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[发明专利]一种单晶炉热屏导流筒-CN202011162272.3在审
发明人：高德东;王珊;张西亚;高俊伟;宋生宏 -专利权人：青海大学;阳光能源（青海）有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及机械设备技术领域，具体涉及一种单晶炉热屏导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体包括外热屏和内热屏，外热屏和内热屏之间设有保温层结构，在内热屏空腔体内设置有冷却装置，该冷却装置的侧壁由钼制成形成隔热屏，隔热屏内侧沿壁体设置有螺旋冷却管，冷却管内设置有铜制的筒体；该导流筒用冷却装置增大纵向温度分布并把冷却装置与保温热屏分开，增强保温性能的同时形成保护气通道，使生产单晶更加稳定，降低了加热器消耗，增加了晶体的生长速度
一种单晶炉热屏导流

[实用新型]一种单晶炉热屏导流筒-CN202022421729.X有效
发明人：高德东;王珊;张西亚;高俊伟;宋生宏 -专利权人：青海大学;阳光能源（青海）有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及机械设备技术领域，具体涉及一种单晶炉热屏导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体包括外热屏和内热屏，外热屏和内热屏之间设有保温层结构，在内热屏空腔体内设置有冷却装置，该冷却装置的侧壁由钼制成形成隔热屏，隔热屏内侧沿壁体设置有螺旋冷却管，冷却管内设置有铜制的筒体；该导流筒用冷却装置增大纵向温度分布并把冷却装置与保温热屏分开，增强保温性能的同时形成保护气通道，使生产单晶更加稳定，降低了加热器消耗，增加了晶体的生长速度
一种单晶炉热屏导流

[实用新型]一种单晶炉停炉快速冷却热场装置及单晶炉-CN202220398472.7有效
发明人：龚小伦;关树军;张鹏;路建华;李飞剑;杨春祥 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅生产设备的技术领域，具体涉及一种单晶炉停炉快速冷却热场装置及单晶炉。一种单晶炉停炉快速冷却热场装置，包括可上下分离的上保温筒和中下保温筒，所述上保温筒与中下保温筒分离后形成中间缝隙，所述中间缝隙的缝距可调节。本实用新型利用上保温筒与中下保温筒之间的间隙大量辐射热场内部的热量，单晶炉内高温区的热量直接辐射到炉壁上，炉壁维持单晶生产低压环境，带走热场余热，形成横向温度梯度，停炉时吸收上保温筒与中下保温筒形成的缝隙间辐射出来的热量，加速热场快速冷却，利用炉壁的大的吸热面积，迅速冷却热场。利用此装置，可有效降低停炉时间，并提升单晶炉和热场使用效率。
一种单晶炉停炉快速冷却装置单晶炉

[实用新型]单晶炉-CN202023152873.4有效
发明人：黄旭光;苏立宁;刘彬国 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉制造领域，提供了一种单晶炉，包括导流筒、以及设置在导流筒内部的水冷热屏，该单晶炉还包括导热环，其中，导热环包括与水冷热屏同轴设置的导热环本体，该导热环本体与水冷热屏的内壁面连接，其底缘向下延伸至与导流筒底缘同一水平高度该单晶炉利用导热环间接延长水冷热屏，增大晶体的纵向温度梯度，进而使单晶硅快速生长。
单晶炉

[实用新型]一种热场悬挂装置和单晶炉-CN201922352102.0有效
发明人：贾祯;冉瑞应;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种热场悬挂装置和单晶炉，涉及太阳能光伏技术领域。其中，热场悬挂装置用于悬挂单晶炉内的热场，包括托架和至少两个第一连接件，托架设置在单晶炉的底部与热场之间，托架用于承载热场，第一连接件沿托架的周向间隔设置，第一连接件的第一端与托架连接，第一连接件的第二端向远离单晶炉底部的方向延伸，使托架与单晶炉的底部间隔预设距离。通过在单晶炉的底部与热场之间设置托架，在单晶硅的生产过程中，使底部保温层距单晶炉的底部具有一定距离，避免了底部保温层与单晶炉底部的直接接触，可以避免热场内的热量通过热传导的形式快速的向外散失，降低了热场内热量的损失
一种悬挂装置单晶炉

[发明专利]一种多工位定向凝固及单晶铸造炉-CN202110265183.X在审
发明人：赵京晨;程国华;吴文京 -专利权人：宁国市华成金研科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多工位定向凝固及单晶铸造炉，涉及单晶加工技术领域，包括铸造炉本体和熔化坩埚，所述铸造炉本体的内部安装有多孔隔热屏，且铸造炉本体内部靠近多孔隔热屏的下侧沿竖直方向滑动连接有结晶器，所述结晶器的上表面安装有若干个单晶模壳，若干个所述单晶模壳的顶端均安装有小漏斗，所述铸造炉本体靠近多孔隔热屏的上侧安装有大漏斗，所述熔化坩埚位于大漏斗的上侧。本发明中的多工位定向凝固及单晶铸造炉的核心部位铸型室石墨发热体下面的隔热屏为多孔隔热屏，可以实现一炉当多炉用，从而可以提高装置的生产效率，并且可以做到每个单晶铸型模壳单元的单晶生长的固液界面前沿温度梯度与只有一个单晶铸型模壳单元相似
一种多工位定向凝固铸造

[实用新型]一种单晶炉热屏真空清洁装置-CN202121309360.1有效
发明人：王振 -专利权人：华耀光电科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B08B5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉热屏真空清洁装置，包括抽真空箱体，其内部用于容放单晶炉热屏；真空泵，与所述抽真空箱体连通，用于对所述抽真空箱体内部抽真空；过滤罐，安装在所述抽真空箱体与所述真空泵之间，并且分别与所述抽真空箱体与所述真空泵连通使用时将待清洁的热屏放入抽真空箱体中，然后启动真空泵对箱体进行抽真空，当抽真空箱体内的压力由常压逐步减小到一定真空度时，热屏表面、缝隙及内部夹层里的杂质及氧化的挥发物就会被彻底吸出，然后被沉积在过滤罐中该清洁装置通过抽真空的方式，将热屏夹层内的杂质及氧化物彻底清理干净，使其不会对拉晶原料造成污染，从而降低首次投料拉晶的断线率，提高产能、节约成本。
一种单晶炉热屏真空清洁装置

[发明专利]热屏及单晶硅生长炉结构-CN201711365658.2在审
发明人：肖德元;汪燕 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种热屏及单晶硅生长炉结构，热屏的屏底包含上层、下层及侧壁，所述上层、所述下层、所述侧壁及屏壁围成一空腔，所述空腔填充有保温材料，所述上层与水平面呈第一角度偏向所述热屏内部倾斜，所述下层与水平面呈第二角度偏所述向熔体坩埚内部倾斜本发明通过改变热屏底部设计达到优化轴向和纵向温度梯度的目的，从而提高单晶硅的拉速，提高硅片径向的质量均匀性，并且通过下层弧面的热反射，达到节能的效果，通过上层弧面的热吸收，达到加速提拉单晶硅散热的效果。
热屏下层上层单晶硅生长炉单晶硅空腔内部凹陷侧壁弧面半导体制造领域纵向温度梯度保温材料质量均匀性工艺效率硅片径向角度偏向空腔填充热反射热吸收一空腔散热拉速屏壁熔体提拉轴向坩埚节能节约能源应用优化

[发明专利]防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺-CN201210204934.8无效
发明人：林游辉 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了防热辐射直拉多或单晶硅制备工艺，包括以下步骤： a)融化：加完多晶硅或单晶硅原料于石英坩埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氮气，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度1570℃，将多或单晶硅原料熔化； b)放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得硅单晶的直径渐渐增大到所需的大小，围绕于硅单晶棒外设有热屏，由于热屏减弱了加热器对晶体的热辐射，同时也减弱了对固-液界面热辐射力度，在一定程度上增加了熔硅的纵向温度梯度同时采用热屏后，加强了氩（氮）气流对固-液界面的吹拂，增强了氩（氮）气流携带结晶潜热的作用因此有利于单晶生长，并可以提高结晶速率，进而提高拉晶速率。
防热辐射直拉多单晶硅制备工艺

[实用新型]一种单晶炉热场防尘装置及热场防尘单晶炉-CN202220445062.3有效
发明人：龚小伦;关树军;张鹏;路建华;李飞剑;杨春祥 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶硅生产设备的技术领域，具体涉及一种单晶炉热场防尘装置及热场防尘单晶炉。一种单晶炉热场防尘装置，用于单晶合炉时减少微尘杂质掉入热场，包括，位于中下保温筒上方的上保温筒，位于上保温筒上方并用于将上保温筒开口封闭的防尘盖板。通过在热场结构中的中下保温筒上设置上保温筒，并在上保温筒上设置防尘盖板，在合炉时利用该防尘盖板将上保温筒上方开口封闭，阻挡合炉时热场外部的微尘杂质进入热场，可以有效的减少掉入热场的微尘杂质，以此可以降低拉晶过程中单晶硅棒断线的频率，此外由于较少的微尘杂质的影响，单晶硅棒中少子寿命也不会受到影响降低，从而保证拉制生产出的单晶品质，提高了单晶硅的生产率及生产质量。
一种单晶炉热场防尘装置单晶炉

[发明专利]一种缩短大尺寸热场单晶炉停炉冷却时间的装置-CN202310470957.1在审
发明人：李磊;晟伦;汪奇;高彬彬 -专利权人：青海高景太阳能科技有限公司;高景太阳能股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种缩短大尺寸热场单晶炉停炉冷却时间的装置，其设置于热场中，包括：散热管道、上保温筒及水冷屏，所述散热管道与热场外的散热装置相连通，所述水冷屏设有第一连接装置，所述上保温筒设有第二连接装置，所述第一连接装置和所述第二连接装置匹配设置，使得所述水冷屏可带动所述上保温筒向上移出所述热场。本发明中在主炉筒内安装散热管道，实现快速散热，成本低，易于实现，效果好；水冷屏可提升，停炉后提升水冷屏，将热场顶部导流筒与热场分离使热场快速散失；通过炉体改造，利用现有设备，不需要增加设备，节省成本。
一种缩短尺寸热场单晶炉停炉冷却时间装置

[发明专利]一种单晶生长热系统的煅烧处理方法及其装置-CN201010259638.9有效
发明人：施承启;李海波;胡如权;张永超 -专利权人：上海卡姆丹克太阳能科技有限公司;卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及加工太阳能硅电池的单晶生长炉领域的技术。一种单晶炉热系统的煅烧处理方法，其特征在于：一种专用煅烧容器，具有可开启和密闭的容器门，煅烧容器内部空间尺寸大于包括石墨器件、保温层的单晶炉热系统外形尺寸；专用煅烧容器内部周壁为电加热方式加热，加热温度为1600-2000℃，容器内煅烧时为真空状态，冷态真空度小于等于达1Pa；单晶炉热系统以整套或拆散方式放置在专用煅烧容器内煅烧。本发明相应提供了一种单晶生长热系统的煅烧处理的装置。由此，本发明首创改变只能在单晶炉中加热煅烧单晶炉热系统的处理方法，另外专制供煅烧处理单晶炉热系统的装置；煅烧零部件更加灵活机动，提高煅烧处理效果和效率，节省能源。
一种生长系统煅烧处理方法及其装置

[发明专利]一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度的方法-CN200810239916.7有效
发明人：崔彬;高宇;吴志强;戴小林 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度(指相对于热屏下缘的高度)的方法，方法包括以下步骤：将CCD摄像机安装在硅单晶炉上炉体的观测窗口上，观测单晶炉内热屏下缘和热屏在熔体上的倒影；图像处理系统对CCD拍摄到的图像进行扫描，计算得到热屏在熔体上倒影的半径，将这个半径值代入经推导得到的热屏倒影半径r同液面相对高度H(液面距离热屏下端面高度)关系公式可以计算出液面相对高度。
一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度方法

[发明专利]单晶炉热场加热器、加热方法及单晶炉-CN202310489996.6在审
发明人：代晴华;周刚;刘选 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉技术领域，提供一种单晶炉热场加热器、加热方法及单晶炉，其中，单晶炉热场加热器用于给坩埚加热，单晶炉热场加热器设置于坩埚的外周和底部，包括氢能加热组件，所述氢能加热组件用于对所述坩埚进行加热本发明提供的单晶炉热场加热器、加热方法及单晶炉，通过氢能加热组件对坩埚进行加热，利用氢能加热，相对于现有技术中的电加热，不产生二氧化碳，有利于环保，而且，氢能加热组件可以采用氢气直燃加热，也可以采用氢气催化反应红外加热，当采用氢气氧化反应辐射加热时，热损耗较小，加热速度快、加热均匀。
单晶炉热场加热器加热方法单晶炉

[实用新型]一种单晶炉热场系统-CN202320659374.9有效
发明人：尹燕刚;黄鸣 -专利权人：北京北方华创真空技术有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种单晶炉热场系统，涉及单晶制造设备技术领域，一种单晶炉热场系统包括上炉盖、下炉体和潜望CCD，上炉盖的顶端开设有供晶棒提升的出料孔，潜望CCD倾斜设置在上炉盖上且朝向上炉盖与下炉体组成的内部空腔，潜望CCD位于上炉盖的顶端中部且位于出料孔的一侧位置，下炉体内设置有导流筒和保温组件，导流筒内设置有用于冷却晶棒的水冷屏。本申请中潜望CCD的安装位置靠近上炉盖的正中心位置，能够减少与导流筒以及保温组件的干涉，从而使得导流筒可以做得更长，有利于提高炉内的温度梯度，相应的，保温组件可以加厚，提高保温效果，增加提拉速率。
一种单晶炉热场系统