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[发明专利]掩膜板-CN201310328985.6有效
发明人：郭建 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜板，包括设置在掩膜板透光区域中的能够减少透射光衍射的结构。本发明的掩膜板透光孔中设置有能够减少透射光衍射的结构，该结构通过控制透射光的衍射，使得在光刻胶上因曝光而产生的孔尽量不扩大，以保证刻蚀工艺后形成的过孔实现小型化，满足精细化布线的要求，有效提高液晶显示器分辨率
掩膜板

[发明专利]掩膜板的清洗方法及清洗装置-CN201410677403.X有效
发明人：李金川 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜板的清洗方法及清洗装置。该掩膜板的清洗方法包括提供碱性导电溶液，并将掩膜板浸没于碱性导电溶液中；将掩膜板连接于电源的阳极和阴极中的一个，且阳极和阴极中的另一个浸没于碱性导电溶液中；接通电源，使碱性导电溶液发生电离反应并生成气体，从而通过气体将掩膜板上的污染物带离掩膜板。通过上述方式，本发明能够有效去除掩膜板上的灰尘等颗粒物以及光阻残留，提高有机发光显示面板的生产良率，降低生产成本。
掩膜板清洗方法装置

[发明专利]蒸镀装置、蒸镀方法以及显示装置-CN201911315646.8在审
发明人：杜骁;孔香植;李们在;金武谦;李先杰;杨林 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种蒸镀装置、蒸镀方法以及显示装置，所述蒸镀装置包括机台，用于放置基板；所述基板包括工作区及非工作区；所述工作区包括显示区以及非显示区；框架，用以安装掩膜板；以及至少一掩膜板，包括第一掩膜板和第二掩膜板；其中，所述第一掩膜板安装至所述框架，且与所述基板相对设置；所述第二掩膜板安装至所述框架，且与所述基板相对设置。本发明的技术效果在于，由第二掩膜板蒸镀出的第二阴极搭接至由第一掩膜板蒸镀出的第一阴极，阴极完全避开屏下摄像区，提高摄像区的光透过率，改善摄像效果。
装置方法以及显示装置

[发明专利]用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法-CN201410443536.0有效
发明人：毛刚;张弓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法。该掩膜版组件包括第一掩膜版和第二掩膜版，其中第一掩膜版包括至少两组第一图形单元，每组第一图形单元包括第一光阻挡区和第一光透过区；第二掩膜版包括与每组第一图形单元的位置对应设置的第二图形单元，每组第二图形单元包括第三光透过区和第三光阻挡区，其中，第一掩膜版还包括：第二光阻挡区，设置于相邻第一图形单元之间；第二光透过区，设置于相邻第一图形单元之间；第二掩膜版还包括：第四光透过区，与第二光阻挡区的位置对应设置；第四光阻挡区，设置于相邻第二图形单元之间，且位于第四光透过区的两侧。该掩膜版组件中图形的均匀性得以提高。
掩膜版图形单元光透过光阻挡鳍部组件包括均匀性两组制作申请

[发明专利]一种绝对式光栅尺-CN201610234556.6有效
发明人：李星辉;倪凯;王欢欢;周倩;王晓浩;冒新宇;曾理江;肖翔 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： G01D5/38 文献下载
摘要：本发明公开了绝对式光栅尺，其中，主光栅上分布有若干个参考编码道，任意相邻的两个参考编码道之间的距离与其余任意相邻的两个参考编码道之间的距离不相同，第一分光镜将光源的光分成射向主光栅的光束和射向增量位移测量单元的光束，射向主光栅的光束经过掩膜板到达主光栅并被反射后，再次经过掩膜板后被参考位置光电探测器接收，掩膜板上设有与参考编码道相同的编码道，掩膜板的位置设置成掩模版绕θx方向倾斜一个小的角度，使得射向掩膜板的光束被掩膜板反射后不被参考位置光电探测器接收
一种绝对光栅尺

[实用新型]一种绝对式光栅尺-CN201620313005.4有效
发明人：李星辉;倪凯;王欢欢;周倩;王晓浩;冒新宇;曾理江;肖翔 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G01D5/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了绝对式光栅尺，其中，主光栅上分布有若干个参考编码道，任意相邻的两个参考编码道之间的距离与其余任意相邻的两个参考编码道之间的距离不相同，第一分光镜将光源的光分成射向主光栅的光束和射向增量位移测量单元的光束，射向主光栅的光束经过掩膜板到达主光栅并被反射后，再次经过掩膜板后被参考位置光电探测器接收，掩膜板上设有与参考编码道相同的编码道，掩膜板的位置设置成：掩模版绕θx方向倾斜一个小的角度，使得射向掩膜板的光束被掩膜板反射后不被参考位置光电探测器接收
一种绝对光栅尺

[发明专利]半导体集成电路器件制备方法,其光掩膜和它的制备方法及掩膜胚-CN00810736.X有效
发明人：长谷川升雄;寺泽恒男;田中稔彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2000-06-30 - 公布日： 2002-08-14 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：在半导体集成电路器件制备方法中,为了抑制防止外来物质的产生,使用的光掩膜构建方式为,阻挡膜被用作光屏蔽膜来进行检测或暴光处理,当光掩膜1PA1被安装于如检测设备或对准机预定装置上时,其状态为,预定装置的安装部分2与光掩膜1PA1的掩膜衬底1a的主表面区域接触,其中在掩膜衬底1a的主表面上不存在皆由阻挡膜形成的光屏蔽图形1b和掩膜图形1mr。
半导体集成电路器件制备方法光掩膜掩膜胚

[发明专利]栅极制造方法-CN200910052545.6无效
发明人：齐龙茵;奚裴;石小兵;黄莉;杨昌辉;张振兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明揭露了一种栅极制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层、硬掩膜层和图案化光阻层；以所述图案化光阻层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，形成图案化硬掩膜层，同时所述图案化光阻层被部分移除；以剩余的图案化光阻层和所述图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层和栅氧化层，同时所述剩余的图案化光阻层被完全移除，所述图案化硬掩膜层被部分移除；移除剩余的图案化硬掩膜层，形成栅极。本发明可避免光阻残渣现象的出现，提高了半导体器件的良率，并可节约生产成本，提高生产效率。
栅极制造方法

[发明专利]一种遮光掩膜板的制造方法及其应用-CN200610119116.2无效
发明人：焦峰;秦锋 -专利权人：上海广电NEC液晶显示器有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：现有的刻蚀工艺用的掩膜板的制造需要用到一个价格昂贵、制作过程复杂的石英母版，因而提高了刻蚀用掩膜板的制作成本和制作时间；本发明提供了一种不使用石英母版来生产刻蚀用掩膜板的新方法来制作掩膜板。
一种遮光掩膜板制造方法及其应用

[发明专利]掩膜板、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置-CN201710801197.2在审
发明人：王伟;郝明迁;曹振洋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜板、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述掩膜板包括对应所述彩膜基板的像素区域的透光图形，还包括对应所述彩膜基板的虚拟像素区的部分透光图形。彩膜基板的制作方法包括在衬底基板上涂布彩色负性光阻材料，利用如上所述的掩膜板对所述彩色负性光阻材料进行曝光，显影后保留像素区域的彩色负性光阻材料，去除虚拟像素区的部分彩色负性光阻材料。
掩膜板彩膜基板及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]一种光掩膜基板标记尺寸测试系统及方法-CN202111596532.2在审
发明人：欧阳琛;朱继红;张欣;刘经纬 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光掩膜基板标记尺寸测试系统，包括三维移动平台、光源、聚焦透镜、相机、计算机和控制器；所述三维移动平台的中部设有透明且透光的固定板；待测试的光掩膜基板安装在固定板上；所述光源位于固定板的下方，所述聚焦透镜位于光掩膜基板的上方；所述相机镜头正对聚焦透镜；所述相机、控制器分别与计算机相连，控制器与三维移动平台相连，控制三维移动平台的运动。本发明还提供了一种光掩膜基板标记尺寸测试方法。本发明的有益效果为：本发明基于机器视觉法，寻找标记角的特定区域成像清晰时的位置，通过位置的差异比较得到标记角的尺寸，在测量过程中不接触光掩膜基板质量区，避免了划痕的产生，且测量成本低。
一种光掩膜基板标记尺寸测试系统方法

[发明专利]蒸镀用掩膜板装置及其操作方法-CN201910375487.4有效
发明人：谭伟;姜亮 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开一种蒸镀用掩膜板装置及其操作方法，所述蒸镀用掩膜板装置包括一第一贴附板、一掩膜板及一第二贴附板，其中所述第一贴附板配置用以贴附在所述掩膜板的一下表面，所述掩膜板的一上表面配置用以贴附在所述基板的一下表面，所述第二贴附板配置用以贴附在所述基板的一上表面，并用以对所述基板下方的所述掩膜板提供一吸引力，以将所述掩膜板保持固定在所述基板上。
蒸镀用掩膜板装置及其操作方法

[发明专利]光掩膜坯料的制造方法-CN201410499396.9在审
发明人：吉井崇;河合义夫;稻月判臣;渡边聪;池田显;桜田豊久;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。
光掩膜坯料制造方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置-CN201410301711.2有效
发明人：石井孝幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：第1工序对在掩膜上形成的具有规定的图案的光致抗蚀膜进行等离子体处理。第2工序沿着被等离子体处理的光致抗蚀膜的图案用等离子体对掩膜进行蚀刻，使形成于掩膜的下层的有机膜露出。第3工序用包含O2、COS和Cl2的混合气体的等离子体对有机膜进行蚀刻。
等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]光掩膜承载盒以及光掩膜装置的承载及清洁方法-CN201711348626.1在审
发明人：刘子汉;林重宏;温志伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光掩膜承载盒用以承载光掩膜装置，光掩膜承载盒包括壳体以及抽气装置。壳体包括容置空间、进气孔以及抽气口，光掩膜装置设置于容置空间内，且进气孔经配置以将清洁气体注入壳体的容置空间内。本发明实施例更提供一种光掩膜装置的承载及清洁方法。
光掩膜容置空间壳体承载盒抽气装置进气孔承载清洁气体装置设置清洁抽气口抽气配置