[发明专利]热屏及单晶硅生长炉结构在审
| 申请号： | 201711365658.2 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109930197A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;汪燕 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热屏及单晶硅生长炉结构，热屏的屏底包含上层、下层及侧壁，所述上层、所述下层、所述侧壁及屏壁围成一空腔，所述空腔填充有保温材料，所述上层与水平面呈第一角度偏向所述热屏内部倾斜，所述下层与水平面呈第二角度偏所述向熔体坩埚内部倾斜，所述上层包含朝所述空腔内部凹陷的第一弧面，所述下层包含朝所述空腔内部凹陷的第二弧面。本发明通过改变热屏底部设计达到优化轴向和纵向温度梯度的目的，从而提高单晶硅的拉速，提高硅片径向的质量均匀性，并且通过下层弧面的热反射，达到节能的效果，通过上层弧面的热吸收，达到加速提拉单晶硅散热的效果。本发明可有效提高工艺效率，节约能源，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 热屏 下层 上层 单晶硅生长炉 单晶硅 空腔内部 凹陷 侧壁 弧面 半导体制造领域 纵向温度梯度 保温材料 质量均匀性 工艺效率 硅片径向 角度偏向 空腔填充 热反射 热吸收 一空腔 散热 拉速 屏壁 熔体 提拉 轴向 坩埚 节能 节约 能源 应用 优化 | ||
【主权项】：
1.一种用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于，所述热屏设置于所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏包括屏壁及屏底，所述屏底设置于所述屏壁的底部，所述屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述屏底包含上层、下层及侧壁，所述侧壁连接于所述上层与所述下层之间且围成所述窗口，所述上层、所述下层、所述侧壁及所述屏壁围成一空腔，所述空腔填充有保温材料，所述上层与水平面呈第一角度偏向所述热屏内部倾斜，所述下层与水平面呈第二角度偏所述向熔体坩埚内部倾斜，所述上层包含朝所述空腔内部凹陷的第一弧面，所述下层包含朝所述空腔内部凹陷的第二弧面。
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- 一种单晶炉坩埚托盘-201811403300.9
- 郭靖 - 郭靖
- 2018-11-23 - 2019-02-05 - C30B15/10
- 本发明公开了一种坩埚托盘，包括托盘主体，所述托盘主体的底部设有环形凸起，所述环形凸起下设有托杆，所述环形凸起直径等于托盘本体底部直径，所述环形凸起的直径大于托杆的直径，所述环形凸起的直径等于250mm，所述托杆的直径等于80mm。
- 一种生长硅锭/晶棒用坩埚及其制备方法-201811509794.9
- 陈养俊;张涛;樊同帅;黄晶晶;杨俊;廖才超;金浩 - 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
- 2018-12-11 - 2019-02-05 - C30B15/10
- 本发明提供了一种生长硅锭/晶棒用坩埚及其制备方法。本发明提供的坩埚包括坩埚本体和复合于所述坩埚本体外表面的涂层；所述涂层为氮化硅涂层或氢氧化钡涂层。本发明在坩埚本体外表面复合氮化硅涂层或氢氧化钡涂层，通过这层涂层经物理或化学反应来隔绝坩埚与护板/埚托，从而降低硅锭/晶棒的碳含量，避免了因碳含量超标造成的大量反切，还避免了高碳含量形成的硬质点，使切片环节更加顺畅，降低断残率，大量减少线痕对切片过程及良率的影响，降低生产成本。
- 坩埚-201780031329.6
- 木崎隆康 - 京瓷株式会社
- 2017-05-30 - 2019-02-05 - C30B15/10
- 提供一种坩埚(10)，其特征在于，以铱或铂为主成分，具有底部(1)和筒状部(2)，该筒状部(2)包含多个部位，各部位彼此相邻的位置具备第1厚壁部(3a)。同时提供一种坩埚(15)，其特征在于，以铱或铂为主成分，具有底部(1)和筒状部(2)，该筒状部(2)包含多个部位，各部位彼此相邻的位置具备环状的第1焊接部(30)。
- 专利分类
