[实用新型]高效光电转换装置无效

申请号：	200720098192.X	申请日：	2007-11-28
公开（公告）号：	CN201138662Y	公开（公告）日：	2008-10-22
发明（设计）人：	刘津平;刘文韬;高霞	申请（专利权）人：	高霞
主分类号：	H01L27/142	分类号：	H01L27/142;H01L31/042;H01L31/0236
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	300052天津市和平***	国省代码：	天津;12
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摘要：	本实用新型涉及一种光电转换装置，该装置的衬底的底面和/或表面具有凹凸形状结构，在该衬底的表面或底面覆有金属背电极层、过渡层、能带隙大于等于0.67eV的单层或多层叠合式光吸收区3、透明缓冲层、透明导电层、能带隙约等于1.25eV的单层或多层叠合式光吸收区2、透明缓冲层、透明导电层、能带隙大于等于1.8eV的单层或多层叠合式光吸收区3、透明缓冲层、透明导电层、集电栅/电极和/或减反射膜层。
搜索关键词：	高效光电转换装置
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【主权项】：

1、一种高效光电转换装置，其特征在于：该装置的衬底的底面和/或表面具有凹凸形状结构，在该衬底的表面或底面覆有金属背电极层、过渡层、能带隙大于等于0.67eV的单层或多层叠合式光吸收区、透明缓冲层、透明导电层、能带隙约等于1.25eV的单层或多层叠合式光吸收区、透明缓冲层、透明导电层、能带隙大于等于1.8eV的单层或多层叠合式光吸收区、透明缓冲层、透明导电层、集电栅/电极和/或减反射膜层。

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摘要：本申请公开了一种激光光伏电池，包括隔离槽，该隔离槽将所述的光伏电池分隔成多个电池单元，电池单元之间串联连接，所述的隔离槽的内壁表面上依次形成有聚酰亚胺层、介质膜层和金属遮光层。本发明还公开了一种激光光伏电池的制作方法。本发明有效地解决了半绝缘衬底光照下导致的漏电问题，制作的光伏电池具有并联电阻高、漏电小和转换效率高的优点。

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摘要：本专利公开了一种PN结阵列受光的太阳电池，在n型或p型半导体材料衬底上形成等间隔的周期性排列的PN结阵列，并将n型或p型层分别串联起来形成太阳电池；电池工作时太阳光直接入射至PN结阵列。本专利最大的优点是：由于采用了PN结阵列直接受光的结构，工作时太阳光无须穿越p型或n型薄膜，解决了当前太阳电池的顶层薄膜对太阳光的强吸收的难题，避免了太阳光入射至PN结前的能量损耗，从而提高了太阳电池的光电转换效率。

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摘要：根据一个方面，本发明涉及光伏组件（10），其包含：一组适合于制造光伏器件的层，包括至少一个由导电材料制成的形成背面电接触点的第一层（101）、由作为在太阳光谱范围内的吸收剂的材料制成的第二层（102）、及由透明导电材料制成的形成正面电接触点的第三层（106）；位于所述背面电接触点与所述正面电接触点之间的电绝缘层（103，103A），其含有多个孔径，每个孔径确定其中所述组的层的所述层堆叠以形成光伏微电池的区域（100）；及由导电材料制成的层（104），其与所述由透明导电材料制成的第三层（106）电接触，形成与所述第三层（106）的正面电接触点，并以如下方式结构化，形成每个所形成的所述光伏微电池的外围电接触点，所述光伏微电池通过背面电接触点和正面电接触点平行地电连接。

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申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低，且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成，所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成，在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。

多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体-201110281329.6
发明人：吉田浩;池田昌夫;内田史朗;丹下贵志;仓本大;有持佑之;杨辉;陆书龙;郑新和 -专利权人：索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池，该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11)，(12)，(13)，(14)叠层而成，子电池由第1化合物半导体层和第2化合物半导体层叠层而成，至少一个特定子电池(11)由第1层(11A1，11A2)和第2层(11C)构成，第1层(11A1，11A2)由第1-A层(11AA)和第1-B层(11AB)叠层而成，第2层11C由第2-A层(11CA)和第2-B层(11CB)叠层而成，基于特定子电池11的带隙值确定第1-A层(11AA)和第2-A层(11CA)的组成-A，基于基底晶格常数和组成-A的晶格常数之差确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)的组成-B，基于基底晶格常数与组成-B的晶格常数之差、第1-A层(11AA)厚度和第2-A层(11CA)厚度确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)厚度。

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申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。

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发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
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摘要：本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。

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申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、P型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、N型氢化微晶硅薄膜、第二透明导电层与金属背电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。

包括电池组件的光伏模块的制造方法-201180026376.4
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申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本发明涉及光伏电池平板的制造方法，所述制造方法包括步骤：a)获得光伏薄膜(PV)，其各自用于光伏电池并且设置于金属基板的前表面上；b)在光伏薄膜的各个前表面上涂敷至少一层导电的薄膜(CG、CND)；c)在切割基板(SUB)上，使得电池单元相互分隔；以及d)将电池单元封装在共用的支架上(ENC)。根据发明，步骤d)和步骤c)可以翻转，即涉及封装基板前表面的步骤d)可以在通过其后表面切割基板的步骤c)之前。此外，在步骤b)中，导电薄膜的区域延伸出至基板，使得导电薄膜同时连接光伏模块薄膜的前表面和基板的前表面；以及在步骤c)中，切割基板，以避免在至少在导电薄膜的所述区域之下和小于所述区域宽度的基板宽度之上的光伏电池之间的短路。

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摘要：制造太阳能电池的方法包括：在衬底上方形成前接触层，前接触层在特定波长下是光学透明的且是导电的；穿过前接触层划割第一划片区以暴露一部分衬底；在前接触层和第一划片区的上方形成掺杂有n型掺杂剂的缓冲层；在缓冲层上方形成掺杂有p型掺杂剂的吸收层；以及在吸收层上方形成导电的后接触层。本发明提供一种覆板太阳能电池。

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摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括设于半导体基底第一表面的掺杂层、设于半导体基底第二表面的第一区的掺杂多晶硅层、设于半导体基底第二表面的第二区的掺杂区、以及覆盖掺杂多晶硅层与掺杂区表面的绝缘层。绝缘层暴露了部分掺杂多晶硅层与部分掺杂区，使掺杂多晶硅层与掺杂区经由绝缘层的开口分别连接于第一电极与第二电极。半导体基底与掺杂层具有第一掺杂类型，掺杂多晶硅层与掺杂区之其中一者具有第二掺杂类型，其中另一者则具有第一掺杂类型，且第二掺杂类型相反于第一掺杂类型。本发明可以提高太阳能电池的光电转换效率。

太阳能面板组件以及用于制造这样的太阳能面板组件的方法-201180011504.8
发明人：约翰内斯·阿德里安乌斯·马里亚·范罗斯马伦;波拉·凯瑟琳娜·彼得罗妮拉·布伦斯菲尔德 -专利权人：荷兰能源建设基金中心
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L27/142
摘要：一种太阳能面板组件，包括透明载体以及具有前表面和后表面的多个半导体基底部分。该前表面被配置用于捕获辐射能量。这些半导体基底部分彼此邻近地配置在该透明载体上并且通过凹槽彼此分开。每个半导体基底部分以前表面附连至该透明载体。每个凹槽包括每个邻近的半导体基底部分的侧壁。每个半导体基底部分的前表面配备有第一导电类型的掺杂层。每个半导体基底部分包括在半导体基底部分中用于少数电荷载流子的第一电触点以及用于多数电荷载流子的第二电触点。该第一电触点以第一类型的异质结构的形式配置在该半导体基底部分的至少后表面上。该第一类型的异质结包括在该半导体基底部分上的本征半导体层以及在该本征半导体层顶部上，与该第一导电类型相反的，第二导电类型的半导体层。

用于至少局部地除去层堆叠的层的方法-201080054591.0
发明人： V.R.莫尔多万;C.T.诺伊格鲍尔 -专利权人：曼兹股份公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L27/142
摘要：在用于至少局部地除去层堆叠（1）的至少一个半导体层（4）的方法中，如此加热光密金属化层（3），使得位于其上方的半导体层脱离。

一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器-201210192804.7
发明人：周刘飞 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本发明公开一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，本发明提供一种阵列基板，包括：玻璃基板和、晶体管阵列器件和太阳能电池，所述晶体管阵列器件包括：栅电极、第一层绝缘层、氧化物沟道层、源极和漏极、以及像素电极；所述太阳能电池包括：下电极、P型半导体层、N型半导体层、多个上电极；其中，N型半导体层与氧化物沟道层均由相同的材料制成；以及所述上电极与像素电极均由透明材料制成。本发明通过上电极和氧化物沟道层为具有金属水平的透明低电阻氧化物，一方面外界光能完全入射于电极表面，另一方面，由于阻抗达金属水平，远低于ITO材料，因此信号延迟得到很大的改善，从而使将太阳能电池为液晶面板供电。

太阳能电池模块-201210036096.8
发明人：蔡进耀;彭裕钧;林柏翰;林义凯;廖振良;张志雄;林昆志 -专利权人：宇通光能股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/142
摘要：一种太阳能电池模块，包括多个子模块。每一子模块包括多个太阳能电池排列设置而形成阵列，每一太阳能电池具有第一导电层、第二导电层及由第一导电层与第二导电层夹设的主动层。每一子模块的太阳能电池相互串联并电性连接。每一子模块还包括正电极及负电极，分别形成于每一子模块的第一太阳能电池及最后太阳能电池的第二导电层。每一子模块的正电极相互电性连接，每一子模块的负电极相互电性连接，使每一子模块相互以并联方式电性连接。多个子模块相互排列形成阵列，至少一子模块与紧邻的子模块以一间隔分离。

集成型薄膜光电模块及其制造方法-201110282905.9
发明人：明承烨;全罗仙 -专利权人：韩国铁钢株式会社
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本发明涉及一种集成型薄膜光电模块，该模块包括：基板上分别层压下部电极、光电转换层和上部电极而形成的第一电池和第二电池，所述第一电池的下部电极和所述第二电池的下部电极被下部电极分离槽隔开，在所述第一电池的光电转换层和上部电极上隔开形成有多个贯通孔，所述贯通孔内填充有导电性物质，以使将所述第二电池的上部电极连接到所述第一电池的下部电极。

弱光型薄膜太阳能电池-201120459432.0
发明人：李全相;李毅 -专利权人：深圳市创益科技发展有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/142
摘要：本实用新型涉及一种弱光型薄膜太阳能电池，解决因光电转换层的缺陷造成的电池输出性能下降的技术问题，提高产品的电性能和合格率，属于太阳能电池技术领域。设计的新型薄膜太阳能电池包括在基板上顺序层叠的前电极层、光电转换层、背电极层和背漆保护层，前电极层和背电极层均设有纵横交错的第一和第二隔离沟道，光电转换层上具有多条平行排列且敷设电池单元节串联连接线的刻划槽；前电极层和背电极层的端部分别有未刻除的导电膜，形成电池单元节的并联连接线。本实用新型减小了某个单元子电池的缺陷对整个单元电池的电性能输出的影响，提高了整个弱光型薄膜太阳能电池的输出电性能和产品合格率。

太阳能电池前接触件掺杂-201080037509.3
发明人：邵锐;马克思·格鲁克勒尔;边雅敏·布鲁尔 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/142
摘要：一种对太阳能电池前接触件掺杂的方法可以提高基于CdTe的或其它类型的太阳能电池的效率。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[实用新型]高效光电转换装置无效

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