专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]臂上开缝且中心区型十字形试件-CN200810104081.4无效
  • 韩非;万敏;吴向东;王海波 - 北京航空航天大学
  • 2008-04-15 - 2008-08-27 - G01N3/00
  • 本发明一种臂上开缝且中心区型十字形试件,采用基本的十字形试件作为基础,试件长宽相等,在十字臂的臂与臂之间,有圆弧过渡;十字臂上有间隔均匀的开缝;中心区为两面对称;其特征在于:中心区与十字臂等宽度;区形状为方形或组合式;所述的方形在中心区有一圆角过渡,R=12~20mm,且该过渡不能与开缝的端点相切;组合式的过渡为三段相切的1/4圆弧,半径相等,r=6~12mm。本发明的区宽度与臂宽度相等使计算应力方便准确;区的圆角过渡则减小了应力集中。该试件用于复杂加载路径下双向拉伸实验,提高变形量,达到大变形。
  • 臂上开缝中心区减薄型十字形
  • [实用新型]臂上开缝且中心区型十字形试件-CN200820079952.7无效
  • 韩非;万敏;吴向东;王海波 - 北京航空航天大学
  • 2008-04-15 - 2009-04-22 - G01N3/00
  • 本实用新型一种臂上开缝且中心区型十字形试件,采用基本的十字形试件作为基础,试件长宽相等,在十字臂的臂与臂之间,有圆弧过渡;十字臂上有间隔均匀的开缝;中心区为两面对称;其特征在于:中心区与十字臂等宽度;区形状为方形或组合式;所述的方形在中心区有一圆角过渡,R=12~20mm,且该过渡不能与开缝的端点相切;组合式的过渡为三段相切的1/4圆弧,半径相等,r=6~12mm。本实用新型的区宽度与臂宽度相等使计算应力方便准确;区的圆角过渡则减小了应力集中。该试件用于复杂加载路径下双向拉伸实验,提高变形量,达到大变形。
  • 臂上开缝中心区减薄型十字形
  • [实用新型]一种三向刚性加载下多尺寸岩样定位装置-CN201520975117.1有效
  • 陈绪新;秦哲;朱合轩 - 山东科技大学
  • 2015-12-01 - 2016-06-08 - G01N3/04
  • 本实用新型一种三向刚性加载下多尺寸岩样定位装置,包括基座、带定位孔承压垫块、中心定位螺杆、四个装配螺杆、磨片。正方形基座中心装配有中心定位螺杆,以及与承压垫块定位孔相配合的四个装配螺杆,承压垫片开有定位孔能与中心定位螺杆及装装配螺杆相配合,起到定位及防错位的作用,承压垫片可加工成不同装配尺寸,在三轴刚性加载实验过程中可根据试件的形状、尺寸选择不同规格的承压垫片;承压垫片与试件端部安防磨片,磨片由铜片与聚四氟乙烯垫片等组成。本实用新型装配结构简单,操作方便,适应三向刚性加载下岩石真三轴试验,可以对多尺寸、多形状试件进行试验,解决三向刚性加载下试样的中心定位问题,避免试件错位。
  • 一种刚性加载尺寸定位装置
  • [发明专利]半导体的加工方法-CN202111622877.0在审
  • 马阳军 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2021-12-28 - 2023-06-30 - B24B37/04
  • 本发明公开了一种半导体的加工方法,应用于二氧化硅基体内含有镍铁线圈的半导体元件,包括:将半导体元件放置在第一盘上进行第一次研磨,得到一次后的半导体元件;将一次后的半导体元件放置在第二盘上进行第二次研磨,得到二次后的半导体元件;其中,第二盘上的金刚石颗粒小于第一盘上的金刚石颗粒,第二盘的旋转速度小于第一盘的旋转速度;将二次后的半导体元件放置在第三盘上进行抛光研磨,得到抛光后的半导体元件;其中,第三盘上的金刚石颗粒小于第二盘上的金刚石颗粒,第三盘的旋转速度小于第二盘的旋转速度。
  • 半导体加工方法
  • [发明专利]砂轮及其组件、碳化硅衬底及方法与应用-CN202011548722.2有效
  • 汪良;张洁;王旻峰 - 湖南三安半导体有限责任公司
  • 2020-12-24 - 2022-03-18 - B24D7/06
  • 本申请提供了一种砂轮及其组件、碳化硅衬底及方法与应用,涉及碳化硅加工技术领域。该减砂轮包括砂轮底座由多个齿沿砂轮底座的周向依次首尾连接而成的基底,基底不含金刚石固体。该减砂轮能够避免在碳化硅过程中造成深浅不一的划痕,能降低碳化硅衬底的损耗和加工成本。含上述砂轮的碳化硅组件能有效地对碳化硅进行。采用上述组件进行操作,可降低后碳化硅衬底表面的划伤深度,甚至降低碳化硅衬底表面的损伤层,提高后衬底表面的光洁度,此外,还能减少过程中的衬底破损率,提高衬底加工的合格率。所得的碳化硅衬底表面光洁,合格率高,其可进一步用于加工半导体器件。
  • 砂轮及其组件碳化硅衬底方法应用

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