专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]近场光学光刻-CN202010963965.6在审
  • 杨国超 - 北京国视神州文化传媒有限公司
  • 2020-09-15 - 2020-11-10 - G03F7/20
  • 一种近场光学光刻是利用近场光学原理设计的新型光刻,解决了传统光刻受到光波长和衍射限制,难以达到更高的线宽精度的问题。该光刻由掩膜版与硅片贴合曝光系统,平台系统,硅片送料系统,硅片出料系统,减震系统,电源供电系统,控制系统,硅片出料仓,硅片进料仓等部分组成。工作机制是将掩膜版和硅片严密贴合到一起形成近场光学效应,曝光涂有感光胶的硅片,硅片感光后将掩膜版的图案刻制到硅片等半导体材料上,以达到制作半导体芯片的目的,利用近场光学原理的近场光学光刻的加工精度可以达到纳米级
  • 近场光学光刻
  • [发明专利]控制直写光刻曝光的方法、装置和光刻-CN202010119271.4有效
  • 赵美云 - 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
  • 2020-02-26 - 2022-04-01 - G03F7/20
  • 本发明提出了一种控制直写式光刻曝光的方法、装置和光刻,该方法包括:获取直写式光刻数字微镜阵列中实际使用区域的有效列数W和有效行数D;创建灰度模板;根据所述直写式光刻当前的曝光色差分布调节所述实际使用区域的每个镜片对应所述灰度模板像素的灰度值;读取用于曝光的携带光刻图形信息的曝光数据,并将所述曝光数据与对应的灰度模板像素的灰度值进行运算;将运算获得的数据加载到所述数字微镜阵列,以进行显示。本发明的控制直写式光刻曝光的方法通过使用灰度模板对微镜阵列进行操作,使曝光平台上呈现的曝光色差达到一致,减小了曝光次数从而增加了产能。
  • 控制光刻曝光方法装置
  • [发明专利]一种光刻-CN202211533404.8在审
  • 刘欢 - 江苏卓胜微电子股份有限公司
  • 2022-12-01 - 2023-06-23 - G03F7/20
  • 本发明公开一种光刻,其中,所述光刻包括主体、光刻装置以及供气装置,所述主体开设有一无尘腔;所述光刻装置包括容置于所述无尘腔内的工作舱,所述工作舱密闭设置;所述供气装置设置于所述无尘腔内,且与所述工作舱连通本发明旨在解决现有供气装置设置于光刻外,通过气管与工作舱连通时容易造成无尘腔污染的情况。
  • 一种光刻
  • [实用新型]光刻盖的放置装置-CN202222353764.1有效
  • 卿慧博 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-09-05 - 2022-12-16 - B65D25/02
  • 本实用新型提供一种光刻盖的放置装置,包括:至少两个装置本体,装置本体包括基座以及至少两个固定件;固定件的一端与基座连接,另一端为自由端;两个所述固定件沿第一方向间隔布置,并沿第二方向延伸,相邻的两个固定件之间构成用于供待放置的光刻盖沿第三方向穿设的间隙;基座以及相邻的两个固定件分别用于与光刻盖抵靠;至少两个装置本体沿第三方向间隔布置,相邻的至少两个装置本体的相对的间隙用于容置待放置的光刻盖,并且用于限制光刻盖与第二方向成角度布置。如此配置,光刻盖架设于至少两个装置本体上,避免了维修过程中因保护不到位而造成的永久不可逆的变形。
  • 光刻机机盖放置装置
  • [发明专利]一种光刻台控制装置及操作方法-CN202210861350.1在审
  • 刘阐 - 刘阐
  • 2022-07-20 - 2022-10-18 - G03F7/20
  • 本发明涉及光刻设备技术领域,具体为一种光刻台控制装置及操作方法,包括:十字滑台,十字滑台上滑动安装有安装滑块,安装滑块的上表面固定设置有安装板,安装板上表面的四端均固定连接有空心筒;旋转连接轴与定位轴套活动插接,光刻机台的下方固定设置有支撑环,导向套的外侧壁下端固定连接有固定插块,四个固定插块分别与四个空心筒活动插接;有益效果为:通过在安装板上表面的四端均固定连接有空心筒,光刻机台的下方固定设置有支撑环,固定插块插接并固定在空心筒内腔后,导向套能够对支撑环起到支撑的作用,从而确保光刻机台的转动更加稳定,避免了光刻机台发生倾斜而导致无法保持水平的情况。
  • 一种光刻机台控制装置操作方法
  • [发明专利]一种光刻减振框架-CN201510270152.8有效
  • 葛黎黎;朱岳彬;高玉英 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2015-05-24 - 2018-07-20 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种光刻减振框架,包括:内部框架,外部框架,包括第一外部框架、第二外部框架和第三外部框架,地基,用于支撑内部框架和外部框架;地基包括相互分离的第一地基、第二地基和第三地基;第一外部框架、第二外部框架和第三外部框架分别由第一地基本发明提供的光刻减振框架将光刻的不同部件的质量分布在光刻减振框架的不同位置,优化减振框架的承载质量分布、减小作用在内部框架上的电机反作用力,使光刻减振框架残余加速度小、位置稳定性高,稳定时间短,提升光刻产率。
  • 一种光刻机减振框架
  • [发明专利]浸没式光刻浸液流场维持系统-CN200610027707.7有效
  • 杨志勇 - 上海微电子装备有限公司
  • 2006-06-13 - 2006-11-15 - G03F7/20
  • 本发明提供一种浸没式光刻所使用的浸液流场维持系统,该光刻包括投影物镜、硅片台,以及布置在投影物镜周围的浸液供给系统,浸液供给系统在投影物镜下方形成一浸液流场。在光刻撤下硅片,硅片台从投影物镜正下方的曝光区域撤出时,平板与硅片台连接并同步运动,浸没流场由硅片台转移到平板上;在光刻装上硅片,硅片台从曝光区域外围进入曝光区域时,平板与硅片台连接并同步运动,浸液流场从平板转移到硅片台上该系统避免了光刻在硅片台离开曝光位置时撤销流场,在硅片台进入曝光位置时重新建立流场的过程,节约了大量时间,提高光刻产率。
  • 浸没光刻浸液维持系统
  • [实用新型]一种掩膜版用的曝光补偿装置-CN201922098140.8有效
  • 叶小龙;王栋 - 深圳市龙图光电有限公司
  • 2019-11-29 - 2020-05-26 - G03F7/20
  • 本申请公开了一种掩膜版用的曝光补偿装置,包括承载板,承载板的一侧具有接触平面,用于与光刻平台接触,承载板的另一侧具有承载面,承载面为斜面,用于承载斜面掩膜版,并垫高斜面掩膜版厚度较薄的一侧,以使斜面掩膜版远离承载板的一侧与光刻平台平行对掩膜版进行曝光时,光刻镜头需要与掩膜版保持恒定的距离,以保证曝光后掩膜版的图形质量,曝光斜面掩膜版时,光刻镜头从斜面掩膜版厚度较大的一侧运动到厚度较小的一侧时,光刻镜头与掩膜版的距离不断变大,导致曝光后掩膜版的图形质量异常因此,在曝光斜面掩膜版时,将斜面掩膜版放置到承载板上,使得斜面掩膜版上表面平行于光刻平台。
  • 一种掩膜版用曝光补偿装置
  • [发明专利]一种全自动单面数字光刻-CN202211449919.X有效
  • 陈志特;王华;甘泉;龚海峰 - 广东科视光学技术股份有限公司
  • 2022-11-19 - 2023-05-16 - G03F7/20
  • 本发明涉及单面数字光刻领域,尤其涉及一种全自动单面数字光刻。所述全自动单面数字光刻包括第一平台、第二平台、位于第一平台及第二平台之间的光刻主体、设置于光刻主体两侧的靶点相机及承载第一平台及第二平台的传动组件,第一平台及第二平台均用于承载待光刻线路板,待光刻线路板包括一待光刻表面本发明提供的全自动单面数字光刻,在进行光刻的过程中,通过第一平台和第二平台承载待光刻线路板,交替的通过传动组件靠近光刻主体的光刻主体方向移动,实现了在其中一个平台进行数字光刻处理的期间内,另一个平台同时进行上料,总体上节省了时间,光刻主体对两个平台上的待光刻线路板交替进行数字光刻处理,提高了光刻效率。
  • 一种全自动单面数字光刻
  • [发明专利]一种声光扫描超分辨光纤光刻-CN202210805817.0在审
  • 李西军 - 西湖大学
  • 2022-07-08 - 2022-09-16 - G03F7/20
  • 本公开实施例提出一种声光扫描超分辨光纤光刻,包括控制装置、超分辨光纤激光光源、光扫描系统以及电驱动工件台。本公开实施例通过采用光纤把光刻使用的光能连接光源和光聚焦系统,避免自由空间光学光刻在设计和生产上采用复数个光学透镜或透镜组,光纤光刻光路简单,制造和维护成本都大大降低;采用光纤连接超分辨光纤激光光源和光扫描系统,因为避免采用透镜组消除相差,可以大大缩短光路的长度,有效减小光刻的几何尺寸;采用电光调制实现对光刻的激光光能的开关,结合非机械光扫描和电驱动位移台的移动,实现光刻的图案化功能。
  • 一种声光扫描分辨光纤光刻
  • [发明专利]一种基于紫外LED光源的光刻-CN201110230598.X无效
  • 王向贤;明海;张斗国;胡继刚;陈鲁;汪波;陈漪恺 - 中国科学技术大学
  • 2011-08-12 - 2011-12-21 - G03F7/20
  • 本发明公布了一种基于紫外LED光源的光刻,其结构包括实现光束均匀辐照曝光的紫外LED光源光学系统,控制曝光时间和相对辐照强度的发光控制器,光栏,光刻掩模板和光刻基片,该光刻可采用接触式或接近式曝光。本发明结构简单,与传统的基于汞灯光源的光刻系统比较,本发明使用紫外LED光源,曝光时间和曝光辐照强度通过对光源系统本身的控制完成,不需要额外加入滤光片和光电快门。该光刻是一种结构简单、运行稳定、寿命长、散热小、高效、节能、环保的光刻系统。本发明可用于微电子、微纳光子器件制备等微纳加工领域。
  • 一种基于紫外led光源光刻

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