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[发明专利]一种光刻机近端超纯水深度纯化装置及光刻机供水系统-CN202310271849.1在审
发明人：王鹏;李刚 -专利权人：世源科技工程有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C02F1/20 文献下载
摘要：本发明涉及超纯水净化技术领域，公开一种光刻机近端超纯水深度纯化装置及光刻机供水系统，该光刻机近端超纯水深度纯化装置包括:供水管路、回流管路、脱气组件、错流式微型过滤器和光刻机进液管路，所述供水管路的出水口与所述第一脱气组件的进水口连通，所述第一脱气组件的出水口与所述错流式微型过滤器的进水口连通，所述错流式微型过滤器的回水口与所述回流管路的进水口连通，所述错流式微型过滤器的透过水口与所述光刻机进液管路连通，第二脱气组件在回流管路上并与所述错流式微型过滤器的回水口连通一旦回水口流出的水发生意外反流或细菌、颗粒、有机物、溶解氧、气泡等逆向扩散，依然可以将其隔留，有效阻止其进入光刻机。
一种光刻机近端超纯水深度纯化装置供水系统

[发明专利]氨气浓度侦测方法和控制光刻工艺中图形CD的方法-CN201410239134.9有效
发明人：王清蕴;卢子轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种氨气浓度侦测方法，用于侦测光刻机机台内部的氨气浓度，至少包括步骤S1，提供一晶圆，在晶圆上形成光阻；步骤S2，图形化光阻，形成光阻图形；其中，光阻图形具有至少一个受到光刻机机台内部的氨气影响的第一区域和至少一个未受到光刻机机台内部的氨气影响的第二区域，第一区域和第二区域均匀分布在晶圆上；步骤S3，选取至少一个第一区域和至少一个第二区域进行CD量测，得到至少一个第一CD和至少一个第二CD；步骤S4，根据第一CD和第二CD的尺寸差异，计算光刻机机台内部的氨气浓度本发明采用量测CD的方法侦测光刻机机台内部的氨气浓度，对光刻机机台生产作业的影响降到了最低，可以经常进行侦测。
氨气浓度侦测方法控制光刻工艺图形 cd

[实用新型]一种光刻机近端超纯水深度纯化装置及光刻机供水系统-CN202320547680.3有效
发明人：王鹏;李刚 -专利权人：世源科技工程有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C02F1/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及超纯水净化技术领域，公开一种光刻机近端超纯水深度纯化装置及光刻机供水系统，该光刻机近端超纯水深度纯化装置包括:供水管路、回流管路、脱气组件、错流式微型过滤器和光刻机进液管路，所述供水管路的出水口与所述第一脱气组件的进水口连通，所述第一脱气组件的出水口与所述错流式微型过滤器的进水口连通，所述错流式微型过滤器的回水口与所述回流管路的进水口连通，所述错流式微型过滤器的透过水口与所述光刻机进液管路连通，所述第二脱气组件在回流管路上并与所述错流式微型过滤器的回水口连通一旦回水口流出的水发生意外反流或细菌、颗粒、有机物、溶解氧、气泡等逆向扩散，依然可以将其隔留，有效阻止其进入光刻机。
一种光刻机近端超纯水深度纯化装置供水系统

[实用新型]一种可用于多种光刻机对位用光罩-CN202321161441.0有效
发明人：高雅楠;程鑫怡 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可用于多种光刻机对位用光罩，属于光刻机的对位系统及对位标记技术领域，所述光罩上设有对准标记组，对准标记组包括至少两种型号光刻机所需的对准标记，各对准标记相互独立。本实用新型在光罩上集成各型号光刻机所需的对准标记，即提供了一种可兼容不同型号曝光机对位用的对准标记组，为后续不同曝光机的对位提供基准，进而保证后续有序曝光，提高了产品制程效率；各对准标记相互独立，彼此间不会相互影响
一种用于多种光刻对位用光

[实用新型]一种光刻机的送料装置-CN202121848291.1有效
发明人：关庆伟;关则形;何星华;林志成;林里亨 -专利权人：广州市天狮包装印刷有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及光刻机技术领域，具体地说，涉及光刻机的送料装置，包括U型板，两个竖板顶部之间设有光刻机，U型板两侧臂上方靠近右端处设有固定板，固定板上表面中心位置嵌设有上料斗，固定板与竖板之间还对称设有引导板，U型板两侧臂之间靠近两端处均设有转辊，转辊之间套设有输送带，U型板外壁上设有电机，电机的输出轴与其中一个转轴转动连接；该光刻机的送料装置，U型板上安装竖板，竖板两侧配有防护板，竖板之间进行防护，安装对应的光刻机，防护板防止紫外光对外界环境或人体造成损伤，固定板与上料斗的配合，便于持续进行防入需要光刻的原料，在进接引板的配合下将原料输送至输送带上，在电机的配合下，进行稳定输送光刻使用。
一种光刻装置

[实用新型]一种基于测序的生物组织成像系统-CN202123372918.3有效
发明人：徐臻;吴天准;舒伟良;黄玉斌 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C12Q1/6869 文献下载
摘要：本实用新型包括计算机、微流控模块、光刻机模块和温控模块。计算机连接并控制微流控模块、光刻机模块和温控模块。微流控模块的一端与光刻机模块相连，另一端与温控模块相连。光刻机模块的一端与微流控模块相连，另一端与温控模块相连。本实用新型成像系统能够在微米和亚微米尺度上，解析所标记的生物大分子身份和及其空间位置，重构组织标本高通量分子图像。
一种基于生物组织成像系统

[发明专利]一种光罩自动派工控制方法及控制系统-CN201410428244.X有效
发明人：冯亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩自动派工控制方法，包括：获得每一个光罩的可作业机台、可作业机台数量和使用该光罩的制品的数量，以及每一个光刻机机台的可作业光罩和可作业光罩数量；在未分配的光罩中，将可作业机台数量最少的光罩分配至可作业光罩数量最少且可作业该光罩的光刻机机台；根据上述步骤的分配结果修改光刻机机台的可作业光罩和可作业光罩数量；重复上述步骤至全部光罩已被分配；根据全部光罩的分配结果生成自动派工控制表。本发明能够使生产线上每个光刻机台达到最大化利用，同时避免光刻机间负荷不平衡及光罩错放。
光罩作业光机台光刻机作业机台分配结果分配最大化利用控制系统控制表光刻重复

[发明专利]一种监测光刻机焦距偏移的方法-CN201210047368.4有效
发明人：唐在峰;张旭升;吕煜坤;方超 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测光刻机焦距偏移的方法，包括以下步骤：确定出光刻机正常状况下光谱曲线的状况，得到参考光谱曲线，并根据该情况建立量测程式；在满足晶圆的曝光条件随着光刻机焦距而变化的前提下，再曝光一片第一晶圆；依据已经建立的量测程式测出满足上述曝光条件下的第一晶圆，得到实际量测光谱曲线；确定一警报点分数；把警报点分数输入到已经建立的量测程式中；用已经建立的量测程式来监测光刻机的焦距偏移。由于利用了光学线宽测量仪，这样既能及时有效地通过量测量产的晶圆来判断光刻机台焦距的变化情况，又能降低受到量测干扰从而带来的判断误差。
一种监测光刻焦距偏移方法

[发明专利]一种用于光刻机的镭射架-CN201910304662.0有效
发明人：罗涛 -专利权人：罗涛
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了光刻机镭射架技术领域的一种用于光刻机的镭射架，包括插杆、螺纹杆、套管和两组固定板，通过内螺纹管、塑料五星把手螺栓和正六边形板限制套管上下移动和固定，利用插杆和套管带动固定板固定在楼层之间，采用镭射管卡在两组软橡胶板和弧形软橡胶块之间，从而抑制住镭射管在水平方向的震动，确保光刻机本身震动在传递给镭射管时，其镭射管在水平方向的震动幅度在设备技术要求范围允许内；从而确保激光束能顺利通过镭射管传输给光刻机，保障了光刻机能正常运转，该装置操作简单
一种用于光刻镭射

[发明专利]一种套刻匹配方法-CN202210330316.1在审
发明人：李伟峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻匹配方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成第一光刻胶层；利用第一光刻机对所述第一光刻胶层进行曝光，剩余的所述第一光刻胶层构成第一对位标记；在所述晶圆上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖所述晶圆及所述第一对位标记；利用第二光刻机对所述第二光刻胶层进行曝光，剩余的所述第二光刻胶层构成第二对位标记；获取所述第一对位标记及所述第二对位标记之间的套刻精度，根据所述套刻精度对所述第二光刻机曝光的初始位置进行调整。通过光刻胶层在所述晶圆上形成第一对位标记及所述第二对位标记，在避免对所述晶圆进行刻蚀工艺的情况下实现光刻机之间的套刻匹配。
一种匹配方法

[发明专利]掩模板及光刻机的标定方法-CN202111164097.6在审
发明人：王博;张家锦 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模板及光刻机的标定方法。其中，掩模板上的测量标记包括第一图形和第二图形，第一图形和第二图形具有一公共点，且均设置有刻度图形。在标定过程中，以标准光刻机为参照，分别在标准光刻机和待标定光刻机上曝光出测量标记，直接读取公共点的偏差并修正参数，实现对视场中心的标定；通过直接读取和计算，能得到曝光视场尺寸的误差及上片误差。此外，还可以将待标定光刻机作为参照基准，标定出不同上片角度下的上片相对偏移量。因此，本发明不但提高了标定效率，保证了光刻的精准度，而且应用场景多样化，通用性好，适用范围广。
模板光刻标定方法

[发明专利]一种用于桌面STEPPER光刻机的投影物镜-CN201410543114.0有效
发明人：刘俊伯;程依光;赵立新;胡松 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G02B13/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于桌面STEPPER光刻机的投影物镜，其采用了双远心、14片结构，工作波长为i线(365nm)。该物镜光学共轭总长(物方到像方)L＝500mm，物方、像方工作距均为60mm。经过面型优化和机械结构微调后，该光刻投影物镜像方分辨力能达到<5mm。该光刻机的投影物镜的数值孔径较高，可以有效提高光刻分辨力；该光刻机的投影物镜的总片数较少，且未采用非球面，可以在有效平衡像差的同时，降低加工装配的难度；该光刻机的投影物镜的光学共轭距较短，可以很好地集成入小型化光刻设备之中
一种用于桌面 stepper 光刻投影物镜

[发明专利]光刻装置及提高光刻机套准精度的方法-CN201110391694.2有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻装置，包括：光刻机镜头，包括由多个透镜构成的透镜组，用于透射光刻机发出的光束；硅片工件台，位于该镜头下方，用于放置硅片；温度测量系统，附设于该工件台，以检测该工件台的温度；补偿控制系统，根据该温度测量系统传来的温度信号和预先拟合的硅片套准偏差与硅片工件台温度的函数关系，预测出实刻硅片的套准偏差，控制该光刻机镜头中的透镜组在光轴方向发生相对位移以补偿该实刻硅片的套准偏差。该光刻装置实现了批次间和片间套准精度的均匀，结构简单、通用性好。本发明还公开了一种提高光刻机套准精度的方法。
光刻装置提高机套精度方法

[发明专利]不同光刻机之间的套刻匹配方法-CN201510170806.X在审
发明人：李玉华;王亚超 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种不同光刻机之间的套刻匹配方法，包括以下步骤：提供掩膜版；掩膜版上形成有掩膜图案，掩膜图案包括等间距且成矩形阵列排布的套刻标记图形；将第一光刻机和第二光刻机中光刻性能较佳的一个设置为初始机台，另一个设置为二次机台；利用初始机台以及掩膜版在测试晶圆上光刻形成第一次光刻图形；将掩膜版相对于对准位置进行一定量的偏移后利用二次机台将掩膜版上的图形曝光到测试晶圆的第一次光刻图形上并显影后形成二次光刻图形；测试第一次光刻图形和二次光刻图形之间的套刻精度并根据套刻精度对二次机台的参数进行调整。上述不同光刻机之间的套刻匹配方法具有操作简单且生产成本较低的优点。
不同光刻之间匹配方法

[发明专利]光刻机投影物镜波像差测量装置及方法-CN200810204975.0有效
发明人：李术新;王帆;马明英 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种光刻机投影物镜波像差测量装置及方法。光刻机投影物镜波像差测量装置包括光源、照明系统、第一方向上的第一狭缝标记、第二方向上的第二狭缝标记、硅片、工件台、光学成像系统、波像差传感器系统以及干涉仪。本发明测试时间短、精度高，且利用光刻机曝光光源即可完成投影物镜波像差的在线检测。
光刻投影物镜波像差测量装置方法