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[发明专利]功率放大器-CN201510733710.X有效
发明人：杉浦一真;山田孝;林范雄;田中聪;嶋本健一;渡边一雄 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：所述功率放大器包括：将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第一晶体管；集电极被施加电源电压、将偏置电压或偏置电流从发射极提供给第一晶体管的基极的第二晶体管；集电极与第一晶体管的集电极相连接、将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第三晶体管；基极与集电极相连接、将偏压从发射极提供给第三晶体管的基极的第四晶体管；以及一端被施加偏置控制电压、另一端与第二和第四晶体管的基极相连接的第一电阻器。
晶体管功率放大器集电极输入信号放大集电极输出发射极施加功率附加效率偏置控制电压电源电压偏置电流偏置电压大输出电阻器

[实用新型]心电电极失调检测电路-CN201720556272.9有效
发明人：杜静;王瑞;李超;李倩;赵虹 -专利权人：天津市医疗器械研究所
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种心电电极失调检测电路，包括电极对、输入跟随单元、增益调节单元、前置放大单元、偏置电流测试单元；所述输入跟随单元的输入端与电极对相连接；所述输入跟随单元的输出端与增益调节单元的输入端相连接；所述增益调节单元的输出端连接前置放大单元的输入端；所述电极对还连接偏置电流测试单元的输出端，所述偏置电流测试单元的输入端，连接直流恒流源；在现有心电监护仪的电路基础上，做适当的前置放大和电极对失调电路的改进；对由电极采集到的心电信号,通过前置放大部分，将微弱的心电信号高保真放大，并通过低通滤波、高通滤波及50Hz陷波滤除干扰；保证了心电信号采集的准确。
电极失调检测电路

[实用新型]压电式有源蜂鸣器-CN202021264401.5有效
发明人：丁爱勇 -专利权人：昆山海旭科技电子有限公司中山分公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G10K9/125 文献下载
摘要：本实用新型提出一种压电式有源蜂鸣器，其包括外壳、蜂鸣片、线路板、正极性电极和负极性电极，所述线路板包括集成驱动芯片和偏置电阻，所述集成驱动芯片包括用于连接正极性电极的VDD脚，用于连接负极性电极的VSS脚，以及用于输出周期方波信号的OUT脚，所述蜂鸣片接于所述OUT脚与负极性电极之间，所述偏置电阻接于正极性电极与OUT脚之间。所述线路板只需一个芯片和一个电阻便可搭建出振荡电路，产生稳定的周期方波信号，材料成本和加工成本都得到有效降低，而且生产直通率高，实现更低的出厂价格；集成驱动芯片的性能稳定性好，频率稳定，而且在输出端加入偏置电压
压电有源蜂鸣器

[发明专利]具有力感测的集成可变形电极结构的输入装置-CN201280046102.6在审
发明人： R.J.博伦德;N.K.维贾亚尚克;J.K.雷诺;L-H.谢;S.库马 -专利权人：辛纳普蒂克斯公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：装置和方法利用设置在第一衬底上的第一电极和第二电极以及可变形电极结构。可变形电极结构重叠第一电极和第二电极，以限定第一电极与第二电极之间的可变电容，该可变电容随可变形电极结构的变形而变化。可变形电极结构包括间隔组件，其配置成提供可变形电极结构与第一电极和第二电极之间的间隔。最后，传输组件配置成使得偏置传输组件使可变形电极结构变形并且改变可变电容。可变电容的测量能够用来确定与偏置传输组件的力有关的力信息。
有力集成变形电极结构输入装置

[发明专利]基板支承器及等离子体处理装置-CN202110226313.9在审
发明人：田村一;佐佐木康晴;山口伸;菅原亚人;小泉克之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的基板支承器具备第1区域、第2区域、第1电极及第2电极。第1区域构成为保持载置于其上的基板。第2区域以包围第1区域的方式设置，构成为保持载置于其上的边缘环。第1电极设置于第1区域内，用于接收第1电偏置。第2电极至少设置于第2区域内，用于接收第2电偏置。第2电极以在第1区域内与第1电极相对的方式在第1电极的下方延伸。
支承等离子体处理装置

[发明专利]振动器件、电子设备-CN201310262863.1无效
发明人：野泽俊之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供没有可动电极的非线形动作、也不会使振动器件的大小增加并能够进行频率调整的振动器件。振动器件具备：振子（3），其具有能相对于基板移位的梁（39）、从上述梁延伸的梳齿状的可动电极（41、42）和固定在上述基板（60）上且插在上述可动电极的梳齿状电极之间的梳齿状的固定电极（31、32）；振荡电路，其使上述振子进行振荡；以及偏置电路，其向上述可动电极与上述固定电极之间提供直流偏置电压。
振动器件电子设备

[发明专利]一种半导体器件中介质薄膜的介电常数测量方法-CN202310170850.5在审
发明人：杜宇;阎蒋伟;谭必松;邱伟强;陈天晴;李克俊;陈殊璇 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件中介质薄膜的介电常数测量方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，于顶层金属电极和背面金属电极之间施加偏置电压，按照不同的变化率调节偏置电压并对应采集相应的电流；步骤S2，将各偏置电压及对应的电流进行线性拟合得到电压电流拟合直线，并将电压电流拟合直线的斜率作为介质薄膜的电容值；步骤S3，根据电容值和预先获取的顶层金属电极的面积以及介质薄膜的厚度计算得到介质薄膜的介电常数。有益效果是通过测量施加不同变化率的偏置电压对应的电流进行线性拟合得到介质薄膜的电容值，进而计算得到介质薄膜的介电常数，测量准确率高，且偏置电压的施加以及电流的采集采用源表即可实现，有效节约测量成本。
一种半导体器件介质薄膜介电常数测量方法

[发明专利]一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置-CN201210594588.9有效
发明人：杜若昕;梁洁;王兆祥;苏兴才 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置，所述等离子体处理腔室具有上电极和下电极，通过源射频功率和偏置射频功率共同进行制程，所述腔室中放置有基片，所述下电极分别连接有源射频功率源和偏置射频功率源，所述偏置射频功率源以脉冲的方式输出偏置功率，所述偏置射频功率源交替输出第一低频频率和第二低频频率的两种脉冲信号进行制程，所述第一低频频率和第二低频频率的脉冲信号的频率相同且相位相反，本发明结合两种低频频率刻蚀方法
一种射频脉冲等离子体刻蚀方法及其装置

[发明专利]对焊装置及对焊方法-CN200480000790.8无效
发明人：宫本丰;皆川孝雄;稻垣真一;福井清之 -专利权人：菊池冲压工业株式会社;住友金属工业株式会社
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： B23K11/30 文献下载
摘要：将2块板材(31、32)对焊的一对电极部件(1、2)中的至少一方电极部件(1)的外面，形成后退形状部(1A)，该后退形状部(1A)，从该一方电极部件(1)的厚度方向中间部，一边朝着2块板材(31、32)2块板材(31、32)对焊时，该板材(31、32)的对接部(71)的位置，从电极部件(1、2)的厚度方向中间部朝着后退形状部(1A)侧偏置，其偏置量(L1)与板材(31、32)的厚度差对应，将厚度不同的另外2块板材对焊时，变更偏置量。
装置方法

[发明专利]微型光离子化传感器-CN200910073958.2无效
发明人：薛晨阳;刘俊;张文栋;熊继军;梁庭;范秋生;孙瑞霞;谭秋林;李珺泓 -专利权人：中北大学
申请日： 2009-03-16 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G01N27/66 文献下载
摘要：一种微型光离子化传感器，包括紫外光源、电离室和驱动电路，电离室为由接地电极板、收集电极板和偏置电极板相互平行组成的复合电极，各电极板之间以聚四氟乙烯板间隔，并在垂直于电极板方向贯通有若干个进气通道。紫外光源位于电离室接地电极板一侧，对正进气通道。接地电极板与驱动电路的地线连接，收集电极板连接微电流放大器，偏置电极板接入驱动电路中。本发明的微型光离子化传感器可以用于各个领域的有机气体浓度检测。
微型离子化传感器

[发明专利]等离子体显示装置和等离子体显示装置的驱动方法-CN200610087454.2无效
发明人：郑允权;李相俊;任张铉;安杨基 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-06-08 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体显示装置，包括第二驱动器，该第二驱动器将具有在复位时段和寻址时段中保持在第一偏置电压的电压的第一偏置信号、从所述第一偏置电压逐渐上升到第二偏置电压的第一维持上升信号以及具有保持在所述第二偏置电压的电压的第二偏置信号供应到第二电极
等离子体显示装置驱动方法

[发明专利]光器件以及光调制装置-CN201210212630.6有效
发明人：原英生 -专利权人：爱德万测试株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G02F1/313 文献下载
摘要：电介质膜，形成在基板上且具有并行的第一光导波路以及第二光导波路；传输线路，具有形成在电介质膜上且配置在第一光导波路和第二光导波路之间的信号线，配置在对着第一光导波路的第二光导波路相反侧的第一区域中的第一偏压电极以及配置在对着第二光导波路的第一光导波路相反侧的第二区域中第二偏压电极；以及驱动电路部，向第一偏压电极以及第二偏压电极施加互不相同的第一偏置电压以及第二偏置电压，向信号线施加第一偏置电压和第二偏置电压之间的控制电压。
器件以及调制装置

[发明专利]一种用于等离子处理器的射频电源控制装置及其控制方法-CN201610607371.5有效
发明人：周旭升;祝飞翼;刘小波 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01J37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于等离子处理器的射频电源控制装置，所述等离子处理器包括：一下电极，下电极上方设置有一静电夹盘，待处理晶圆设置在所述静电夹盘上，一个射频电源通过一个匹配电路输出射频功率到所述下电极，其中所述射频电源控制装置包括一个偏置电压检测电路耦合到所述下电极以获偏置电压测得值，一个工艺参数控制器，其特征在于，还包括一个控制信号转换器，所述控制信号转换器包括第一输入端连接到所述偏置电压检测电路，一个第二输入端连接到所述工艺参数控制器，一个输出端连接到所述射频电源，所述控制信号转换器将所述工艺参数控制器输出的偏置电压设定值转换为输出功率数值输出到所述射频电源
一种用于等离子处理器射频电源控制装置及其方法

[发明专利]类金刚石薄膜形成装置和形成方法-CN97117950.6无效
发明人：梶田直幸;山地茂;中谷元 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1997-09-01 - 公布日： 1998-04-08 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：它包括在真空槽1内保持基材3的基材基座4;调整基材3温度的基材温度调整机构6;与基材3相对的气体离子源10;在基材3上加电压的偏置手段5,上述气体离子源10由与基材3相对设有节流孔的反应气体导入室11;热电子辐射手段12;热电子引出电极13和加速电极15组成。此外,包括具有热电子辐射手段12和向基材3加速离子的加速电极15的气体离子源10,同时具有相对于加速电极15在基材3上加电压的第1偏置手段20和在热电子辐射手段12上加电压的第2偏置手段21,第1、第2偏置手段设法分别按时间函数加电压。
金刚石薄膜形成装置方法

[发明专利]光调制器-CN200680029079.4无效
发明人：河野健治;名波雅也;佐藤勇治;内田靖二;五十岚信弘;中平彻;仙田宏明 -专利权人：安立股份有限公司
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供一种光调制器，具有：光导(3)，其形成在具有光电效应的基板(1)上；行波电极(4)，其形成在基板(1)的一侧面、由用于加载对光进行调制的高频电信号的高频电信号用的中心导体(4a)及接地导体(4b)、(4c)构成；偏置电极，其由用于对光加载偏置电压的中心导体(22a)、(23a)及接地导体(22b)、(22c)、(23b)、(23c)构成，在光导(3)上，具有：高频电信号用相互作用部(20)，其通过对行波电极(4)加载高频电信号来调制光的相位；偏压用相互作用部(19)、(21)，其通过对偏置电极加载偏置电压来调整光的相位，该光调制器隔着高频电信号用相互作用部(20)，在光传播方向的前后具有偏压用相互作用部(
调制器