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[实用新型]可均匀进气的原子层沉积装置-CN202320953263.9有效
发明人：张义颖;张良;雍晓龙;何奇 -专利权人：披刻半导体（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供可均匀进气的原子层沉积装置，涉及原子层沉积技术领域。该可均匀进气的原子层沉积装置转动轴转动带动转动板转动，此时可以使通过进气筒进入到真空反应腔内部的反应气体与真空反应腔内部微粒进行充分的均匀地接触混合，使反应气体布满在真空反应腔内部的各个区域，以此在微粒表面形成一层均匀的薄膜该可均匀进气的原子层沉积装置包括支撑板，所述支撑板顶部设置有转动杆，所述转动杆一侧固定连接有反应槽，所述反应槽内部设置有真空反应腔，所述反应槽内部固定连接有齿圈，所述齿圈内部啮合连接有多个齿轮。
均匀原子沉积装置

[发明专利]石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列-CN202011391307.0有效
发明人：夏玉明;卓恩宗;张勇;叶利丹 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及应用该石墨烯碳纳米管复合膜的薄膜晶体管阵列，其中，制备方法包括以下步骤：采用原子层沉积法在基底表面沉积金属催化层；采用原子层沉积法在所述金属催化层的表面沉积碳纳米管纳米膜，且所述金属催化层部分显露于所述碳纳米管纳米膜的表面；采用原子层沉积法在所述碳纳米管纳米膜的表面沉积石墨烯纳米膜，并采用催化层去除剂去除所述金属催化层，清洗，得到石墨烯碳纳米管复合膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯碳纳米管复合膜具有好的导电性能，可以替代传统氧化铟锡材料并广泛应用于薄膜晶体管。
石墨纳米复合及其制备方法以及薄膜晶体管阵列

[发明专利]一种原位原子层沉积扫描电子显微镜-CN202010823490.0在审
发明人：张跃飞;屠金磊;张泽 -专利权人：浙江祺跃科技有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01J37/28 文献下载
摘要：本发明公开一种原位原子层沉积扫描电子显微镜，涉及原位测试领域，包括机架，所述机架上设置有电镜腔室，所述电镜腔室一侧设置有开口，所述电镜腔室一侧的开口端固定连接有密封阀，所述密封阀远离所述电镜腔室的一侧固定安装有原子层沉积室，所述原子层沉积室远离所述密封阀的一侧固定安装有水平设置的磁力杆，所述磁力杆内活动穿设有磁力杆轴，所述磁力杆轴端部能够水平运动于原子层沉积室或电镜腔室内；所述电镜腔室顶部密封安装有电子枪，所述电镜腔室底部密封连接有分子泵本发明能够进行原位原子层沉积的测试，且能对原子层沉积薄膜后材料的微观形貌全程动态监测。
一种原位原子沉积扫描电子显微镜

[发明专利]原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法-CN202111590788.2在审
发明人：周向前 -专利权人：周向前
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积反应气体的制备机构及其制备方法，制备机构包括：反应源、载气源和反应气体罐，所述反应源内可操作地储有原子层沉积反应液；所述载气源通过载气管道与所述反应源连通，所述载气管道可操作地插入所述反应液内本发明提供了一种原子层沉积反应气体的制备机构，该机构包括：反应源和反应气体罐，反应源内的反应气体被载气携带进入反应气体罐内，反应气体和载气在反应气体罐内被密封。当小型实验室需要对原子层沉积反应进行实验时，可以仅仅购买一罐反应气体罐，将反应气体罐接入原子层沉积反应室上，就能够进行原子层沉积实验。
原子沉积反应气体制备机构及其方法

[发明专利]一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置-CN201310636874.1有效
发明人：陈蓉;何文杰;褚波;高玉乐;单斌;文艳伟 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：发明公开了一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置。用于制作原子层沉积膜的喷头，包括进气管路、进气口和出气口；所述进气口内部为空腔；所述出气口内部形成空腔，分为上半部分和下半部分，其上半部分与下半部分之间设有漏斗形结构；进气管路与进气口固定连接，进气口与出气口可拆卸密闭连接用于制作原子层沉积膜的装置，包括所述喷头、腔体支撑架、基片承载台和运动平台，腔体支撑架中间形成长条状镂空，可顺序设置多个可拆卸喷头，基片承载台设置在墙体支撑架下方，运动平台带动基片承载台。本发明能适应不同的原子层沉积反应，通过气体隔离原子层沉积法，高效快速的制作原子层沉积膜。
一种用于制作原子沉积可拆卸喷头装置

[发明专利]一种大面积二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法-CN201710848484.9有效
发明人：杨培志;赵恒利;杨雯;杨启鸣;张志恒 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备大面积二硫化钼薄膜的沉积方法，该方法的特征是采用六羰基钼（Mo(CO)₆）、二硫化二甲基（C₂H₆S₂）作为钼和硫的前躯体源进行原子层沉积（ALD），采用常规原子层沉积设备，通过优化反应参数，得到大面积的二硫化钼薄膜材料。基于原子层沉积技术的优越性，此方法制备的薄膜具有面积大、致密性好、性能优异、沉积速度稳定、厚度可控等特点，可以改善薄膜质量，进一步增强和拓展二硫化钼薄膜的应用。
一种大面积二硫化钼薄膜原子沉积制备方法

[发明专利]一种封装薄膜制备方法及有机电子器件-CN201810812195.8在审
发明人：刘键 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及有机电子薄膜封装技术领域，尤其涉及一种封装薄膜制备方法及有机电子器件，其中，该封装薄膜制备方法包括在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，然后，在无机氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生长修复薄膜层，基于该原子层沉积法的保形生长，通过该修复薄膜层填补无机氧化物薄膜层的针孔缺陷部位，同时该修复薄膜层不用沉积较厚层，提高了沉积效率，提高了被封装器件的性能。
无机氧化物薄膜薄膜层原子层沉积法被封装器件封装薄膜修复制备薄膜封装技术有机电子器件表面生长沉积效率有机电子针孔缺陷生长保形厚层沉积填补

[发明专利]一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法-CN201710255160.4有效
发明人：丁玉强;杜树雷;杜立永 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，属于半导体制备技术领域。本发明采用了具有式I结构的Ge源和具有式Ⅱ结构的Te源，将其应用在热原子层沉积技术(T‑ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的GeTe沉积层。并且，采用本发明中的方法制得的沉积态GeTe合金薄膜的电阻更高即纯度更高。本发明制得的GeTe合金薄膜的电阻在1.4～4*10⁵Ω·cm，薄膜的均方根粗糙度在0.7nm。
一种原子沉积技术生长 gete 合金薄膜方法

[发明专利]一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺-CN201510656987.7在审
发明人：苏冠创;黄升晖 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺，包括以下步骤先将碳化硅表面清洗干净，在沉积介质层前，要将碳化硅表面的氧原子去掉，剩下以硅原子为主的表面，用原子层沉积法或分子束外延法在碳化硅的表面沉积一层氮化硅(SiN)，跟着再用原子层沉积法或分子束外延法沉积一层硅，然后用CVD法沉积一层多晶硅或非晶态硅，接着用热氧化法把SiN层之上的硅全部氧化掉，这氧化层与氮化硅层共同组成栅极介质层，在形成氧化层后，可以进行各种高温退火如氢退火
一种碳化硅半导体器件栅极介质制造工艺

[发明专利]一种无机-有机杂化纳孔薄膜阻变存储器及其制备方法-CN202310066764.X在审
发明人：李爱东;孙松;雷锦;刘畅;吴迪 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，属于半导体微电子器件领域，本发明的阻变存储器结构从下往上依次为衬底、活性电极、阻变功能层、惰性电极；所述阻变功能层为无机‑有机杂化纳米多孔薄膜材料本发明利用分子层沉积和原子层沉积技术来制备具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。
一种无机有机杂化纳孔薄膜存储器及其制备方法

[发明专利]一种用于原子层薄膜沉积的反应装置及方法-CN201410117716.X有效
发明人：潘龙;刘东;彭文芳;常青 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种用于原子层薄膜沉积的反应装置及方法，属太阳能电池制造装配和加工技术领域，包括依次连接的反应沉积腔、反应排空腔和真空系统；所述反应沉积腔内包括硅片承载单元、加热单元、前驱物进料单元、吹扫气体进气单元；本发明通过将至少两种气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应，从而形成沉积膜。本发明有效弥补了现有反应装置中产能低、气态反应前驱物在硅片表面分布不均、硅片表面存在温度梯度及气态反应前驱物无法排空等缺陷，大幅提升原子层薄膜沉积装置的硅片产能和沉积速率并有效提高原子层薄膜的沉积质量。
一种用于原子薄膜沉积反应装置方法

[实用新型]用于原子层薄膜沉积的反应装置-CN201420141763.3有效
发明人：潘龙;刘东;彭文芳;常青 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于原子层薄膜沉积的反应装置，属太阳能电池制造装配和加工技术领域，包括依次连接的反应沉积腔、反应排空腔和真空系统；所述反应沉积腔内包括硅片承载单元、加热单元、前驱物进料单元、吹扫气体进气单元；本实用新型通过将至少两种气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应，从而形成沉积膜。本实用新型有效弥补了现有反应装置中产能低、气态反应前驱物在硅片表面分布不均、硅片表面存在温度梯度及气态反应前驱物无法排空等缺陷，大幅提升原子层薄膜沉积装置的硅片产能和沉积速率并有效提高原子层薄膜的沉积质量
用于原子薄膜沉积反应装置

[发明专利]一种原子层沉积薄膜原位监测控制系统-CN201710710946.0在审
发明人：刘磊;杨俊杰;黄亚洲;吕俊;陈云飞;倪中华 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开一种原子层沉积薄膜原位监测控制系统，其包括原子层沉积设备、分别用于实时监测原子层沉积薄膜的表面轮廓和薄膜沉积厚度的白光干涉三维轮廓检测装置及石英晶体微天平、以及控制模块，该控制模块与原子层沉积设备、白光干涉三维轮廓检测装置、石英晶体微天平分别连接，用于接收、观测、分析实时的薄膜表面轮廓信息和薄膜厚度信息、并根据该信息控制原子层沉积过程。该监测控制系统通过对薄膜沉积过程进行原位监测，不仅可实时在线监控涂层厚度和薄膜表面三维轮廓，还能及时显示薄膜涂层厚度的动态变化过程和薄膜表面的三维形貌轮廓图像等信息，从而帮助提高薄膜涂层沉积的精度，改善薄膜产品的质量
一种原子沉积薄膜原位监测控制系统

[实用新型]一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体-CN202020281180.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：江苏迈纳德微纳技术有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及原子层沉积反应设备技术领域，且公开了一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体，包括腔体底座和腔体盖，所述腔体底座的内侧安装有环壁隔热层，所述腔体底座腔体端口内侧底部安装有水冷盖板，所述腔体底座的两侧对称安装有伸缩气弹簧该电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体，通过电容耦合，激发反应气体活化，使反应气体具有更好的反应活性，从而提高原子层沉积过程中的反应效率，降低沉积温度，提高薄膜的沉积质量有效的增加了设备水平压力稳定性，外腔体筒的内侧台阶式设计
一种电容耦合等离子体原子沉积反应

[发明专利]一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法-CN201010561021.2有效
发明人：刘键;饶志鹏;夏洋;石莎莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C23C16/36 文献下载
摘要：本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述卤代反应停止后，再通入氨气继续进行胺化反应，所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代；所述胺化反应结束后，硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳薄膜的生长，且制得的氮化碳薄膜结构完整。
一种立方氮化薄膜制备方法