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[发明专利]等离子空气净化装置-CN201980070456.6有效
发明人： P·德利纳奇;S·留内尔 -专利权人：爱尔因思贝斯欧洲股份公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：和v)至少一个空气过压装置(1)，用于提供从电离器(10)到催化剂(50)的气流；其中，所述电离器(10)采用至少一个电晕等离子体电池(11)的形式，所述电晕等离子体电池(11)包括a)基本上呈针状的偏置电极(12)和b)与偏置电极(12)相对布置的接地电极(13)，其包括基本上以偏置电极(12)为中心的圆柱体(14)和垂直于偏置电极(12)的基本上平坦的多孔膜(15)，其中圆柱体(14)具有低轮廓，并且其中偏置电极
等离子空气净化装置

[发明专利]非平行可动电极厚度测量方法、装置以及系统-CN201811250577.2有效
发明人：黄钦文;董显山;朱军华;恩云飞;王蕴辉 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种非平行可动电极厚度测量方法、装置以及系统。所述方法包括：获取静电换能器的可动电极，在各偏置电压下分别对应的角度偏移量和极间距离；角度偏移量为可动电极在偏置电压下转动的角度；极间距离为可动电极的第一端面与静电换能器的固定电极的第一端面之间的最大距离；可动电极的第一端面远离固定电极设置；固定电极的第一端面靠近可动电极设置；获取固定电极的第一端与用于固定可动电极的固定端面之间的第一距离，以及固定电极的第二端与固定端面之间的第二距离；根据各偏置电压、各角度偏移量、各极间距离、第一距离和第二距离，得到可动电极的厚度，因此，本申请提高了测量非平行结构静电换能器的可动电极的厚度的精度。
平行电极厚度测量方法装置以及系统

[发明专利]一种电容-压电式耦合麦克风-CN202310025566.9在审
发明人：卢亮宇;刘文娟;胡博豪;杨超翔;王健;孙博文;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H04R19/01 文献下载
摘要：该麦克风包括：信号处理电路、偏置电压输出电路、背板，以及依次沉积在背板上表面的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、第三电极层、压电材料和第四电极层；其中，第一绝缘层为环形支撑件，第一绝缘层、第一电极层和第二电极层围设形成空腔；空腔、第一电极层和第二电极层组成电容式麦克风的主体结构，偏置电压输出电路向其施加偏置电压；第三电极层、压电材料和第四电极层组成压电式麦克风的主体结构；信号处理电路将两主体结构输出的电信号进行放大后再叠加在一起
一种电容压电耦合麦克风

[发明专利]一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管-CN201910255123.2有效
发明人：谢倩;夏霜;李杰;王政 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明通过将隧穿场效应晶体管的上下栅介质层向源区延伸并部分覆盖到源区，源区一侧的栅介质层表面覆盖金属栅，源区另一侧栅介质表面覆盖偏置电极，偏置电极与该侧金属栅用隔离墙隔离，形成上下非对称的结构，通过对偏置电极外加偏压，或利用偏置电极与金属栅之间金属功函数差值，增强栅电极所覆盖部分的源区上下两侧的垂直于沟道方向的电场，增大了载流子线隧穿的强度，总的载流子隧穿区域与隧穿几率增大，从而有效增大器件的开态电流。
一种有效增大电流场效应晶体管

[发明专利]电光调制器、电光调制电路以及光通信设备-CN202010377368.5在审
发明人：孙旭;李心白;马静言 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：该电光调制器包括第一容性阻抗硅光调制器和电阻；该第一容性阻抗硅光调制器具有第一电极和第二电极；该第一电极用于连接信号源，以及用于通过该电阻连接偏置电压源；该第二电极用于连接参考电源端。由于该电阻可以实现T型直流偏置器中磁珠和电感的作用，即实现信号源与偏置电压源之间的隔离，因此本申请实施例提供的电光调制器无需再采用T型直流偏置器进行驱动，从而有效缩减了电光调制电路的尺寸，提高了电光调制电路的集成度
电光调制器调制电路以及光通信设备

[发明专利]移相器及其制备方法、天线-CN202080000411.4有效
发明人：王熙元;王亚丽;张东东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的介质层；第一基板包括：第一基底(10)，设置在第一基底(10)靠近介质层一侧的参考电极；第二基板包括：第二基底(20)，设置在第二基底(20)靠近介质层一侧的延时线(21)和偏置线(24)，偏置线(21)、延时线(24)均匀与参考电极在第一基底(10)上的正投影至少部分重叠；延时线(21)用于对微波信号进行传输，并限定出微波传输区域；当参考电极、延时线(21)、偏置线(24)被施加电信号时，参考电极分别与延时线(21)、偏置线(24)之间所形成的电场覆盖所述微波传输区域。
移相器及其制备方法天线

[发明专利]一种MEMS压阻谐振器-CN201410116728.0有效
发明人：张乐;欧文;明安杰 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H03H9/24 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS压阻谐振器，包括衬底；输入电极，用于为振子提供交流电压信号以使振子振动；输入偏置电压电极，形成在衬底上并位于振动的波节处，用于为振子提供直流偏置电压信号，以使得响应交流电压信号所导致的振子的电阻变化而产生的感测电流流经振子；输出电极，位于振动的波节处，并与输入偏置电压电极相对设置，用于响应所述感测电流，输出频率信号；第一锚结构，用于将直流偏置电压信号传送到振子；第二锚结构，用于将感测电流传送到输出电极；振子，设置于输入电极之间
一种 mems 谐振器

[发明专利]一种用于反射式可调移相器的液晶移相单元-CN201710573041.3有效
发明人：杨军;夏天雨;杨阳;尹治平;邓光晟;陆红波 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于反射式可调移相器的液晶移相单元，包括有上、下两层介质基板，上、下两层介质基板的间隙中注入有液晶层，上层介质基板下侧设有金属微带贴片电极，下层介质基板上侧设有金属全反射接地电极，液晶层的上、下表面分别设有聚酰亚胺膜涂层；金属微带贴片电极包括有两个相同的偶极子贴片、一条偏置电压加载线、辅助电极，两个偶极子贴片平行布置，偏置电压加载线正交连接两个偶极子贴片构成贴片单元，辅助电极是一个四边形金属框，四边形金属框围绕整个贴片单元并与偏置电压加载线相连。本发明的辅助电极主体结构简单，降低了饱和偏置电压，可以用在微波、毫米波和太赫兹频段内的液晶反射式移相器及相控天线领域。
一种用于反射可调移相器液晶单元

[发明专利]可变电容器及半导体工艺设备-CN202011360677.8有效
发明人：陈旭阳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：包括相互连接的电容体和电容控制模块；电容体包括相对设置的偏置电极片、相对设置的射频电极片和相对设置的绝缘连接片，偏置电极片、射频电极片及绝缘连接片互相连接围成一密闭空间；密闭空间内填充有指定介质；指定介质的介电常数随施加至偏置电极片的电压变化而变化；电容控制模块用于接收目标电容值，向偏置电极片施加与目标电容值对应的电压。
可变电容器半导体工艺设备

[发明专利]液晶驱动方法和液晶显示装置-CN201380026726.6有效
发明人：喜多裕一;吉冈孝兼;中谷喜纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明的液晶驱动方法是使设置在上下基板中的一个基板上的一对电极产生电位差来驱动液晶的方法，上述一对电极各自的施加电压的极性被反转，在该上下基板中的一个基板和/或另一个基板上设置有面状电极，上述液晶驱动方法执行以下的驱动操作：在将对该一对电极中的一个电极施加的正极性的电压与负极性的电压的平均值减去对该面状电极施加的电压而得到的差设为第一偏置电压，将对该一对电极中的另一个电极施加的正极性的电压与负极性的电压的平均值减去对该面状电极施加的电压而得到的差设为第二偏置电压时，使该第一偏置电压的值与该第二偏置的值相互调换。
液晶驱动方法显示装置

[发明专利]用于气体测试的传感器和方法-CN201880031501.2有效
发明人：杨智伟;陈磊 -专利权人：开利公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：一种测试气体的方法包含提供传感器，所述传感器包含感测电极和对电极，所述感测电极包含包括钯的催化剂，所述对电极包含金属催化剂。电解质设置在感测电极与对电极之间，且外部电路连接感测电极和对电极。在没有施加到感测电极和对电极的电压偏置的情况下，气体与感测电极接触。检测到电容响应，所述电容响应是在没有施加到感测电极和对电极的电压偏置的情况下，由感测电极暴露于气体中产生的。
用于气体测试传感器方法

[发明专利]基于微纳光纤结构的宽谱石墨烯光电导探测器-CN201510486303.3在审
发明人：毛俊明;周换颖;孙晓文;潘听;邱辞源;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种光纤通信技术领域的基于微纳光纤结构的宽谱石墨烯光电导探测器，包括：衬底、微纳光纤、石墨烯薄膜、金属电极和偏置电压，其中：金属电极制作在衬底上，石墨烯薄膜制作在金属电极上并将金属电极分隔为第一电极和第二电极，微纳光纤与石墨烯薄膜相接触，偏置电压连接第一电极和第二电极。
基于光纤结构石墨电导探测器

[发明专利]等离子显示装置-CN200810025549.0无效
发明人：金宗基;权玉焕;朴俊培 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G09F9/313 文献下载
摘要：本发明所公开的等离子显示装置包括：包含寻址电极的等离子显示板；和在子字段的寻址期间向寻址电极提供数据信号的驱动部；驱动部包括：在产生数据电压的数据电压源和接地之间串联配置的第1开关部和第2开关部；和配置在第1开关部和第2开关部之间节点，和产生偏置电压的偏置电压源之间的第3开关部；和在第1开关部和第2开关部的之间节点和偏置电压源的之间，与第3开关部并联配置的第4开关部；及配置在第4开关部和偏置电压源之间的电容部本发明的等离子显示装置，将寻址电极电压提高到偏置电压为止后，利用存储在电容部的电压提高寻址电极的电压，从而防止负载及发热集中到特定切换元件上，具有防止特定切换元件损伤的效果。
等离子显示装置

[发明专利]使用等离子体加工衬底的方法和设备-CN200780051826.9有效
发明人：拉金德尔·德辛德萨;哈德森·艾瑞克;阿列克谢·马拉赫塔诺夫;安德烈亚斯·菲舍尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了用于控制电子损失于上电极的方法和布置，包括用于将上电极进一步负偏置以使得带电物质被捕获在等离子体室内较长的时间而由此增大等离子体密度的技术和设备。将上电极上的感应RF信号整流，因此将上电极进一步负偏置。如果需要，整流RF信号还可以被放大，因此更进一步负驱动上电极。
使用等离子体加工衬底方法设备

[发明专利]降低射频开关中的寄生损耗的串联分流偏置方法-CN202180031964.0在审
发明人： R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;A·阿里亚加达;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：RF开关包括与开关晶体管的栅极电极耦合的分布式栅极偏置网络。RF开关还包括与开关晶体管的体电极耦合的分布式体偏置网络。
降低射频开关中的寄生损耗串联分流偏置方法