专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶圆设备-CN202211111566.2在审
  • 王强;于光明;孙志超;庭玉超;张方伟 - 江苏京创先进电子科技有限公司
  • 2022-09-13 - 2022-11-15 - B24B7/22
  • 本发明涉及薄技术领域,公开了晶圆设备。晶圆设备包括:取料组件,包括支架、第一机械手、对中件及多种尺寸的料盒,第一机械手及对中件均设置在支架上,多种尺寸的料盒选择性地放置在支架上,且一种尺寸的料盒内放置有一种尺寸的待加工晶圆,第一机械手用于将料盒内的待加工晶圆移至对中件,对中件用于对中多种待加工晶圆的中心;承料组件,包括支撑台、分度台及承片台,分度台转动设置在支撑台上,承片台转动设置在分度台上,承片台用于吸附待加工晶圆,且待加工晶圆的中心与承片台的中心重合;组件,用于承片台上的待加工晶圆,以形成晶圆。该晶圆设备能够对多种不同尺寸的待加工晶圆进行加工,通用性较高。
  • 晶圆减薄设备
  • [发明专利]一种半导体晶圆方法-CN202010034702.7在审
  • 卢文胜 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2020-01-14 - 2021-07-30 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种半导体晶圆方法,其包括:对半导体晶圆的待的表面进行粗磨,粗磨的深度为预设的第一深度;对所述半导体晶圆的所述待的表面进行精磨,精磨的深度为预设的第二深度;所述第二深度小于所述第一深度;用腐蚀液对所述半导体晶圆的所述待的表面进行湿法刻蚀,腐蚀的深度为第三深度;所述第三深度小于所述第二深度;所述腐蚀液包括硫酸、氢氟酸和草酸。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下,能够用少量的腐蚀液来对半导体晶圆进行快速刻蚀,并且对半导体晶圆的整个的作业时间大大减少,从而能够大大降低对半导体晶圆的成本,并提高了效率。
  • 一种半导体晶圆减薄方法
  • [发明专利]一种用于锂离子电池的无机电解质陶瓷片的方法-CN202011321986.4在审
  • 张璐;姜明序;蔡超 - 中国电子科技集团公司第十八研究所
  • 2020-11-23 - 2021-03-12 - B24B1/00
  • 本发明属于锂电池技术领域,具体属于一种用于锂离子电池的无机电解质陶瓷片的方法,包括粘结、、解离工艺,步骤如下:通过粘结剂将无机电解质陶瓷片的一面与载片粘贴,使用测厚仪记录无机电解质陶瓷片的粘结前的厚度以及复合片的厚度;打开机械机,把贴好的复合片真空吸附在陶瓷盘工件台上;调节砂轮和工件转速,设置工艺参数;使用800#—2000#的金刚石砂轮进行磨削,设定进给速度和去除量之后机自动计时;工艺结束后将复合片从陶瓷盘取下来,进行清洗,工艺完成。将后的复合片进行解离,即可得到厚度的无机电解质陶瓷片。本发明可以降低固态电解质电阻,提高锂离子电池的容量发挥及倍率性能。
  • 一种用于锂离子电池无机电解质陶瓷方法
  • [发明专利]一种支撑型超薄玻璃方法-CN202111659513.X在审
  • 易文辉 - 苏州凯利昂光电科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-03-15 - C03C15/00
  • 本发明公开了一种支撑型超薄玻璃方法,包括以下步骤:S1,提供一块待的玻璃和一块支撑板;S2,将支撑板的一面及四周贴附PVC膜;S3,将待的贴附于支撑板未贴附PVC膜的一面,并通过胶水粘附;S4,通过UV胶对待的玻璃和支撑板进行封边,并固化;S5,将待的玻璃放入氢氟酸中单面S6,完成后,取出玻璃,并将UV胶和PVC膜撕除后,浸入热水中将玻璃与支撑板分离。本发明通过支撑板对玻璃进行支撑,以增加玻璃强度,进而防止其在搬运、过程中发生破片;同时支撑板采用覆膜的方式防止腐蚀,进而实现支撑板重复利用,降低生产成本;优选的,支撑板选择同材质的玻璃,避免支撑板造成玻璃表面损坏
  • 一种支撑超薄玻璃方法
  • [发明专利]一种晶圆装置及方法-CN202211021343.7在审
  • 李国强 - 河源市众拓光电科技有限公司
  • 2022-08-24 - 2022-11-29 - B24B7/22
  • 本发明公开了一种晶圆装置及方法。本发明在晶圆装置设置第一主轴、第二主轴和第三主轴,通过承载组件将晶圆移动至第一工位、第二工位或者第三工位,并通过第一主轴以第一速度对位于第一工位的晶圆进行处理至第一厚度,通过第二主轴以第二速度对位于第二工位的晶圆进行处理至第二厚度,通过第三主轴对位于第三工位的晶圆进行化抛处理至目标厚度,实现了将晶圆的工序分开在三个主轴下独立作业,可通过第一主轴、第二主轴和第三主轴同时处理三个晶圆,大幅提升了晶圆的产能和设备利用率。
  • 一种晶圆减薄装置方法
  • [发明专利]背面晶圆的固定装置-CN202011463307.7有效
  • 马富林;郑刚;曹志伟 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2020-12-14 - 2022-12-27 - H01L21/683
  • 本申请公开了一种背面晶圆的固定装置,涉及半导体制造领域。该背面晶圆的固定装置包括载片台、至少3个顶柱、边缘环紧固圈;至少3个顶柱分布在载片台的顶部,顶柱与晶圆的Taiko环对应;边缘环紧固圈位于在载片台的上方,边缘环紧固圈与载片台连接;边缘环紧固圈由卡箍和顶部压环组成,卡箍设置在顶部压环的底部,卡箍的内径等于晶圆的外径;顶部压环的内边缘与卡箍的内侧之间的距离小于晶圆的Taiko环的宽度;解决了目前晶圆吸附在载片台上后,容易抖动或挑动,而从载片台上剥离的问题;达到了避免背面晶圆在抽真空时从载片台上剥离,减少晶圆掉片的效果。
  • 背面减薄晶圆固定装置
  • [实用新型]一种辅助硅片的电控吸附装置-CN202021517127.8有效
  • 石春生;曹丽萍;张万财;王加初 - 平凉市老兵科技研发有限公司
  • 2020-07-28 - 2021-04-09 - H01L21/683
  • 本实用新型公开了一种辅助硅片的电控吸附装置,包括基体及带膜贴片环,基体中心设有空心区域及基体凹台,在基体上表面设有多个不同形状的腔体、凹台及贯通的矩形走线槽,在基体下表面设有用于固定电磁铁的多个平头沉孔及将基体固定在相应的吸盘底座上的多个圆柱头沉孔,本实用新型提供了一种辅助硅片的电控吸附装置,与现有技术相比,其制作简单,加工材料需求不高,成本低,风险低,经过实际的硅片试验,此装置在磨削过程中能有效避免硅片在低于100μm之后的崩边和碎裂情况,经的硅片厚度实测最低厚度小于70μm,由此可以实现硅片过程中“带环”的操作,将到划片的流程简化,提高了成片率。
  • 一种辅助硅片吸附装置

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