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[发明专利]一种有机共晶增益材料及其制备方法和在激光性能中的应用-CN201811192070.6有效
发明人：赵永生;褚曼曼;李勇军 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C07D213/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机共晶增益材料及其制备方法和在激光性能中的应用，所述有机共晶增益材料的分子间相互作用的不同导致他们组装成特定的微纳结构(例如微米片、微米环)；所述具有特定微纳结构的有机共晶增益材料可作为高质量的光学谐振腔体，为共晶的受激辐射提供光学反馈和模式选择；所述有机共晶增益材料的卤键间的相互作用，仅仅带来了微弱的电荷转移，从而在共晶中保留了有利的四能级结构以实现最终的激光辐射；同时，改变卤键给体可调控所述有机共晶增益材料的分子间相互作用，进而改变组装结构和能级结构，最终实现对共晶激光性质的调控。在所述材料中首次实现了共晶的光泵浦激光辐射，并且通过改变卤键给体调节激光性质。
一种有机增益材料及其制备方法激光性能中的应用

[发明专利]卤键共晶材料及其制备方法和应用-CN202011287033.0在审
发明人：朱伟钢;孙玲杰;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C07C25/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种卤键共晶材料及其制备方法和应用，制备方法包括：将第一组分材料和第二组分材料溶解在有机溶剂中，得到混合溶液，将所述混合溶液滴在基片上，避光静置10～60min，以使所述有机溶剂挥发，得到卤键共晶材料，本发明采用简易、时间周期短、成本低的溶剂挥发方法，得到了摩尔比为2:1或1:1的多种卤键共晶材料，生长制备过程的产率全部为100％。
卤键共晶材料及其制备方法应用

[发明专利]一种二维共晶有机单晶微米晶体、制备方法及其应用-CN201810769121.0有效
发明人：廖良生;卓明鹏;王雪东 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C30B29/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维共晶有机单晶微米晶体、制备方法及其应用，制备步骤如下：卤键给体分子选择含吡啶氮的寡聚苯乙烯基有机分子，卤键受体分子选择碘苯有机分子；将卤键给受体分子，加入良有机溶剂并超声数分钟，制得卤键给受体分子有机溶剂储备溶液；在室温下将卤键给受体分子有机溶剂储备溶液加入到不良有机溶剂中摇匀，然后滴在基底上，有机溶剂挥发干后获得二维有机共晶微纳米结构材料。二维共晶有机单晶微米晶体可应该用于制备多通道输入与输出的光学逻辑器件。
一种二维有机微米晶体制备方法及其应用

[发明专利]盐酸小檗碱与乳酸共晶、其制备方法和应用-CN201811325235.2有效
发明人：刘书妤;卢琪 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C07D455/03 文献下载
摘要：本发明属于药物共晶领域，具体涉及盐酸小檗碱与乳酸共晶、其制备方法和应用。本发明采用干磨法、加液辅助研磨法或者混悬法制得的盐酸小檗碱与乳酸共晶，一分子盐酸小檗碱、一分子乳酸和一分子水通过卤键、氢键形成盐酸小檗碱与乳酸共晶的基本结构单元，在盐酸小檗碱分子与乳酸分子间、盐酸小檗碱分子与水分子间分别形成卤键本发明制备的盐酸小檗碱与乳酸共晶，可降低盐酸小檗碱的吸湿性，改善盐酸小檗碱的溶解度和溶出度，提高其生物利用度；改善盐酸小檗碱的制药和医疗应用。
盐酸小檗碱乳酸制备方法应用

[实用新型]一种室温晶圆共晶键合的硬件配置及模块和系统-CN201921190587.1有效
发明人：卫克拉玛那雅卡苏尼尔 -专利权人：爱莱私人有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种室温晶圆共晶键合的硬件配置及模块和系统，所述的室温晶圆共晶键合的硬件配置包括一个上晶圆，其下表面具有第一半金属膜；一个下晶圆，其上表面具有第二金属膜；以及一个压板，配置在上述上晶圆的上表面之上；其中，上述第一半金属膜和上述压板对红外光透明；上述第一半金属膜和上述第二金属膜通过共晶键合形成共晶金属。所述的室温晶圆共晶键合的模块采用所述的室温晶圆共晶键合的硬件配置，所述的室温晶圆共晶键合的系统采用所述的室温晶圆共晶键合的模块。
一种室温晶圆共晶键合硬件配置模块系统

[发明专利]晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构-CN201510428072.0在审
发明人：徐伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构，所述方法包括提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括切割道和有效器件单元；在第一晶圆待键合面的有效器件单元内形成至少一个第一键合结构，在第二晶圆待键合面上形成与第一键合结构相对应的第二键合结构；在第一晶圆待键合面的切割道内形成支撑层；使所述第一键合结构和第二键合结构相对设置，实现第一晶圆和第二晶圆的共晶键合；最后通过晶圆背面减薄、Al/Cu再布线和Ball Drop技术以形成晶圆级键合封装结构在共晶键合过程中，共晶键合产生的压力抵消作用于所述支撑层，所述支撑层在保护第一键合结构和第二键合结构的键合材料的同时阻止所述键合材料向外流动溢出，进而避免了晶圆的短路问题。
晶圆级键合封装方法以及共晶键合结构

[发明专利]一种高精度共晶键合设备-CN201911392998.3在审
发明人：朱树存 -专利权人：嘉兴景焱智能装备技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及光通讯领域基板上芯片共晶键合技术领域，一种高精度共晶键合设备，包括设备基座，所述设备基座上端设有物料区和键合区；所述物料区包括一可在XYZ轴方向进行移动的拾取头单元，所述键合区包括共用导轨、光栅尺且相互独立控制的前芯片键合臂和后芯片键合臂，所述键合区还包括设置于所述上料台右侧且可在X轴方向移动的前共晶加热台和后共晶加热台，所述前共晶加热台和后共晶加热台之间设有可在X轴方向移动的芯片中继台，所述芯片中继台的前侧还设有芯片倒装翻面头。本发明采用双键合头的新型高精度光通讯共晶键合机的布局方案，以满足正装及倒装共晶键合的高精度要求，并通过并行双头方案实现设备产率的极大提高。
一种高精度共晶键合设备

[实用新型]一种高精度共晶键合设备-CN201922433688.3有效
发明人：朱树存 -专利权人：嘉兴景焱智能装备技术有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及光通讯领域基板上芯片共晶键合技术领域，一种高精度共晶键合设备，包括设备基座，所述设备基座上端设有物料区和键合区；所述物料区包括一可在XYZ轴方向进行移动的拾取头单元，所述键合区包括共用导轨、光栅尺且相互独立控制的前芯片键合臂和后芯片键合臂，所述键合区还包括设置于所述上料台右侧且可在X轴方向移动的前共晶加热台和后共晶加热台，所述前共晶加热台和后共晶加热台之间设有可在X轴方向移动的芯片中继台本实用新型采用双键合头的新型高精度光通讯共晶键合机的布局方案，以满足正装及倒装共晶键合的高精度要求，并通过并行双头方案实现设备产率的极大提高。
一种高精度共晶键合设备

[发明专利]一种用于圆片级封装的共晶键合材料系结构-CN201310611479.8在审
发明人：焦斌斌 -专利权人：江苏艾特曼电子科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公布了一种用于圆片级封装的共晶键合材料系结构，其特征在于：该结构包括第一衬底、第二衬底、第一键合材料和第二键合材料；所述的第一与第二衬底以及第一与第二键合材料分别由三种可形成三元共晶合金的材料构成；键合之前第一键合材料附着于第一衬底，第二键合材料附着于第二衬底。本发明提供的用于圆片级气密封装的共晶键合材料系结构，共晶反应不仅发生在衬底表面的键合材料之间，同时发生在衬底与键合材料之间，可避免以共晶合金层为中间介质的传统圆片级共晶键合技术中因衬底与共晶合金层的粘附力低导致的键合失效与可靠性不佳等问题
一种用于圆片级封装共晶键合材料结构

[发明专利]一种共晶键合结构及共晶键合方法-CN201810092061.3有效
发明人：丁刘胜;王诗男;游家杰;李盈 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种共晶键合结构和共晶键合方法，该共晶键合方法包括：在第一基片形成由第一材料形成的连同的第一主键合图形和第一补充键合图形；在第二基片形成由第二材料形成的连同的第二主键合图形和第二补充键合图形，第一材料不同于第二材料；将第一基片和第二基片加热至第一预定温度，并施加预定压力，使第一主键合图形和第二主键合图形、第一补充键合图形和第二补充键合图形共晶熔化；将第一基片和第二基片降温至第二预定温度，其中，第一补充键合图形和第二补充键合图形的共晶熔化温度低于第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度，第一主键合图形和第二主键合图形的共晶熔化温度低于第一预定温度。根据本申请，能提高共晶键合的质量。
一种共晶键合结构方法

[发明专利]基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件及其制造方法-CN201910430625.4有效
发明人：孙登强;房旷;张志铭;蒋小华;尹强;喻青霞 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F42C19/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件，包括炮筒、飞片、爆炸箔组件及电缆，在炮筒上表面设有加速膛孔，在炮筒下表面设有第一共晶键合焊盘及飞片装填腔，且飞片装填腔与加速膛孔相连通；爆炸箔组件包括陶瓷基片，在陶瓷基片上表面设有爆炸箔及与第一共晶键合焊盘相对应的第二共晶键合焊盘，且在陶瓷基片上开设有贯穿陶瓷基片及爆炸箔的阵列过孔；飞片安装于炮筒的飞片装填腔内，炮筒与爆炸箔组件通过第一共晶键合焊盘与第二共晶键合焊盘的共晶键合而集成在一起本发明的冲击片组件通过共晶键合工艺将陶瓷基片与带飞片装填腔的炮筒集成在一起，具备可靠性好、集成度高可批量化制造的特点。
基于共晶键合工艺集成冲击组件及其制造方法

[发明专利]一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法-CN201510580189.0有效
发明人：梅绍宁;张国民;陈俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合方法，特别涉及一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法。本发明的键合方法通过电镀低熔点铜共晶金属微凸点，并在晶圆键合之后采用高于所述铜共晶金属微凸点熔点的温度退火，使所述铜共晶金属微凸点熔化和并与上下晶圆的金属导体融合形成一个整体的金属层，同时上下晶圆的绝缘层也进行了键合，不仅可以降低Cu‑Cu金属直接键合时对于铜线密度和表面形貌的要求，简化了铜‑铜直接键合工艺，提高了生产效率，而且提高了晶圆键合强度，保证了所制备的半导体产品的良率和稳定性。
一种基于熔点铜共晶金属混合方法

[实用新型]基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件-CN201920742020.4有效
发明人：孙登强;房旷;张志铭;蒋小华;尹强;喻青霞 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： F42C19/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件，包括炮筒、飞片、爆炸箔组件及电缆，在炮筒上表面设有加速膛孔，在炮筒下表面设有第一共晶键合焊盘及飞片装填腔，且飞片装填腔与加速膛孔相连通；爆炸箔组件包括陶瓷基片，在陶瓷基片上表面设有爆炸箔及与第一共晶键合焊盘相对应的第二共晶键合焊盘，且在陶瓷基片上开设有贯穿陶瓷基片及爆炸箔的阵列过孔；飞片安装于炮筒的飞片装填腔内，炮筒与爆炸箔组件通过第一共晶键合焊盘与第二共晶键合焊盘的共晶键合而集成在一起本实用新型的冲击片组件通过共晶键合工艺将陶瓷基片与带飞片装填腔的炮筒集成在一起，具备可靠性好、集成度高可批量化制造的特点。
共晶键合陶瓷基片飞片炮筒焊盘装填腔箔组件爆炸本实用新型片组件上表面下表面膛孔电缆焊接集成度集成式批量化电缆贯穿制造

[发明专利]用于晶圆级封装的共晶键合方法-CN202111283841.4在审
发明人：彭鑫林;季宇成;郭松;冯刘昊东;陈朔;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括步骤：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一叠层，所述第一叠层包括含有第一金属的层和含有第二金属的层，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二叠层，所述第二叠层包括设置于其表层的含有所述第一金属的层；以及使所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层，其中所述第一金属与所述第二金属的质量分数之比为两者在共晶点处的质量比本发明可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可以提高键合结构的质量，有利于实现键合工艺和结果的可控性。
用于晶圆级封装共晶键合方法

[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构-CN201510011875.6在审
发明人：施林波;陈福成;刘尧;徐伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆、第二晶圆的第一金属垫、第二金属垫中的一个或两个上，形成共晶连接结构；对第一晶圆、第二晶圆进行键合工艺，使第一金属垫、第二金属垫分别与共晶连接结构发生共晶反应。采用共晶反应的键合工艺，第一金属垫和第二金属垫相互连接的效果更好。在键合工艺对第一金属垫和第二金属垫表面平整度要求不高，无需进行平坦化工艺，降低了晶圆边缘位置处的第一金属垫和第二金属垫产生接触不良的风险。共晶反应无需高温退火，对晶圆中半导体器件的影响较小。
晶圆键合方法以及结构

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