K·杰恩;S·C·奥赫恩;T·拉奥;M·A·阿迪恩;D·蒋 -专利权人：麻省理工学院;法赫德国王石油矿产大学
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： B01D59/12 文献下载
摘要：在一个实施方案中，膜可包括含多个缺陷的活性层和与所述多个缺陷相关的沉积的材料，所述膜可降低通过其中的流动。此外，所述活性层的大部分不含所述材料。在另一实施方案中，膜可包括多孔基材和位于所述多孔基材表面上的原子层沉积的材料。所述原子层沉积的材料的亲水性可不如所述多孔基材，且原子级薄活性层可位于所述原子层沉积的材料上。
减轻中的渗漏

[发明专利]一种叠层金属氧化物栅介质层及其制备方法-CN201210210606.9无效
发明人：马大衍;王红波;马飞;徐可为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层金属氧化物栅介质层及其制备方法。本发明采用原位原子层沉积技术，工艺过程简单，易于实现，其具体步骤为，先将半导体沉底清洗干净，放置于原子层沉积系统反应腔内；用原子层沉积方法沉积1nm厚的Al2O3界面层；之后，继续沉积一定厚度的高K薄膜；在沉积的高K薄膜之上继续沉积0.5nm厚的Al2O3界面层；而后，继续沉积一层高K薄膜。
一种金属氧化物介质及其制备方法

[发明专利]OLED器件透明阴极及其制作方法-CN202011523819.8在审
发明人：刘腾飞;杨建兵;彭劲松;白羽;秦昌兵 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种OLED器件透明阴极及其制作方法，包括：采用原子层沉积方法在OLED器件表面直接沉积透明导电的阴极薄膜；所述原子层沉积方法制备时采用二乙基锌作为锌源材料，三甲基铝作为铝源原料以及双氧水作为氧源原料。有效避免了现有技术中的制备方法在OLED的透明阴极层领域存在工艺匹配度差或薄膜损伤的缺陷。
oled 器件透明阴极及其制作方法

[发明专利]一种用于原子层沉积设备的气体分配器-CN201210002317.X有效
发明人：张艳清;夏洋;李超波;万军;吕树玲;陈波;石莎莉;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种用于原子层沉积设备的气体分配器。所述用于原子层沉积设备的气体分配器，所述气体分配器设置在原子层沉积设备的反应腔室内，位于所述反应腔室内基片台的上方；所述气体分配器为环型或U型的气路管道，所述气路管道上设有一个进气口和若干个出气口；所述进气口与所述反应腔室的进气管道相连通本发明具备结构简单，易于加工，成本低廉的优点，在满足ALD沉积方式的同时，能够实现前躯体完整地覆盖样品表面，可以很好地提高薄膜均匀性。
一种用于原子沉积设备气体分配器

[发明专利]一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法-CN201110310015.4有效
发明人：王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种防回流的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；气路部件包括第一管道和第二管道，第一管道和第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道与沉积室相连；第一管道和第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，反应气体源瓶设置在第一管道和第二管道上靠近沉积室的一端。本发明还提供一种防回流的原子层沉积设备的使用方法。本发明提高了原子层沉积设备化学试剂的利用率，降低残留试剂对气体试剂的污染，减少了流量偏移，有效避免了气体回流现象，同时减少清理气体停留时间和化学试剂的去除时间，降低沉积反应周期时间。
一种回流原子沉积设备及其使用方法

[发明专利]用于半导体处理的基于硅的沉积-CN201880025529.5在审
发明人：汤姆·A·坎普;米尔扎菲尔·K·阿巴特切夫 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，其中，所述多个循环中的每个循环包括提供硅前体沉积阶段，其包括：使原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积，以及使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及提供氧沉积阶段，其包括：使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止蚀刻所述氧化硅层的一部分。从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。
蚀刻室原子层沉积前体臭氧气体堆叠件等离子体图案化掩模碳基沉积沉积氧化硅层蚀刻原子层沉积沉积阶段前体气体氧化硅层硅前体氧沉积去除流动