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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN03106204.0有效
发明人：林正浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-02-21 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：该半导体装置包括：具有第一导电型的半导体衬底(10)；第一三重势阱(20)，其形成在半导体衬底上并包括具有第二导电型的第一势阱(22)，以及在该第一势阱内形成的具有第一导电型的第二势阱(24)；第二三重势阱(30)，其形成在半导体衬底上并包括具有第二导电型的第三势阱(32)，以及在该第三势阱内形成的具有第一导电型的第四势阱(34)；在第二势阱形成的具有第二导电型的低压晶体管(100N)；以及在第四势阱(34第一三重势阱的第一势阱(22)中的杂质浓度比第二三重势阱的第三势阱(32)的杂质浓度要高。
半导体装置

[发明专利]参数解耦可控谐波高斯双势阱随机共振微弱故障特征增强方法-CN202210770368.0在审
发明人：李涛;谯自健;李依蔓;谢重阳;左锦荣 -专利权人：宁波大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种参数解耦可控谐波高斯双势阱随机共振微弱故障特征增强方法，包括以下步骤：建立参数解耦可控谐波高斯双势阱模型；将参数解耦可控谐波高斯双势阱模型嵌入二阶随机共振，建立参数解耦可控谐波高斯双势阱随机共振模型，并初始化参数解耦可控谐波高斯双势阱随机共振模型参数寻优范围；求解参数解耦可控谐波高斯双势阱随机共振模型中的输出信号；利用幅值修正峰值信噪比精细调控双势阱势垒高度、势阱跨度和势阱壁陡峭度参数，提高了传统双势阱随机共振方法的微弱特征增强能力
参数可控谐波高斯双势阱随机共振微弱故障特征增强方法

[发明专利]半导体装置-CN03106203.2有效
发明人：林正浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-02-21 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：该半导体装置包括具有第一导电型的半导体衬底(10)；在半导体衬底(10)上形成的具有第二导电型的第一势阱(20)；三重势阱(30)，其形成在半导体衬底(10)上并包括具有第二导电型的第二势阱(32)，以及在该第二势阱(32)内形成的具有第一导电型的第三势阱(34)；在第一势阱(20)内形成的具有第一导电型低压晶体管(100P)；在半导体衬底上形成的有第二导电型的低压晶体管(200N)；在三重势阱(30)的第二势阱(32)处形成的具有第一导电型高压晶体管(400P)；在三重势阱的第三势阱(34)处形成的具有第二导电型高压晶体管(300N)。第一势阱(20)中的杂质浓度比三重势阱(30)的第二势阱(32)的杂质浓度要高。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03104707.6有效
发明人：林正浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-02-25 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：该半导体装置包括具有第一导电型的半导体衬底(10)；在半导体衬底上形成的具有第二导电型的第一势阱(20)；在第一势阱内形成的具有第一导电型的第二势阱(30)；在第一势阱内形成的具有第二导电型的第三势阱(40)；在第二势阱形成的具有第二导电型的低压晶体管(100NL)；在第三势阱形成的具有第一导电型的低压晶体管(200PL)；以及在第一势阱形成的具有第一导电型的高压晶体管(400PH)。第二势阱(30)及第三势阱(40)中的杂质浓度比第一势阱(20)中的杂质浓度高。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有保护内部电路的保护电路的半导体器件-CN200410034624.1无效
发明人：北川信孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-04-15 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：内部电路具有第1势阱区和第1势阱区内形成的第1半导体元件。保护电路具有杂质浓度低于第1势阱区的第2势阱区和第2势阱区内形成的第2半导体元件。而且，保护电路保护第1半导体元件。
具有保护内部电路半导体器件

[发明专利]具有集成肖特基势垒的绝缘栅双极晶体管-CN202111571229.7在审
发明人：陈在晨;A·A·塞尔曼;H·L·爱德华兹 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在示例中，电子器件(200)包括在半导体衬底(198)内具有第一导电类型的第一势阱(208)和在半导体衬底(198)内并接触第一势阱(208)的具有第二相反导电类型的第二势阱(212)。该器件还包括在第二势阱(212)内具有第一导电类型的第三势阱(216)。金属结构(235)与第三势阱(216)的表面的至少一部分直接接触，从而在第三势阱(216)和金属结构(235)之间形成肖特基势垒。
具有集成肖特基势垒绝缘双极晶体管

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200380103589.8无效
发明人：渡边温;伊藤敦也;高桥宏和;木村义则;宫地护 -专利权人：先锋株式会社
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种半导体发光元件使用了包含势阱层和将该势阱层夹在其间的阻挡层的化合物半导体量子阱结构作为有源层。在该半导体发光元件的相邻势阱层和阻挡层中，势阱层在电子注入侧上与阻挡层的界面处以及界面附近部分地具有掺杂势阱区域，向该区域添加n型杂质，并且阻挡层至少在界面处和界面附近具有掺杂阻挡区域，向该区域添加n型杂质
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]大功率垂直外腔表面发射激光器-CN200610090854.9无效
发明人：金起成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-26 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的VECSEL装置，其中每个量子势阱层的增益在所提供的周期性增益结构中可以得到增加。垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)装置包括：基板；底部DBR镜，形成在该基板上；多重量子势阱层，形成在底部DBR镜上，并且包括多个量子势阱层和第一和第二应变补偿层，分别形成在每个量子势阱层之上和之下，以逐步释放量子势阱层的应变；顶盖层，形成在该多重量子势阱层上；光泵，发射泵浦束到该顶盖层的表面上；和外腔反射镜，与底部DBR镜分隔并且面向底部DBR镜。
大功率垂直表面发射激光器

[发明专利]一种可调控偏振发光模式的发光二极管-CN202211412638.7在审
发明人：谢思扬;宋敏航;陶志阔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。
一种调控偏振发光模式发光二极管

[实用新型]一种高效激发的LED外延片及芯片-CN202222010051.5有效
发明人：胡加辉;金从龙;贾钊 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效激发的LED外延片及芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延片包括：依次设于衬底之上的缓冲层、截止层、欧姆接触层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层与电流扩展层；多量子阱层包括层叠设置的X对第一势阱层与第一势垒层、Y对第二势阱层与第二势垒层及Z对第三势阱层与第三势垒层；第二势阱层的厚度为第一势阱层或第三势阱层的厚度的至少两倍，第二势垒层的厚度为第一势垒层或第三势垒层的厚度的至少两倍。本实用新型中，通过将势阱层与势垒层设置成不规则的厚度，电子受激发进行跃迁时不同动能的电子能够落入不同的势阱层内，能够解决现有技术中动能过高的电子跃迁较大而导致光电转化效率低下的技术问题。
一种高效激发 led 外延芯片

[发明专利]多色LED以及有关的半导体器件-CN200580042503.4有效
发明人：托马斯·J·米勒;迈克尔·A·哈斯;孙晓光 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种包括位于pn结内部的第一势阱和不位于pn结内部的第二势阱的半导体器件。该势阱可以是量子阱。该半导体器件典型地为LED，可以是白光或接近白光的LED。该半导体器件可能另外包含一个不位于pn结内部的第三势阱。该半导体器件可能另外包含围绕或靠近或直接相邻第二势阱或第三量子阱的吸收层。此外，提供包括根据本发明的半导体器件的图形显示设备和照明设备。
多色 led 以及有关半导体器件

[发明专利]一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管-CN201410602125.1有效
发明人：郭霞;李冲;刘巧莉;董建;刘白 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明包括有依次纵向层叠的n型层(102)，电荷倍增区(103)，p型层(104)，衬底(106)，其特征在于，还包括有p型层(104)和衬底(106)之间的空穴势阱形成层(105)；实现空穴势阱有两种方法，一种是空穴势阱形成层(105)采用n型材料，当与p型层(104)形成pn结后，能带下移，使得p型层(104)的空穴位置能量最低，从而在p型层(104)中形成了空穴势阱；第二种方法是空穴势阱形成层(105)采用高出P型层(104)掺杂浓度2倍以上的p⁺型材料，在形成pp⁺结后，在空穴势阱形成层(105)中形成了空穴势阱。
一种熄灭恢复雪崩光电二极管

[发明专利]左右势阱粒子跃迁速率差异诱发共振增强机械瞬态特征提取方法-CN202110656605.6有效
发明人：谯自健;殷安民;左锦荣;谢重阳 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01M13/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种左右势阱粒子跃迁速率差异诱发共振增强机械瞬态特征提取方法，克服了现有基于随机共振故障检测方法仅仅增强单一故障特征频率幅值、无法提取重复瞬态特征的缺点，解决了未考虑左右势阱非对称性驱动粒子跃迁速率差异诱发共振微弱特征增强机理的问题本发明首先建立左势阱深度或宽度单一动态可调且与右势阱非对称双阱势，构造左右势阱非对称双阱势诱导过阻尼共振系统，产生不对等或不同步的左右势阱粒子跃迁速率；然后，构建左右势阱非对称双阱势诱导过阻尼共振阵列，
左右势阱粒子跃迁速率差异诱发共振增强机械瞬态特征提取方法

[发明专利]一种提高势阱质量的LED外延结构及其制备方法-CN201711084935.2在审
发明人：张义;王建立;马旺;王成新;徐现刚;肖成峰;郑兆河 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高势阱质量的LED外延结构及其制备方法，自下而上依次设置有衬底层、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层和P型InGaN欧姆接触层，量子阱层自下而上包括周期性的GaN势垒层、第一变温势阱层、恒温势阱层、第二变温势阱层；本发明使LED外延结构能生长出高质量的势阱层，由于其特殊势阱结构，能够显著阻挡和扩展N型电子的注入，使得量子阱和量子垒之间的晶格匹配度增加
势阱层势阱量子阱层变温制备非掺杂GaN层晶格匹配度内量子效率欧姆接触层出光效率器件性能依次设置衬底层缓冲层量子垒量子阱势垒层阻挡生长缓解

[发明专利]量子态编码装置、方法及量子处理器-CN202010571467.7在审
发明人：刘丰铭;陈明城;王粲;应翀;王建文;张宇宸;尚仲夏;陆朝阳;潘建伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：所述装置包括：量子比特结构(1)，在相位空间中具有N个势阱，第一势阱为N个势阱中能量最低的势阱，第一势阱中存在M个量子态，N为大于0的整数，M为大于1的整数；编码模块(2)，利用第一量子态和第二量子态作为逻辑比特进行编码利用一能量最低的势阱中能量最低的两个量子态进行编码，具有更快的操控速度，不易受磁通噪声影响，具有更长的相位退相干时间，易于操控，便于实现多比特耦合。
量子编码装置方法处理器

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