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[发明专利]碳纳米管气敏传感器及其制备方法-CN201010563089.4无效
发明人：张珽;刘瑞;费跃;丁海燕;王学文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管气敏传感器及其制备方法。该传感器具有场效应晶体管的结构，包括氧化硅层、单晶硅层以及表面吸附有功能化材料的碳纳米管，氧化硅层叠设在单晶硅层上，氧化硅层上端面上设置平行排列的源极和漏极，单晶硅层下端面上设置栅极，碳纳米管两端分别与源极和漏极相连接其制备方法为：制备单晶硅层和氧化硅层；在氧化硅层上端生成源极和漏极；在碳纳米管表面吸附功能化材料形成功能化碳纳米管；将功能化碳纳米管分散于溶剂中形成溶液，再将该溶液打印在源极和漏极之间；在单晶硅层底端制备出栅极
纳米管气敏传感器及其制备方法

[发明专利]单晶有机聚合物微/纳米颗粒及其等离子体快速聚合结晶成形方法-CN200410025070.9无效
发明人：郭颖;方忻生;周荣铭;徐金洲;张菁 -专利权人：东华大学
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C08F2/52 文献下载
摘要：本发明提供一种适合各类共扼、非共扼有机聚合物单晶微/纳米颗粒成形的等离子体快速聚合结晶成形方法。通过常温常压介质阻挡放电，将聚合物的单体裂解为活性粒子，再取向排列聚合，数十秒内就在各类基体材料表面直接快速合成含大量单晶聚合物微/纳米颗粒的沉积膜。这些微/纳米颗粒表现出完整单晶结构，可在基体材料表面部分定向排列，长径比变化范围可为5000∶1～1∶1，长度范围从毫米量级到纳米量级，外径为1000～20纳米，壁厚为900～10纳米，聚合物分子量1000
有机聚合物纳米颗粒及其等离子体快速聚合结晶成形方法

[发明专利]一种催化正己烷加氢异构化的工艺-CN202210613764.2在审
发明人：万辉;管国锋;王振生;王磊 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B01J29/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种催化正己烷加氢异构化工艺，将纳米单晶多级孔SAPO‑11分子筛催化剂装填至反应管中部，通过计量泵将原料正己烷引入装置，通入氢气，控制反应压力，实施加氢异构化反应；其中纳米单晶多级孔SAPO‑11分子筛催化剂以纳米单晶多级孔SAPO‑11分子筛为载体，镍为活性组分，并利用辉光等离子对金属活性组分还原。本发明制备的纳米单晶多级孔SAPO‑11分子筛介孔连通，比表面积较大，孔道长度较短，使得烯烃中间体的传质效率高。采用辉光等离子对过渡金属还原，增加过渡金属的分散度，提高催化剂活性。本发明以纳米单晶多级孔SAPO‑11分子筛为载体制备的催化剂活性较高，成本低，催化性能较佳。
一种催化己烷加氢异构化工艺

[发明专利]一种具有亮丽结构色的Cu2-CN202011481519.8有效
发明人：武素丽;毕佳捷;韩亚群 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C08L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有亮丽结构色的Cu2O单晶纳米粒子‑聚合物复合膜及其制备方法，属于新材料制备领域。该Cu2O单晶纳米粒子给聚合物膜着色过程大致可分为三步，首先在玻璃基质上喷涂尺寸均一的Cu2O单晶纳米粒子制备具有结构色的Cu2O膜，再用涂布机将聚合物溶液均匀涂布在带有玻璃基底的Cu2O膜表面，待聚合物溶液干燥后将其从玻璃基质上剥离，单晶Cu2O纳米粒子均被锁定在聚合物膜中，得到颜色鲜艳且具有一定透明度的Cu2O单晶纳米粒子‑聚合物复合结构色的膜。绿色环保、可回收的Cu2O单晶纳米粒子‑聚合物复合膜可实现大面积制备，有望应用在包装、显示、装饰等领域。
一种具有亮丽结构 cu base sub

[发明专利]一维纳米单晶管状碳化硅及其制备方法与应用-CN200910038759.8无效
发明人：王成新;崔浩;孙勇;杨功政 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C30B29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种触媒和模板含量为零的一维纳米单晶管状碳化硅及其制备方法与应用。本发明首次在没有使用任何的触媒和模板情况下，通过简单的气-固反应制备出了布满衬底的一维纳米单晶管状碳化硅。本发明所述的一维纳米单晶管状碳化硅不含触媒和模板，长度为1～10微米，外径尺寸为40～100纳米，中空的内径尺寸为5～30纳米，且在头部具有1～3度的轻微锥度，以及具有开口和闭口的两种形貌。而且，本发明提供的一维纳米单晶管状碳化硅具有优良的光致发光和场致电子发射特性，能够应用于发光器件和平板显示器件中。本发明简单易行，耗时少，产量高，成本低廉，适合工业集成化大批量的生产。
纳米管状碳化硅及其制备方法应用

[发明专利]从碲粉快速制备一维纳米结构单晶碲的方法-CN200410066072.2无效
发明人：朱俊杰;周泊 -专利权人：南京大学;南京师范大学
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： C30B7/06 文献下载
摘要：一种制备一维纳米结构单晶碲的方法，它是将Ag碲粉及(10～200)Ag碱加入(200～2000)A毫升溶剂中，在带有回流装置的反应器中加热至沸腾后保持1～3分钟，冷却，将所得黑色固体产物与溶液离心分离，用蒸馏水和乙醇依次洗涤，并将所得的沉淀物置于真空和室温下干燥，得到黑色粉末，即为一维纳米结构单晶碲。所得的产物为纯的六方相的碲纳米单晶。产物均为尺度均匀的一维纳米结构(纳米棒、带或线)，且随着制备条件的不同，产物尺寸可以在很大范围内进行调整：直径从(10～20)nm到(200～300)nm；长度从(500～600)nm到(8～10)μm本发明的制备一维纳米结构单晶碲的方法简单、原料易得、条件温和、简便快速。
快速制备纳米结构单晶碲方法

[实用新型]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池-CN201920262664.3有效
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本实用新型利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
纳米柱钙钛矿衬底周期阵列结构异质结透明导电薄膜本实用新型硅基异质结金属背电极太阳能电池表面设置轴向柱体载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法-CN201510030906.2有效
发明人：樊海明;余宝智;任兆玉 -专利权人：西北大学
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法，每个树枝状二氧化锰阵列单元在单晶二氧化锰方形纳米管主干的四个侧棱上生长有四列单晶二氧化锰方形纳米管枝干；枝干轴向与主干轴向之间的夹角范围为57°采用两步水热法合成；第一步水热法过程中采用单抛硅片作为基底来一次生长纳米阵列；第二步水热法过程中采用生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片作为基底来二次生长纳米阵列；在二次生长时将生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片抛光面向下放置；在二次生长时所述的生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片为三片；在二次生长时原料的浓度低于一次生长时原料的浓度。
一种二氧化锰树枝纳米阵列电极材料制备方法

[发明专利]用于光电应用的非单晶基板上的纳米线-CN200780018737.4无效
发明人： S·-Y·王;N·科贝亚施 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例是装置100，其可包括非单晶基板108和从非单晶基板108的表面生长的纳米线102。而且，装置100还可包括耦接至纳米线102的电极。注意的是，纳米线102可以是导电的和/或光学活性的。
用于光电应用非单晶基板上纳米

[实用新型]一种纳米声学器件振动激励系统-CN201920205818.5有效
发明人：张涛;姜峰;吴利娜;邓艳艳;李敏 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米声学器件振动激励系统，包括放置在承载台上的纳米声学器件、对纳米声学器件施加扰动的扰动施加机构和用于观察纳米声学器件波动状态的超高分辨率激光光谱仪，扰动施加机构为分子束发生器，纳米声学器件为单晶基底型纳米声学器件或多层膜型纳米声学器件，单晶基底型纳米声学器件包括由下至上依次设置的压电单晶基底和导波缓冲层一，多层膜型纳米声学器件包括由下至上依次设置的半导体基底、导波缓冲层二和压电薄膜。本实用新型利用扰动施加机构向纳米声学器件施加扰动，通过粒子之间的碰撞可使粒子产生位移，进而使粒子获得一个稳定的激励，使纳米声学器件产生振动，通过超高分辨率激光光谱仪观察纳米声学器件的波动状态。
声学器件扰动施加振动激励系统本实用新型超高分辨率激光光谱仪波动状态依次设置多层膜缓冲层基底型扰动单晶导波粒子半导体基底施加粒子产生压电薄膜压电单晶发生器分子束观察基底承载

[发明专利]一种柔性基底上钛酸铅/氧化锌复合纳米结构的制备方法-CN201410207459.9有效
发明人：韩高荣;姜姗;郑雪飞;王玮琦;任召辉;徐刚;肖珍;刘振亚;翁文剑;杜丕一;沈鸽;赵高凌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开的柔性基底上钛酸铅/氧化锌复合纳米结构的制备方法，步骤包括：采用水热法制得粉末状一维柱状结构钛酸铅单晶纳米纤维，加无水乙醇超声波振荡成悬浮液滴至硅片上，经干燥、退火，得到四方相钛酸铅单晶纳米纤维，将其从硅片上刮下并加入无水乙醇，滴至柔性基底上，在柔性基底上形成钛酸铅单晶纳米纤维膜；然后以醋酸锌为氧化锌种子溶液，硝酸锌水溶液、六次甲基四胺水溶液及柠檬酸钠水溶液的混合液为氧化锌生长液，在具有钛酸铅单晶纳米纤维膜的柔性基底上生长氧化锌，得到柔性基底上钛酸铅/氧化锌复合纳米结构。柔性基底上制得的钛酸铅/氧化锌复合纳米结构纯度高，分散性好。
一种柔性基底上钛酸铅氧化锌复合纳米结构制备方法

[发明专利]一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用-CN201210410863.7有效
发明人：金桥;江潮;祁琼;李德兴 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用，该方法包括1）利用介电材料和有机半导体材料依次在载网上形成介电层和有机半导体纳米薄膜，所述有机半导体纳米薄膜的厚度为0.8-8nm；2）在无水无氧条件下将步骤1）获得的产物进行退火，使所述有机半导体纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料；3）将步骤2）获得的产物置于透射电子显微镜下观察，并测量有机单晶纳米材料的尺寸、表面粗糙度和结晶性。本发明的方法在较低温度、常压条件下制备出纳米晶体，所得产物在载网上原位生成，无需晶体再转移步骤，在单晶形成过程中晶粒不会受到污染或损坏，可直接用于电镜观察和表征。本发明方法还特别有利于对纳米晶体形成过程中不同中间态的分析。
一种有机分子材料表征方法及其应用

[发明专利]一种具有(001)面暴露的单晶二氧化钛纳米颗粒及其制备方法和应用-CN202110219027.X有效
发明人：刘一鸣;张王刚;王剑;田入峰 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B7/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有(001)面暴露的单晶二氧化钛纳米颗粒及其制备方法和应用，涉及纳米功能材料技术领域。本发明提供的(001)面暴露的单晶二氧化钛纳米颗粒及其制备方法，包括以下步骤：采用醋酸将水溶性氟盐的乙二醇水溶液的pH值调节至3.0～5.4，得到酸性电解液；以钛片为阳极，以铂片为阴极，以所述酸性电解液为电解液，通入直流电进行阳极氧化反应，得到二氧化钛纳米管阵列；将所述二氧化钛纳米管阵列进行退火热处理，得到具有(001)面暴露的单晶二氧化钛纳米颗粒。本发明制备的具有(001)面暴露的单晶二氧化钛纳米颗粒与Ti片结合牢固，粒径小，反应活性高，能够作为正极材料和光催化材料使用；而且制备方法操作简单，安全环保。
一种具有 001 暴露单晶二氧化纳米颗粒及其制备方法应用

[发明专利]使用纳米结构模板制造单晶半导体材料-CN200880000298.9无效
发明人：王望南 -专利权人：雷诺根公司
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种制造单晶半导体材料的方法，其包括：提供模板材料；在所述模板材料之上制作掩模；使用所述掩模在所述模板材料中形成多个纳米结构；以及在纳米结构上生长单晶半导体材料。
使用纳米结构模板制造半导体材料

[发明专利]纳米级包覆提高类单晶正极材料性能的锂离子电池电极-CN202110662773.6在审
发明人：王浩;王欣全;卢瑶;温宇;步绍宁;刘晓雨;孙旭;杜萍;张永龙;徐昊 -专利权人：宁夏汉尧石墨烯储能材料科技有限公司;宁夏航汉石墨烯技术研究院（有限公司）
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池相关的技术领域，更具体地，本发明涉及纳米级包覆提高类单晶正极材料性能的锂离子电池电极。一种纳米级包覆提高类单晶正极材料性能的锂离子电池电极，所述电极的制备原料包括纳米级石墨烯包覆的类单晶形貌正极材料、导电剂、粘结剂、集流体。本发明采用类单晶正极材料表面覆盖有纳米级石墨烯，并控制其包覆量、包覆厚度，从而稳定材料结构，有利于所制备得到的电池材料的阻抗更小、45℃循环容量保持率更高、高倍率放电容量保持率更高，优化电池的综合性能。
纳米级包覆提高类单晶正极材料性能锂离子电池电极

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