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- [发明专利]半导体制造系统-CN200410069765.7无效
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纳谷英光;富吉力生
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株式会社日立高新技术
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2004-07-14
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2005-02-09
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H01L21/00
- 本发明提供一种可以无缝处理涉及半导体的设计、制造以及检查信息的半导体制造系统，该半导体制造系统具有：把将涉及半导体的设计、半导体的制造及半导体的检查的所有信息，按照逻辑表现形式，赋予表示所述信息作用的元数据的范例作为类别进行表现存储的存储装置3000～3003；分别连接该存储装置3000～3003和半导体制造装置4000、4001以及半导体检查装置4002间的存储装置用网络2000。所述存储装置可以从所述半导体制造装置、半导体检查装置及半导体的设计环境进行无缝访问。
- 半导体制造系统
- [发明专利]存储系统-CN201610137238.8在审
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岩井信;纲岛秀昭;冈崎昭夫
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株式会社东芝
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2016-03-10
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2017-03-22
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G11C16/34
- 本发明的实施方式提供一种能够延长具备半导体存储装置的存储系统的寿命的存储系统。实施方式的存储系统(1)包含半导体存储装置(100)，具备存储数据的区域；及控制器(200)，向半导体存储装置(100)发送写入命令。控制器(200)向半导体存储装置(100)的第1数据区域写入第1数据，在与第1数据的写入动作相关的第1状态失效的情况下，从半导体存储装置(100)读出第1数据，并对从半导体存储装置(100)读出的第1数据的错误进行订正半导体存储装置(100)在错误订正失效的情况下，存储表示第1数据区域不良的第1信息，在错误订正通过的情况下，存储表示有关第1数据区域的与第1信息不同的状态的第2信息。
- 存储系统
- [发明专利]半导体存储装置及其操作方法-CN201610322119.X有效
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徐智贤
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爱思开海力士有限公司
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2016-05-16
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2020-10-16
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G11C16/30
- 半导体存储装置及其操作方法。可以提供一种半导体存储装置及该半导体存储装置的操作方法。所述半导体存储装置可以包括多个存储器串，所述多个存储器串各自具有在位线与源极线之间串联联接的多个存储单元。所述半导体存储装置可以包括外围电路，所述外围电路被配置为向所述多个存储器串施加编程电压、通过电压和截止电压并且执行编程操作。所述半导体存储装置可以包括控制逻辑，所述控制逻辑被配置为对所述外围电路进行控制，以便所述截止电压被施加到所述多个存储单元当中与选择的存储单元相邻的存储单元，其中，所述外围电路被控制为使得所述截止电压增加
- 半导体存储装置及其操作方法
- [发明专利]半导体存储装置-CN202111630156.4在审
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森郁
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华邦电子股份有限公司
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2021-12-28
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2022-07-01
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G11C11/4093
- 本发明提供了一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括传输电路与控制电路。传输电路被配置为当使芯片选择信号有效时，根据外部时钟信号取得写入数据，并且传输到存储器单元阵列。控制电路被配置为根据外部时钟信号，在写入数据的第一写入数据输入期间，在芯片选择信号从有效变为无效时，维持传输电路的运作，以使第一写入数据传送到存储器单元阵列。本发明的半导体存储装置半导体存储装置，即使在数据写入期间执行半导体存储装置的非活化时，也可适当地将数据写入到半导体存储装置。
- 半导体存储装置
- [发明专利]存储装置及其操作方法-CN201910293177.8有效
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蔡睿哲;李政宏;吕士濂;陈奕儒
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2019-04-12
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2021-09-14
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G11C7/12
- 本发明的实施例提供了存储装置及其操作方法。使用半导体制造工艺制造存储装置。通常，半导体制造工艺中存在的制造变化和/或未对准公差可能导致存储装置与通过半导体制造工艺类似地设计和制造的其它存储装置不同。例如，半导体制造工艺中的不可控随机物理工艺可能在这些存储装置之间引起小的差异。这些小的差异可以使存储装置中的位线在物理上是唯一的，没有两条位线是相同的。因此，半导体制造工艺中的不可控随机物理工艺可能使得从存储装置读取的电子数据以不同的速率沿着位线传播。可以利用位线的这种物理唯一性来实现物理不可复制功能(PUF)，从而允许将存储装置与通过半导体制造工艺类似地设计和制造的其它存储装置区分开。
- 存储装置及其操作方法
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