专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]分割预定线检测方法-CN201210189636.6有效
  • 田中诚;佐胁悟志;吉田圭吾;山田清 - 株式会社迪思科
  • 2012-06-08 - 2012-12-12 - H01L21/66
  • 本发明提供分割预定线检测方法。该分割预定线检测方法的特征在于,具有以下步骤:第1对准标记摄像步骤,将摄像单元定位到被卡盘台保持的被加工物,一边使该摄像单元在Y轴方向上移动,一边与该第1对准标记的间隔对应地照射该摄像单元的频闪光来在第对准标记的坐标值;第2对准标记摄像步骤,一边使该摄像单元在与该第1方向相反的第2方向上移动,一边与该第2对准标记的间隔对应地从该摄像单元照射频闪光来依次拍摄该第2对准标记,检测该第2对准标记的坐标值;以及分割预定线检测步骤,检测连接对应于Y轴方向的该第1对准标记和该第2对准标记而成的直线作为第1分割预定线
  • 分割预定检测方法
  • [发明专利]加工装置-CN202210632915.9在审
  • 大久保广成 - 株式会社迪思科
  • 2022-06-07 - 2022-12-30 - H01L21/67
  • 加工装置的控制单元包含:X轴方向定位部,其从第一分割预定线与第二分割预定线的交叉区域检测与第一分割预定线对应的直线区域而求出与X轴方向的角度,将与第一分割预定线对应的直线区域定位于X轴方向;第一分割预定线间隔设定部,其检测与下一条第一分割预定线对应的直线区域,设定第一分割预定线的间隔;第二分割预定线间隔设定部,其检测相邻的两条与第二分割预定线对应的直线区域,设定第二分割预定线的间隔;以及器件图像制作部,其制作由一对第一分割预定线和一对第二分割预定线围绕的一个器件图像并存储
  • 加工装置
  • [发明专利]分割装置-CN202310166320.3在审
  • 有贺真也;小林弘明 - 株式会社迪思科
  • 2023-02-24 - 2023-09-05 - H01L21/67
  • 本发明提供分割装置,其能够将晶片在分割预定线处可靠地分割。在分割装置中设置有第2相机,该第2相机形成用于判定是否在第1分割预定线处将晶片分割的第2图像。即,在该分割装置中,能够根据第2图像,确认是否在第1分割预定线处将晶片分割。因此,在该分割装置中,即使在晶片的一部分在第1分割预定线处残留而晶片未被分割的情况下,也能够按照在该第1分割预定线处将晶片分割的方式使分割单元再次进行动作。其结果是,在该分割装置中,能够将晶片在第1分割预定线处可靠地分割
  • 分割装置
  • [发明专利]切削方法-CN201110222408.X有效
  • 冯宇伟 - 株式会社迪思科
  • 2011-08-04 - 2012-03-14 - H01L21/78
  • 本发明提供一种切削方法,使得能够在切削相互交叉的多个第1分割预定线和第2分割预定线时,减少在最初切削的第1分割预定线上产生的加工品质的恶化。在切削半导体晶片(1)的划分器件区域(3)的格子状的第1和第2分割预定线(2a、2b)来进行切割时,在最初切削第1分割预定线(2a)的第1切削工序中不切削所有的第1分割预定线(2a),而至少跳过相邻的第1分割预定线(2a),即每隔例如1条、或者两条进行切削,接着在第2切削工序中切削第2分割预定线(2b)后,在第3切削工序中切削剩余的第1分割预定线(2a)。
  • 切削方法
  • [发明专利]晶片的分割方法及分割装置-CN200710102852.1有效
  • 关家一马;中村胜 - 株式会社迪斯科
  • 2007-05-09 - 2007-11-14 - H01L21/78
  • 本发明提供一种晶片的分割方法及分割装置,在沿形成有变质层的分割预定线施加外力来分割晶片时,使飞溅的微细碎片不会附着在器件上。本发明的晶片分割方法,将在表面上以格子状形成有多个分割预定线、并且在由多个分割预定线划分的多个区域形成器件、在内部沿多个分割预定线形成有变质层的晶片,在将该晶片的背面粘贴在环状框架上所安装的保持带上的状态下,沿多个分割预定线断裂,在通过保持带以晶片的表面为下侧保持了支持晶片的环状框架的状态下,沿形成有变质层的分割预定线对晶片施加外力,沿分割预定线断裂晶片。
  • 晶片分割方法装置
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202111043552.7在审
  • 铃木稔 - 株式会社迪思科
  • 2021-09-07 - 2022-04-01 - H01L21/78
  • 本发明提供晶片的加工方法,在通过等离子蚀刻对形成有钝化膜的晶片进行分割时,能够抑制钝化膜因散射光或穿过光而剥落的可能性。晶片的加工方法中,对分割预定线照射激光光线而去除层叠在分割预定线上的钝化膜并使半导体基板沿着分割预定线露出,然后在晶片的正面上覆盖树脂而形成保护膜,对分割预定线照射激光光线,去除层叠在分割预定线上的保护膜接着,在使半导体基板沿着分割预定线露出之后,将保护膜作为遮蔽膜,通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]封装基板的加工方法-CN201510423873.8在审
  • 高桥邦光;藤原诚司;出岛信和;竹内雅哉;相川力 - 株式会社迪思科
  • 2015-07-17 - 2016-02-10 - H01L21/56
  • 本发明提供一种封装基板的加工方法,能够在不降低封装器件的品质的情况下,将封装基板分割为各个封装器件。封装基板的加工方法中,沿着分割预定线将封装基板分割为各个封装器件,该封装基板在散热基板的正面分别在由形成为格子状的分割预定线划分出的多个区域上配置有多个器件,且由树脂覆盖了该多个器件,该方法具有:树脂去除工序,沿着封装基板的分割预定线照射脉冲宽度被设定为几μs以下的CO2激光的脉冲激光光线,沿着分割预定线去除覆盖了多个器件的树脂,从而使散热基板的正面沿着分割预定线露出;以及封装器件生成工序,沿着去除了树脂的分割预定线照射波长为大致1μm的激光光线,并沿着分割预定线分割散热基板,从而生成各个封装器件。
  • 封装加工方法
  • [发明专利]分割装置以及分割方法-CN201310655965.X有效
  • 服部笃;川口吉洋 - 株式会社迪思科
  • 2013-12-06 - 2018-02-13 - H01L21/67
  • 本发明提供一种分割装置以及分割方法,能够通过条部件来分割经带体支撑在与晶片(圆形板状物)对应的适当尺寸的环状框架内侧的晶片的分割预定线,而条部件不会与环状框架干涉。条单元(50)具有比晶片(1)的分割预定线(2)中的最短的长且比最长的短的第一条部件(51)、和比最长的长的第二条部件(52),使该条单元在条部件与分割预定线平行的状态下沿与分割预定线垂直的方向相对晶片相对移动,同时通过第一条部件(51)来断裂晶片的外侧区域的分割预定线,并通过第二条部件(52)来断裂晶片的中央区域的分割预定线,从而将晶片分割。通过具有与分割预定线的长度对应的长度的不同的条部件,防止条部件与环状框架(7)的干涉。
  • 分割装置以及方法
  • [发明专利]被加工物的激光加工方法-CN201010277952.X有效
  • 植木笃 - 株式会社迪思科
  • 2010-09-08 - 2011-04-20 - H01L21/78
  • 本发明提供一种被加工物的激光加工方法,其能够沿着分割预定线高精度地分割被加工物。某一实施方式中的加工方法包括:第一改性区域形成工序,在被加工物(1)的表面附近形成沿着第一分割预定线和第二分割预定线的第一改性区域(111);第二改性区域形成工序,在被加工物(1)的背面与在第一改性区域形成工序中形成于被加工物(1)内部的第一改性区域(111)之间的预定位置、且在第一分割预定线与第二分割预定线的交叉区域形成第二改性区域(113);以及分割工序,对形成有第一改性区域(111)和第二改性区域(113)的被加工物(1)施加外力,从而将该被加工物(1)沿着第一分割预定线和第二分割预定线分割成一个个芯片。
  • 加工激光方法
  • [发明专利]封装基板的分割方法-CN201410721292.8有效
  • 佐胁悟志 - 株式会社迪思科
  • 2014-12-02 - 2020-04-21 - H01L21/78
  • 本发明提供一种封装基板的分割方法。该封装基板的分割方法以使封装尺寸处于尺寸容许值内的方式,将封装基板分割为各个封装器件。封装基板的分割方法具有如下工序:根据分割预定线的位置坐标,检测分割预定线之间的指标尺寸;判定指标尺寸是否处于封装器件的规格内;在指标尺寸处于规格外的情况下,将分割预定线的位置坐标校正为处于规格内;以及在指标尺寸处于规格内的情况下,沿着检测时的分割预定线,对封装基板进行加工,在指标尺寸处于规格外的情况下,沿着校正后的分割预定线,对封装基板进行加工。
  • 封装分割方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201510358142.X有效
  • 中村胜 - 株式会社迪思科
  • 2015-06-25 - 2019-09-17 - H01L21/301
  • 本发明提供晶片的加工方法,能够沿划分器件的分割预定线可靠地分割在基板的正面层叠有低介电常数绝缘体覆盖膜(Low‑k膜)等功能层的晶片。晶片的层叠在基板的正面上的功能层被形成为格子状的多条分割预定线划分,在通过该多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件,该晶片的加工方法包含:激光加工槽形成工序,对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽从而沿着分割预定线割断功能层;以及改质层形成工序,从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线,在基板的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]激光加工装置-CN201710130972.6有效
  • 前田勉 - 株式会社迪思科
  • 2017-03-07 - 2020-10-27 - B23K26/53
  • 激光加工装置的控制器包含:存储部,其对沿着晶片的分割预定线形成改质层的加工条件进行存储;以及加工预定线计算部,其将作为加工条件而存储的形成改质层的预定的位置作为加工预定线而显示在显示面板上。加工预定线计算部具有输出部,该输出部在第1分割预定线的起点或终点与第2分割预定线相连的区域使加工预定线与第1分割预定线重叠而显示在显示面板上。该激光加工装置中,允许在显示面板上将沿着第1分割预定线形成的第1改质层的起点或终点的位置进行重新设定,以使得不与沿着第2分割预定线形成的第2改质层干涉。
  • 激光加工装置

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