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[实用新型]一种显示模组及电子设备-CN202220747516.2有效
发明人：朱元欢 -专利权人：浙江联信康科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种显示模组及电子设备，显示模组包括背光板、TFT基板及玻璃盖板，玻璃盖板盖设于背光板上，TFT基板设于玻璃盖板和背光板之间；TFT基板具有单层区，单层区朝向玻璃盖板的一侧设有FPC板和缓冲结构，FPC板设于单层区的中部，缓冲结构包括第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层设于单层区上位于FPC板的一侧，第二缓冲层设于单层区上位于FPC板的另一侧；背光板朝向TFT基板的一侧设有缓冲垫片，缓冲垫片的与单层区正对设置
一种显示模组电子设备

[发明专利]一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法-CN201610298471.4有效
发明人：陈秀芳;于璨璨;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法。该方法包括在SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成规则的台阶形貌；通入氩气，进行石墨烯缓冲层的生长；将得到的表面只长有一层石墨烯缓冲层的SiC衬底通过氢气退火，氢原子插入到石墨烯缓冲层与SiC衬底之间，使石墨烯缓冲层成为单层石墨烯本发明解决了SiC热解法中SiC衬底硅面生长石墨烯时所形成的缓冲层影响石墨烯迁移率的问题，同时得到了真正意义上的无缓冲层的单层石墨烯，可直接应用于射频器件。
一种 sic 衬底制备缓冲单层石墨方法

[发明专利]一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法-CN201911013432.5有效
发明人：惠欣;胡廷伟;杨东;马飞;马大衍;徐可为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明公开一种大面积单层石墨烯的制备技术，利用插层技术对缓冲层进行In原子插层，原来只有缓冲层的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间并使缓冲层转变为石墨烯，一方面制备出单层大面积的石墨烯，另一方面降低了石墨烯的制备温度原缓冲层与单层外延石墨烯共存的表面，In原子插入到缓冲层与SiC基底之间，缓冲层变为石墨烯并与原有的外延石墨烯完美相连，形成大面积的单层石墨烯。此外，插层形成的石墨烯与衬底的相互作用较弱，为分离态的石墨烯，达到了离化的效果。用这种技术不仅可以制备出大面积的石墨烯，还可以控制石墨烯的层厚，这对于相关微电子、超导以及应变工程等领域的应用提供重要的指导与借鉴价值。
一种利用金属大面积制备单层石墨方法

[发明专利]一种可实现圆锯片干切削的高硬度复合涂层及其制备方法-CN201910758973.4有效
发明人：张戈文;卢胜 -专利权人：缙云县先锋工具有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明涉及刀具技术领域，公开了一种可实现圆锯片干切削的高硬度复合涂层，从内到外依次包括底层、缓冲层、加强层和润滑层，其中底层为Ti金属层，缓冲层为TiN层，加强层为TiAlN单层和TiCrN单层交替设置形成的复合层，润滑层为TiAlN单层和TiCr/WS2‑TiB2单层交替设置形成的复合层，TiCr/WS2‑TiB2单层包括位于两侧的过渡层及位于两侧过渡层之间的稳定层，过渡层中从与TiAlN单层贴靠一侧到稳定层一侧，TiCr的质量分数逐渐减小。本发明采用TiAlN单层和TiCr/WS2‑TiB2单层交替沉积的方式制得润滑层，使得复合涂层既具有高硬度又兼具自润滑性能
一种实现圆锯切削硬度复合涂层及其制备方法

[实用新型]一种铝型材运输用隔热保护膜-CN202321208154.0有效
发明人：陈灯明 -专利权人：大冶市同丰包装材料有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及铝型材保护膜领域，尤其涉及一种铝型材运输用隔热保护膜，包括铝型材本体和多层保护膜本体，所述多层保护膜本体包括发泡缓冲层、PE黑白保护膜、压敏胶层和单层隔热膜，所述PE黑白保护膜的下层涂敷有压敏胶层，所述PE黑白保护膜的顶端设置有发泡缓冲层，所述发泡缓冲层的顶端设置有单层隔热膜。本实用新型通过设置有发泡缓冲层、PE黑白保护膜、压敏胶层和单层隔热膜，PE黑白保护膜能使产品得到很好的装饰效果和保护功能，发泡缓冲层具有一定的弹性，在对铝型材本体保护的同时具有一定的缓冲减震的效果，单层隔热膜具有隔热效果压敏胶层便于黏贴和撕下来，不容易留胶。
一种铝型材运输隔热保护膜

[发明专利]单层有机电致发光器件及其制备方法-CN01115563.9有效
发明人：邱勇;王立铎;高裕弟;张德强;段炼 -专利权人：清华大学
申请日： 2001-04-29 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单层有机电致发光器件及其制备方法。该器件包括夹在两个电极层之间的单层可传输电子的发光层，还包括夹在第一电极层和单层可传输电子的发光层之间的一层缓冲层，该缓冲层经真空热蒸镀方法制备成在膜表面具有均匀分布的纳米结构。本发明提供的单层有机电致发光器件的制备方法是利用真空热蒸镀方法在第一电极上蒸镀有机材料薄膜作为缓冲层，该有机材料优选为聚四氟乙烯，器件制得后还需要一个后处理过程才能实现器件发光。本发明提供的单层有机电致发光器件实现了空穴的高效注入，提高了器件发光效率和稳定性。
单层有机电致发光器件及其制备方法

[实用新型]高效光电转换装置-CN200720098192.X无效
发明人：刘津平;刘文韬;高霞 -专利权人：高霞
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光电转换装置，该装置的衬底的底面和/或表面具有凹凸形状结构，在该衬底的表面或底面覆有金属背电极层、过渡层、能带隙大于等于0.67eV的单层或多层叠合式光吸收区3、透明缓冲层、透明导电层、能带隙约等于1.25eV的单层或多层叠合式光吸收区2、透明缓冲层、透明导电层、能带隙大于等于1.8eV的单层或多层叠合式光吸收区3、透明缓冲层、透明导电层、集电栅/电极和/或减反射膜层。
高效光电转换装置

[发明专利]兼容多层单元与单层单元闪存的装置与方法-CN200810232172.6无效
发明人：陈淮琰;李鋆 -专利权人：无敌科技（西安）有限公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种兼容多层单元与单层单元闪存的装置与方法，具有多层单元状态与单层单元状态，该装置包含：单层单元闪存，包含多个数据扇区(sector)；多层单元闪存，包含多个数据分页(page)；转换缓冲层，连接单层单元闪存与多层单元闪存，在多层单元状态，转换数据扇区符合数据分页的格式，在单层单元状态，转换数据分页符合数据扇区的格式；连接接口，提供从转换缓冲层读取与写入数据。
兼容多层单元单层闪存装置方法

[实用新型]兼容多层单元与单层单元闪存的装置-CN200820222358.9无效
发明人：陈淮琰;李鋆 -专利权人：无敌科技(西安)有限公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种兼容多层单元与单层单元闪存的装置，具有多层单元状态与单层单元状态，该装置包含：单层单元闪存，包含多个数据扇区(sector)；多层单元闪存，包含多个数据分页(page)；转换缓冲层，连接单层单元闪存与多层单元闪存，在多层单元状态，转换数据扇区符合数据分页的格式，在单层单元状态，转换数据分页符合数据扇区的格式；连接接口，提供从转换缓冲层读取与写入数据。
兼容多层单元单层闪存装置

[发明专利]一种HEMT外延片及其制备方法-CN202111622098.0在审
发明人：解向荣;吴永胜;刘恒山;马野 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种HEMT外延片及其制备方法，在衬底上溅射氮化铝缓冲层，在氮化铝缓冲层上生长非掺杂氮化镓层，之后在非掺杂氮化镓层上循环溅射铝单层和氮化铝单层，在已循环溅射的外延片上生长N型铝镓氮层。因此在铝单层上溅射氮化铝单层能够提高键合能力，同时循环溅射铝单层和氮化铝单层能够避免使用单一氮化铝层而随着厚度增加带来的应力问题和迁移率低的问题，避免整个外延片的中心区域和边缘的质量相差增大，从而通过增加铝组分提高二维电子气浓度的同时
一种 hemt 外延及其制备方法

[实用新型]一种HEMT外延片-CN202123339487.0有效
发明人：解向荣;吴永胜;刘恒山;马野 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种HEMT外延片，在衬底上溅射氮化铝缓冲层，在氮化铝缓冲层上生长非掺杂氮化镓层，之后在非掺杂氮化镓层上循环溅射铝单层和氮化铝单层，在已循环溅射的外延片上生长N型铝镓氮层。因此在铝单层上溅射氮化铝单层能够提高键合能力，同时循环溅射铝单层和氮化铝单层能够避免使用单一氮化铝层而随着厚度增加带来的应力问题和迁移率低的问题，避免整个外延片的中心区域和边缘的质量相差增大，从而通过增加铝组分提高二维电子气浓度的同时
一种 hemt 外延

[发明专利]一种基于碳化硅单晶衬底制备近自由态单层石墨烯的方法-CN202111540545.8在审
发明人：张福生;陈秀芳;李晓蒙;邵辰;肖龙飞;谢雪健;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳化硅单晶衬底制备近自由态单层石墨烯的方法，该方法主要包括硅面形成全覆盖石墨烯、超声剥离表面石墨烯获得仅有缓冲层样品和将缓冲层转化为近自由态单层石墨烯，本发明中使用分步法制备近自由态单层石墨烯，有效地利用碳化硅单晶衬底硅面外延生长石墨烯的机理及缓冲层的结构特点，插入外来原子将缓冲层转化为近自由态石墨烯。本发明方法生长的近自由态单层石墨烯质量、表面形貌、电学性能有大幅度提高，可在超快逻辑电路、光电探测器、激光调Q和高频射频器件等领域广泛应用。
一种基于碳化硅衬底制备自由单层石墨方法

[发明专利]低应力单层芯片电容器及其制备方法-CN201811629941.6有效
发明人：程艳萍;段兆祥;杨俊;柏琪星;唐黎民 -专利权人：广东芯晟电子科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：本发明涉及一种低应力单层芯片电容器，所述低应力单层芯片电容器包括陶瓷基片、面电极、底电极以及设于陶瓷基片内部的至少一个缓冲层，所述面电极设于所述陶瓷基片的顶面，所述底电极设于所述陶瓷基片的底面；各缓冲层在垂直于所述陶瓷基片的底面的方向上间隔设置，所述缓冲层为内部中空的呈封闭框形的金属层，其边框沿所述陶瓷基片的侧面布置，并外露于所述陶瓷基片的侧面。本发明还涉及所述低应力单层芯片电容器的制备方法。本发明所述低应力单层芯片电容器的切割面不易发生碎裂，结构完整性好和可靠性高。
应力单层芯片电容器及其制备方法

[发明专利]一种具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池-CN201910152380.3在审
发明人：顾小兵;唐泽国 -专利权人：北京宏泰创新科技有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括依次设置的透明导电层、电子传输层、钙钛矿吸收复合层、空穴传输层和背电极层，其中钙钛矿吸收复合层包括至少两层钙钛矿单层和一层缓冲层，缓冲层位于相邻钙钛矿单层之间本发明采用化学气相沉积法或磁控溅射法制备缓冲层，并通过薄膜转移法将制备好的缓冲层转移至钙钛矿单层上，并且采用了不同吸收带隙宽度的钙钛矿吸收材料设计成一种钙钛矿吸收复合层，拓宽了该层对太阳光谱中不同波长的光的吸收范围；在不同吸收带隙的钙钛矿层之间插入缓冲层，达到了防止相邻钙钛矿层材料发生互混，影响各钙钛矿层对光子的吸收能力的目的。
一种具有能带梯度钙钛矿太阳能电池

[实用新型]一种单层薄膜电容式触摸屏-CN201520064664.4有效
发明人：李飞 -专利权人：李飞
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单层薄膜电容式触摸屏，包括柔性透明表面、透明导电层、不导电分离点、传入电极、玻璃基层、传出电极、液晶显示器、传导层、单层薄膜电容、驱动脉冲器和驱动缓冲器；所述柔性透明表面位于透明导电层表面；所述透明导电层内部设置有不导电分离点，并且透明导电层与传入电极连接；所述传入电极的一端位于单层薄膜电容的一侧；所述透明导电层一端设置传导层且传导层底端与玻璃基层连接；所述传出电极与传导层连接且传出电极一端位于单层薄膜电容一端；所述玻璃基层一端设置液晶显示器；所述单层薄膜电容内部连接驱动脉器冲器且驱动脉冲器位于液晶显示器一端；所述单层薄膜电容一端设置驱动缓冲器；该装置结构紧凑，适合推广使用。
一种单层薄膜电容触摸屏

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