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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]单晶炉热场及具有该单晶炉热场的单晶炉-CN201420326967.4有效
发明人：马少林;李侨;周锐;毛静;李定武 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开的单晶炉热场，包括位于坩埚上方的热屏以及独立于热屏、同轴设置于热屏内侧的热屏冷却件，热屏冷却件可相对于坩埚升降。本实用新型还公开具有该单晶炉热场的单晶炉，包括单晶炉壳体、坩埚和上述的单晶炉热场，坩埚和单晶炉热场均容置于单晶炉壳体内。本实用新型的单晶炉热场及具有该单晶炉热场的单晶炉中的热屏冷却件，可吸收单晶生长时释放的结晶潜热、有效地提高单晶生长速度，一旦发生损坏，也便于维修，并且，该热屏冷却件可相对于坩埚升降，在加料时升起该热屏冷却件
单晶炉热场具有单晶炉

[实用新型]单晶炉可提升水冷热屏装置-CN201721214789.6有效
发明人：傅林坚;曹建伟;孙明;倪军夫;沈兴潮 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅生产设备领域，旨在提供一种单晶炉可提升水冷热屏装置。该种单晶炉可提升水冷热屏装置包括热屏提升装置、水冷热屏、热屏上环、热屏下环、热屏外环、热场上保温盖、快卸螺母、浸液保护装置，用于设置在单晶炉炉体内石英坩埚的上方。本实用新型采用水冷热屏替换原单晶炉中的热屏内环，水冷热屏底部能与液面之间形成比较小的距离空间，在距离液面较近的区域带走热量；且其余水冷热屏和原先石墨热屏内环尺寸一致，不会对其气流等产生影。
单晶炉可提升水冷装置

[实用新型]一种热屏对中装置及单晶炉-CN202222823013.1有效
发明人：相鹏飞;文永飞;成路;郭瑞波;程磊;马少林;张朝光;王莎莎;丁彪;马宝 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅制造技术领域，特别是涉及一种热屏对中装置及单晶炉。热屏对中装置中悬挂组件的一端与热屏连接；悬挂组件的另一端穿设于竖直导向组件，并与竖直导向组件活动连接；竖直导向组件用于调整悬挂组件的竖直高度；竖直导向组件与水平导向组件固定连接；水平导向组件与单晶炉或单晶炉内的工作件连接本实用新型实施例的热屏对中装置，可以在水平方向和竖直方向调整热屏在单晶炉内的位置，使得热屏与单晶炉的对中性及一致性相对较好，进而保证热屏在单晶炉热场中的位置准确，避免出现热场漏热、气流不稳等问题，而影响拉晶品质
一种装置单晶炉

[发明专利]单晶生长炉热屏及其制造方法-CN201610959752.X在审
发明人：赵向阳;陈强;肖祥凯 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：在本发明提供了一种单晶生长炉热屏及其制造方法，所述单晶生长炉热屏包括屏体，所述屏体内形成有容置空间，所述屏体的材料用石英玻璃，避免引入钼、碳等污染源，可以有效减少单晶生长炉热屏对晶体的污染。
生长炉热屏及其制造方法

[发明专利]单晶炉热场装置、单晶炉及单晶生长控制方法-CN202010043383.6在审
发明人：邓浩;严立新;付泽华;马少林;王建波;马宝;文永飞;谢志宴 -专利权人：华坪隆基硅材料有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开单晶炉热场装置、单晶炉及单晶生长控制方法。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。
单晶炉热场装置单晶炉生长控制方法

[发明专利]单晶炉的热屏-CN201110455273.1无效
发明人：汤仁兴 -专利权人：汤仁兴
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉的热屏，属于单晶硅的生产制造设备技术领域。一种单晶炉的热屏，其特征在于：它内热屏层（1）和外热屏层（2），所述内热屏层（1）和外热屏层（2）之间设有保温层（3）。这种单晶炉的热屏在内热屏层和外热屏层之间增设了保温层，该保温层的材料为软毡，其导热系数小，隔热性能好，使得内热屏层的温度不易传到外热屏层上，从而提高了热屏的保温性能，保证了单晶硅的正常生产。
单晶炉

[发明专利]一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉-CN202010621640.X有效
发明人：薛忠营;魏涛;魏星;栗展;刘赟;李名浩 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平面形成的夹角为锐角且所述夹角朝向所述单晶硅的外表面本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉，结构简单，通过改变热屏设计，增设隔热板将吸热板吸收到的热量传递给单晶硅，在热屏中形成热通道，实现对单晶硅的径向温度梯度进行优化，从而实现拉速的控制，进而提高单晶硅径向的质量均匀性。
一种用于生产结构

[实用新型]单晶炉用热屏-CN200920049164.8无效
发明人：袁伟进;黄强 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉热系统中的一个重要装置，具体是一种单晶炉用热屏。它具有外热屏、内热屏以及位于外热屏和内热屏之间的保温层，外热屏和内热屏固定连接，外热屏的锥度为0.16-0.23，内热屏的锥度为0.52-0.63。通过调整内外热屏锥度，改变保温层厚度，使屏蔽效果更佳，硅单晶生长速度更快；外热屏锥度变小，外热屏底部略平，增大了氩气流速，增强了SiO等杂质的挥发，改善了硅单晶的生长环境，提高了硅单晶收率及质量。
单晶炉用热屏

[实用新型]单晶炉热场装置及单晶炉-CN202020086870.6有效
发明人：邓浩;严立新;付泽华;马少林;王建波;马宝;文永飞;谢志宴 -专利权人：华坪隆基硅材料有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开单晶炉热场装置及单晶炉。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。
单晶炉热场装置单晶炉

[实用新型]一种单晶炉用热屏支撑架-CN201120204631.7有效
发明人：钮应喜 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉设备技术领域，特别是一种单晶炉用热屏支撑架，分为左右两块支撑板，两块支撑板架设在炉筒上，两块支撑板的内侧具有热屏外形相适应的支撑热屏外沿的内凹。本单晶炉用热屏支撑架可以使热屏挂起，使得装料量从70kg提高到85～90k，可以使非硅成本降低13％，实现了成本的降低。
一种单晶炉用热屏支撑架

[实用新型]一种单晶炉投料装置-CN201120482659.7有效
发明人：王文华;白喜军;刘贤;陈立军;周小渊 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;银川隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种单晶炉投料装置，包括单晶炉上轴，在单晶炉上轴的下端连接有热屏挂架，热屏挂架上挂接有多个热屏吊臂，每个热屏吊臂的下端为向外径方向伸出的挂钩；该弯钩端可从热屏下方与热屏实现活动式直接连接，形成从下方托举热屏的态势。本实用新型的单晶炉投料装置，结构简单，使用效果好，在加料时通过升降装置提升热屏，增加热屏和炉内硅料之间的距离，从而实现多装硅料，并可与水冷夹套兼容，无需设置挂钩从而可以避免挂钩在高温下对硅料的污染，热屏受力结构良好而不会导致热屏寿命的下降
一种单晶炉投料装置

[发明专利]单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法-CN202210287527.1有效
发明人：杨政;王新强;秦现东;景华玉;张正 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制造技术领域，尤其涉及一种单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法。所述单晶炉的水冷热屏结构包括：单晶炉炉盖；在所述单晶炉炉盖上方的喉口处设置有充气法兰；所述充气法兰设置有气体进口；与所述炉盖滑动配合的环状水冷热屏；设置在所述环状水冷热屏内部的盘旋状气管；气体进入所述充气法兰，经过所述盘旋状气管吹向所述单晶炉内的熔体液面。本发明在炉盖上方喉口法兰处增加一条气路，气路沿盘旋状气管环绕在环状水冷热屏内部，气体流出后以环流形式吹向液面。此设计增大了换热面积的同时引入气体换热，提升结晶潜热的带走速率，从而提升单晶生长速率。
单晶炉水冷结构单晶硅生长方法

[实用新型]具有上部断热材的单晶炉装置-CN201020118205.7有效
发明人：舟桥启;贺贤汉;河野贵之 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅单晶制造装置，特别是涉及一种具有上部断热材的单晶炉装置，在单晶炉内设置石英坩埚，并将硅料装设石英坩埚内，并且在石英坩埚周围设置一使硅料熔化的加热器，在石英坩埚的上部设置热屏，热屏是通过支撑体设置在单晶炉装置的壳内，在热屏和支撑体的连接处设置一上部断热材。
具有上部断热材单晶炉装置

[发明专利]一种带有内部水冷单晶炉用涂层热屏-CN201410311347.8在审
发明人：徐建 -专利权人：安徽旭特电子科技有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有内部水冷单晶炉用涂层热屏，它包括外热屏、内热屏和保温层。所述外热屏、内热屏和保温层以炉热屏中心轴为中心均匀设置；所述炉热屏由外向内设有外热屏、保温层和内热屏；所述内热屏的中心位置设有冷却管道；所述冷却管道贯穿整个保温层且在炉热屏的顶端两侧位置分别设有冷却水管入口和冷却水管出口本发明单晶炉用涂层热屏具有操作简单、使用方便和控温效果好等优点。
一种带有内部水冷单晶炉用涂层

[实用新型]一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场-CN201120067977.7有效
发明人：张志强;黄振飞 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能单晶炉热场技术领域，特别是一种可提高单晶炉生长速度的单晶炉热场，包括热屏，在热屏的内侧附加一段具有锥度的筒状的冷却器。冷却器和紧贴热屏内侧，和热屏内侧具有相同的锥度。冷却器通过连接管连接到炉筒上，冷却器的冷却介质进出口均设置在炉筒上，冷却介质通过冷却介质进出口并沿连接管进入冷却器进行冷却。炉筒为一段独立的副炉筒。冷却介质进出口上设置流量调节阀。本热场结构设计合理，杜绝了冷却介质与冷却器之间的传递过程存在泄漏的可能，而且在热场中采用冷却装置强化对晶棒的冷却效果，从而增强晶棒纵向温度梯度，提高硅单晶的生长速度，达到快速生长单晶硅棒的目的。
一种提高单晶炉生长速度单晶炉热场

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