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[发明专利]具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187181.6有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。
具有隔离薄膜制备方法谐振器

[发明专利]具有缓冲层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187199.6有效
发明人：帅垚;吴传贵;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；具有缓冲层的单晶薄膜制备方法包括在单晶晶圆表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成劈裂层；在注入有高能量离子的单晶晶圆表面依次制备键合层和缓冲层，或者在单晶晶圆表面依次制备缓冲层和键合层，将涂覆有键合层和缓冲层的单晶晶圆与衬底结合，键合及单晶晶圆劈裂处理，制备得到具有缓冲层的单晶薄膜。本发明提供的具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过缓冲层设计，隔离键合层产生的气泡或使得键合过程中的气泡向衬底方向移动，远离单晶晶圆，制备得到的高质量的单晶薄膜，制备得到的单晶薄膜表面无气泡
具有缓冲薄膜制备方法谐振器

[发明专利]基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜-CN201810942371.X有效
发明人：欧欣;张师斌;周鸿燕;黄凯;王成立;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜，制备包括：提供第一单晶衬底及第二单晶衬底，分别具有第一离子注入面及第二离子注入面；对第一单晶衬底进行第一离子注入，形成第一缺陷层，对第二单晶衬底进行第二离子注入，形成第二缺陷层；将第一离子注入面与第二离子注入面进行键合；沿第一缺陷层剥离得到第一单晶薄膜层，沿第二缺陷层剥离得到第二单晶薄膜层，获得柔性单晶薄膜。本发明采用对称应力补偿技术，制备了由第一单晶薄膜层及第二单晶薄膜层构成的柔性单晶薄膜，避免了制备的薄膜卷曲、碎裂的问题；使得可以得到具备超薄、超轻、柔性且可以自支撑特性的薄膜；可以通过本发明的方案制备得到大面积的柔性单晶薄膜
基于应力补偿制备柔性薄膜方法

[发明专利]利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法-CN201210100958.9有效
发明人：李忠辉;彭大青;李亮;董逊;倪金玉;张东国 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法，单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层；高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层；低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：单晶硅衬底上制备高V/III比氮化铝缓冲层；在高V/III比氮化铝缓冲层上制备低V/III比氮化铝缓冲层；降至室温取出；在低V/III比氮化铝缓冲层上制备SiC单晶薄膜；在SiC单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜优点：高、低V/III比AlN缓冲层结合有助于缓冲应力；通过AlN缓冲层易制宽禁带单晶薄膜；掺杂形成n或p型SiC单晶薄膜；大尺寸低成本。
利用缓冲制备宽禁带单晶薄膜方法

[发明专利]制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构和方法-CN201210100943.2有效
发明人：李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明是制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构及方法，其结构是单晶硅衬底上是低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上是高温氮化铝缓冲层；在高温氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：在单晶硅衬底上制备低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上制备高温氮化铝缓冲层；降至室温取出；在高温氮化铝缓冲层上制备碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜；降至室温取出。优点：通过AlN缓冲层容易制备高质量六方相碳化硅单晶薄膜；低、高温AlN多缓冲层结合使用有助于降低宽禁带单晶薄膜的应力；碳化硅单晶薄膜可通过掺杂形成n或p型；结构简单、工艺可控；表面形貌好；大尺寸低成本
制备尺寸宽禁带单晶薄膜结构方法

[发明专利]一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法-CN202010644724.5有效
发明人：欧欣;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L41/332 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，包括：获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层和压电单晶薄膜层；对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压电单晶薄膜层表面形成有腐蚀层；对所述第一产物进行抛光处理得到第二产物。经过腐蚀处理的压电单晶薄膜表面会形成一定厚度的均匀腐蚀层，然后通过低背压的化学机械抛光即可将腐蚀层除去，实现压电单晶薄膜表面的优化。本申请实施例所述的表面优化方法可以提高异质集成压电单晶薄膜衬底的表面平整度和薄膜近表面区域的晶格质量，同时，又能保证压电单晶薄膜厚度的均匀性。
一种集成压电薄膜衬底表面优化方法

[发明专利]具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器-CN201910187206.2有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器；步骤：从单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入单晶晶圆内部形成损伤层，将单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的单晶晶圆；在单晶薄膜层下表面依次制备图形化的下电极、图形化的牺牲层、隔离层和键合层；将衬底与键合层叠放，做晶圆劈裂处理，剥离单晶薄膜层上端的上压电层，在单晶薄膜层的上表面制备上电极；在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到高质量的单晶薄膜体的空腔型体声波谐振器。
具有隔离薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]微米级单晶薄膜-CN201810890775.9有效
发明人：张秀全;朱厚彬;胡文;罗具廷;胡卉;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种微米级单晶薄膜。所述微米级单晶薄膜包括：衬底层；以及微米单晶薄膜层，位于衬底层上，其中，在衬底层与微米单晶薄膜层之间可以包括过渡层，所述过渡层可以包括与衬底层相邻设置的第一过渡层以及与微米单晶薄膜层相邻设置的第二过渡层，其中，过渡层可以包括H以及在对衬底层和微米单晶薄膜层进行等离子体键合时使用的至少一种等离子体气体的元素。
微米级单晶薄膜

[发明专利]一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用-CN201710743907.0有效
发明人：李国强;李洁;朱运农;张子辰;刘国荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明属于声波器件材料的技术领域，公开了一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用。所述低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上，并将外延AlN单晶薄膜层分隔成若干区域，使得AlN薄膜层覆盖部分衬底；所述外延AlN薄膜层上以及沟槽中设有应力补偿层所述低应力状态单晶AlN薄膜用于声波器件。本发明通过沟槽将单晶AlN薄膜分割成若干独立的区域和引入补偿层，提高了相关声波器件的品质因数和有效机电耦合系数；并且本发明的单晶AlN薄膜中，补偿层起到了温度系数调节作用，使最终器件的功率容量、稳定特性和可靠性都得到了提高
一种用于声波器件应力状态 aln 及其制备应用

[发明专利]一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器-CN202111249926.0有效
发明人：欧欣;石航宁;张师斌;游天桂;伊艾伦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；在超薄碳化硅单晶薄膜层上制作氮化铝薄膜，以使超薄碳化硅单晶薄膜层与氮化铝薄膜形成复合压电器件层；在复合压电器件层上制作上电极，上电极设置在氮化铝薄膜上。在支撑衬底上通过离子束剥离和键合的方法形成碳化硅单晶薄膜层，得到与AlN更匹配的SiC作为外延模板，大大提高了外延AlN薄膜的晶体质量，从而提高器件性能与可靠性。
一种氮化碳化硅复合声波谐振器制备方法

[发明专利]一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法-CN202010834451.0在审
发明人：尹志岗;张兴旺;吴金良 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法，包括：在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层，在氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜，在铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂，得到黑蜡薄膜保护层，将刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀氧化锌缓冲层，待氧化锌缓冲层腐蚀完毕，得到的具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜，将具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜转移到柔性薄膜衬底上，并使其在柔性薄膜衬底上静止干燥，使用有机溶剂清洗掉铁酸钴单晶薄膜上的黑蜡薄膜保护层，得到铁酸钴柔性单晶薄膜。本公开提供的制备方法具有过程简单、成本低、可控性强等优点，实现了铁酸钴单晶薄膜的柔性化，对发展基于铁酸钴的柔性功能器件具有重要意义。
一种铁酸钴柔性薄膜制备方法

[发明专利]制造单晶薄膜的方法以及由其制造的单晶薄膜器件-CN200480041710.3无效
发明人：野田优 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供制造单晶薄膜的方法以及由如上方法制得的器件，根据上述方法，单晶硅薄膜的剥离可良好进行，得到高纯度的单晶硅薄膜。准备单晶硅衬底(模板Si衬底)201，在这种单晶硅衬底201上，形成外延牺牲层202。然后，在这个牺牲层202上，用RVD方法快速外延生长单晶硅薄膜203，随后刻蚀掉牺牲层202，由此形成用作太阳能电池光生伏打层的单晶硅薄膜204。
制造薄膜方法以及器件

[发明专利]具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187180.1有效
发明人：罗文博;吴传贵;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；本发明的目的在于提供一种具有应力缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过在单晶薄膜层和键合层间设计应力缓冲层的设计以解决现有技术存在的由于键合层材料与晶圆在不采用相同类型材料时，在升温和降温过程中会由于两种材料热膨胀系数的不同而在单晶晶圆与键合层之间产生热失配应力，如果衬底材料种类也与晶圆材料不同，则会在薄膜上再次叠加应力，极易造成薄膜材料开裂技术问题。
具有应力缓冲薄膜制备方法谐振器

[发明专利]一种单晶薄膜体声波滤波器及其微细加工方法-CN201910393152.5有效
发明人：罗文博;吴传贵;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶薄膜体声波滤波器的微细加工方法，包括如下步骤：采用晶圆键合转移方法制备单晶压电薄膜材料，所述单晶压电薄膜材料包括自上而下依次设置的表面损伤层、表面粗糙层、频率调控层、压电层，去除所述表面损伤层，去除所述表面粗糙层，调节所述频率调控层的厚度，即可。本发明所述的单晶薄膜体声波滤波器的微细加工方法，实现了对单晶压电薄膜结构的厚度以及表面形貌的精准控制，从而使得在提高单晶压电薄膜的结构与压电性能的同时，也实现对单晶薄膜体声波滤波器频率的精确控制，最终实现对薄膜体声波滤波器的中心频率的精准调频
一种薄膜声波滤波器及其微细加工方法

[发明专利]图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器-CN201911138581.4有效
发明人：罗文博;简珂;吴传贵;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种图形化单晶薄膜制备方法、图形化单晶薄膜及谐振器；包括如下步骤：从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，形成损伤层，得到损伤的压电单晶晶圆；在损伤的压电单晶晶圆的下表面对单晶薄膜层进行图形化处理；再制备图形化的键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合固化处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，制备得到具有图形化的单晶薄膜。通过图形化单晶薄膜制备方法以解决现有技术中存在的整片晶圆的键合剥离时，键合压力不易控制，且应力堆积过大，容易损伤器件需要的单晶薄膜区域的技术问题。
图形化单晶薄膜制备方法谐振器

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