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[发明专利]一种单晶炉热场对中结构及对中方法-CN202211190131.1在审
发明人：关树军;段俊飞;郭嘉伟;董智慧 -专利权人：乌海市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明属于属于光伏单晶硅技术领域，具体涉及一种单晶炉热场对中结构及对中方法，所要解决的是加热炉热场不对中的技术问题，采用的技术方案为：一种单晶炉热场对中结构，设置于单晶炉底，包括：炉底保温固毡，炉底保温固毡上层设置有炉底毡，炉底保温固毡和炉底毡上开设有四个电极孔，电极孔内用于穿设电极，电极孔内设置有定位套管，定位套管的外表面与电极孔内表面相接触，定位套管中心设有定位通孔，定位通孔的内壁与电极的外壁接触；炉底毡上端设置有压板软毡，压板软毡上端固定有护盘压片，定位套管贯穿炉底毡和护盘压片。本发明以电极的位置为基准，来确定炉底毡、炉底保温固毡、压板软毡、护盘压片的位置，从而减小了装配上带来的误差。
一种单晶炉热场结构方法

[发明专利]一种加热器及单晶炉热场-CN202111016078.9在审
发明人：周永波;王玉龙;赵鹏;杨东 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种加热器及单晶炉热场，涉及单晶制造技术领域。以提供一种在不缩短加热器加热区的情况下，减少加热器的发热区，从而降低单晶硅的氧含量的技术方案。本发明提供的加热器，应用于单晶炉热场中，加热器设置在单晶炉热场中坩埚的外周，用于至少对坩埚中的熔硅液面进行加热。
一种加热器单晶炉热场

[发明专利]一种单晶拉制方法-CN202110672615.9在审
发明人：沈瑞川;高润飞;李雪峰;董恩惠;景吉祥;王静;郭谦 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明揭露了一种单晶拉制方法，包括以下步骤：S1、建立拉单晶数据库；S2、在拉单晶进入放肩工序时，根据单晶目标规格、单晶炉的型号以及热场尺寸、单晶炉内的辅料数据、坩埚内装的原料的数据在所述数据库内整合出一最优存活肩形；S3、结合单晶目标规格、单晶炉的基本参数、单晶炉坩埚内装的原辅料的数据以及所述最优存活肩形在所述数据内整合出一最优放肩方案；S4、根据所述最优放肩方案进行放肩。根据上述方式放肩，相当于给不同炉台定制不同的放肩方案，从而各个单晶炉的放肩成活率都很高，进而提升单晶的生长效率。
一种拉制方法

[发明专利]一种太阳能电池原材料加工用单晶炉-CN201910565178.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：内蒙古和光新能源有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及光伏设备技术领域，且公开了一种太阳能电池原材料加工用单晶炉，包括单晶炉本体，所述单晶炉本体的内部设有热场，所述热场的上端设有籽晶和籽晶杆，所述籽晶杆和连接头连接处的内部套设有辅助连紧杆。该太阳能电池原材料加工用单晶炉，通过外连接套和连接盘限定单晶棒的位置，使单晶棒在生长罩内的位置相对固定，在整体移出保温罩和生长罩，增大了操作空间，降低了取单晶棒操作难度，通过观察盘的三个刻度尺之间测量元部件的对中性，观察更加直观明了，先通过辅助连紧杆保证籽晶杆和连接头的对中性，再通过外部的外连接套使籽晶杆和连接头固定，减少了拆除时对单晶产生磕碰使单晶棒造成损坏。
一种太阳能电池原材料工用单晶炉

[实用新型]直拉法生长低位错单晶的热场结构-CN201520864558.4有效
发明人：黎建明;冯德伸;高欢欢;张路;王霈文 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C30B15/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种直拉法生长低位错单晶的热场结构。该热场结构包括沿单晶炉炉壁设置的主加热器和设置在单晶炉炉底的底加热器。主加热器为上薄下厚的渐变型直筒结构。采用该热场结构生长低位错单晶的工艺至少包括：(1)选择无位错单晶作为籽晶，在晶体生长过程中，升温化料达到目标温度；(2)将熔体稳定一段时间热场稳定后，寻找引晶温度；在该引晶温度点引晶1小时后直接放肩；(采用本实用新型的热场结构能够降低热场中的温度梯度、增大低温度梯度区域；结合低温度梯度热场中晶体生长工艺，能够加长低位错晶体的有效长度。
直拉法生长低位错单晶结构

[实用新型]一种方形蓝宝石单晶炉热场结构-CN201420050091.5有效
发明人：左洪波;杨鑫宏;张学军;李铁 -专利权人：哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种方形蓝宝石单晶炉热场结构。它包括上隔热屏、侧隔热屏、下隔热屏、坩埚盖、以及由金属钨制作的方形坩埚、方形托盘、圆形支柱，直角铜导电板与钨棒连接而成的方形加热体结构，本实用新型的有益效果有：该炉体结构保温效果好、温场稳定、温度梯度合理
一种方形蓝宝石单晶炉热场结构

[实用新型]一种支撑机构及直拉单晶炉热场装置-CN201820872049.X有效
发明人：李江林;马腾飞;马新成;邹昌盛;段永兵;王军 -专利权人：新疆晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅加工设备技术领域，具体涉及一种支撑机构及直拉单晶炉热场装置。主要技术方案为：一种支撑机构，包括:支撑体和支撑耳；所述支撑体为圆环状，用于支撑直拉单晶炉的中保温罩；所述支撑耳沿所述支撑体的径向，固定地设置在所述支撑体的外缘上；所述支撑耳为多个；多个所述支撑耳沿所述支撑体的圆周方向间隔设置采用本实用新型能够使直拉单晶炉热场装置作业方便，提升保温效果。
支撑体支撑耳直拉单晶炉热场支撑机构本实用新型设备技术领域圆周方向间隔单晶硅加工直拉单晶炉保温效果装置作业保温罩圆环状支撑

[实用新型]一种应用于单晶炉的磁环水冷热屏-CN202321357209.4有效
发明人：林龙强;牛明华 -专利权人：中山市汇创精密科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉辅助设备技术领域，具体是一种应用于单晶炉的磁环水冷热屏，包括位于硅液面上侧的内壳和外壳，内壳设有供硅晶棒通过的提拉通道，内壳和外壳之间设有换热空间，内壳上设有分别与换热空间连通的冷却液入口和冷却液出口，换热空间设有环形结构的磁性装置，磁性装置沿提拉通道延伸方向竖直设置，磁性装置位于换热空间下侧且靠近提拉通道的一侧，磁性装置的侧面积大于其底面积，磁性装置为铁磁件。本实用新型通过增加磁环改变磁场结构，让晶棒增加旋转速度，减少拉晶时间，将磁性装置设置在换热空间内不占用空间，利用冷却液对换热空间进行循环冷却，避免硅溶液的高温导致磁性装置消磁或者损坏，从而提高磁性装置的使用寿命
一种应用于单晶炉环水冷热

[发明专利]一种金属单晶横向晶体取向的控制方法-CN02132531.6有效
发明人：郑启;孙晓峰;侯桂臣;管恒荣;胡壮麒 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2002-07-04 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属单晶的制备技术，具体地说是一种金属单晶横向晶体取向的控制方法。在单晶炉中，设置有选晶器、起晶器，应用选晶法生长单晶铸件；其中：所述起晶器采用具有一对较长、相对平行对边的矩形或类矩形横截面，从而引入附加的定向横向热场，控制晶体生长过程中单晶横向晶体取向，运用常规熔模精铸方法造型，浇注液态金属，在单晶炉中生长单晶。本发明能在晶体生长过程中通过引入附加的定向横向热场，结合晶体生长择优取向的特征，控制单晶横向晶体取向。
一种金属横向晶体取向控制方法

[实用新型]用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩-CN201220334756.6有效
发明人：梁永生;李迎春;徐鹏国 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于直拉硅单晶炉的热屏屏罩，在热屏外胆内腔中设置有一个反射板，热屏外胆和反射板之间设置有隔热层，反射板与热屏内胆的形状一致，为上口大、下口小的中空环形结构；反射板上沿与散热盘的环形开口端下沿固定连接，散热盘的帽沿部分高出热场大盖上沿，散热盘的帽沿最大直径大于反射板上沿开口直径。本实用新型的装置，在温度较低的热场上方安装有散热盘，且散热盘与反射板连接起来，通过热传导的方式有效地将反射板吸收的热量传递到温度较低的热场上部，有效降低了晶体接受的反射板反射热量，更大程度加大了晶体的散热
用于直拉硅单晶炉热屏屏罩

[发明专利]一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置-CN201610615336.8有效
发明人：徐永宽;练小正;于凯;霍晓青;张颖武;张政;程红娟;李璐杰;张志鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件包括用于支撑铱反射屏的氧化锆内保温筒；覆盖在铱反射屏之上的上部保温部件，其上留有籽晶杆入口；环绕氧化锆内保温筒的中部保温部件；环绕铱坩埚和发热体的下部保温部件。该装置设计能够减少铱坩埚的损耗，有效抑制晶体内部杂质元素的含量，从而能够很好地抑制晶体内部缺陷，延长坩埚使用寿命，为实现大规模生产高质量、低成本的氧化镓单晶奠定了基础。
一种有效抑制氧化晶体缺陷生长装置

[发明专利]带水冷热屏的单晶生长炉-CN201310361500.3无效
发明人：朱亮;曹建伟;俞安州;王巍;沈兴潮 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生产设备领域，旨在提供带水冷热屏的单晶生长炉。该带水冷热屏的单晶生长炉的炉体内设有水冷热屏，水冷热屏包括连接固定的呈倒锥形的水冷热屏内筒和水冷热屏外筒，且在水冷热屏内筒和水冷热屏外筒之间设有水道，水冷热屏内筒和水冷热屏外筒的上端还连接固定有连接体，
水冷生长

[实用新型]单晶炉-CN201220665628.X有效
发明人：司佳勇;乔松;周浩;尹东坡;唐磊 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉。该单晶炉具有加热器，还包括设置在加热器下方的反射部件，其中反射部件为金属钼片。通过在单晶炉内的加热器的下方位置上设置金属钼片作为反射部件，利用金属钼片优良的反射性能与保温性能，将加热器所散发出的部分热能通过镜面反射原理，折射到石英坩埚内部，同时利用其良好的保温性能将加热区域与炉底区域隔离开，增强炉底保温性能、降低运行功率与减少热场石墨件消耗，从而达到减少热损失率以及单晶棒氧沉积的目的。
单晶炉

[实用新型]单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板-CN201921914389.5有效
发明人：黄末 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板，所述单晶炉包括：导流筒，所述导流筒内形成有连通所述单晶炉的热场的容置通道；空烧盖板，所述空烧盖板适于盖设在所述导流筒上且封盖所述容置通道的出口端，所述空烧盖板与所述导流筒的相对位置固定根据本实用新型的单晶炉，通过在石墨部件空烧过程增加空烧盖板，空烧盖板可以与单晶炉的热场配套设置，具体地，空烧盖板适于盖设在导流筒上，并且空烧盖板可以封盖容置通道的出口端，这样有利于防止空烧过程中热量的过多散失
单晶炉用于盖板

[实用新型]一种单晶硅生长炉用保温隔热筒-CN201220075587.9有效
发明人：闫根程;栾吉刚;刘玉清;赵启民 -专利权人：烟台鲁航炭材料科技有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅生长炉用保温隔热筒，其包括外保温筒，其特征在于，在所述外保温筒的内壁设有内隔热屏，所述内隔热屏由炭/炭复合材料制成。所述内隔热屏包括依次套接的至少两个以上的分段隔热屏。所述各分段隔热屏之间设有止口或坡口连接结构，所述各分段隔热屏之间还可以通过连接环连接。优选方案是所述内隔热屏包括三个分段隔热屏，依次为上段隔热屏、中段隔热屏及下段隔热屏，所述下段隔热屏上设有通孔，所述外保温筒由石墨毡或炭毡制成。本实用新型用于单晶硅生长炉具有较高的高温强度，和较低的热导系数。不仅降低了保温隔热筒厚度，而且降低了保温隔热筒的更换成本。
一种单晶硅生长保温隔热