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[实用新型]组合磁场和内衬偏压异形管与多孔挡板复合的过滤装置-CN201822274559.X有效
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;刘学申;张新国;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场和内衬偏压异形管与多孔挡板复合的过滤装置，属于真空镀膜技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源、多级磁场装置、内衬偏压锥形管、阶梯管与多孔挡板组合装置、活动线圈装置及相应的电源、偏压电源波形示波器等装置；薄膜沉积：装置连接，系统启动，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，镀膜电源开启，利用偏压电源调节电弧等离子体的能量，通过内衬偏压锥形管、阶梯管与多孔挡板组合装置及多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高过滤装置的传输效率
组合磁场内衬偏压异形多孔挡板复合过滤装置

[发明专利]高压自举式栅极驱动装置-CN201410246723.X有效
发明人：郭明奇;蔡宗志;徐仁耀 -专利权人：钜晶电子股份有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种高压自举式栅极驱动装置，包括高端晶体管、低端晶体管、缓冲器、升压电容以及高压耗尽型晶体管。高端晶体管接收第一电源电压。缓冲器则依据偏压电压以提供高端驱动信号至高端晶体管。升压电容串接在基准电压以及偏压电压间。耗尽型晶体管的第一端耦接至第二电源电压，耗尽型晶体管的第二端耦接至偏压电压，且耗尽型晶体管的控制端接收参考接地电压。
高压栅极驱动装置

[发明专利]组合磁场与阶梯管和多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀-CN201711486439.X在审
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明包括：偏压电源、电弧离子镀靶源、多级磁场装置、内衬偏压阶梯管和多孔挡板组合装置、活动线圈装置及相应的电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压阶梯管和多孔挡板组合装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高过滤装置的传输效率
多孔挡板阶梯管偏压电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合磁场组合装置大颗粒真空室内衬过滤电源材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场和内衬异形管与多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀-CN201711489359.X在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;刘学申;张新国;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明包括：偏压电源、电弧离子镀靶源、多级磁场装置、内衬偏压锥形管、阶梯管与多孔挡板组合装置、活动线圈装置及相应的电源、偏压电源波形示波器等；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压锥形管、阶梯管与多孔挡板组合装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高过滤装置的传输效率
多孔挡板内衬偏压电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合磁场组合装置大颗粒阶梯管异形管锥形管薄膜过滤电源材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器真空室镀膜制备室内污染

[发明专利]多级磁场和内衬异形管与多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀-CN201711492618.4在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;刘学申;张新国;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明包括：偏压电源、电弧离子镀靶源、多级磁场装置、内衬偏压锥形管、阶梯管与多孔挡板组合装置及相应的电源、偏压电源波形示波器等；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压锥形管、阶梯管与多孔挡板组合装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗
多孔挡板内衬偏压电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合装置大颗粒阶梯管异形管锥形管磁场薄膜过滤电源材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积传输过程传输效率工作气体过滤装置连接装置启动系统损失问题示波器真空室镀膜制备室内污染

[发明专利]磁控溅射设备-CN202011530202.9有效
发明人：武树波;马迎功;师帅涛;许文学;郭冰亮;甄梓杨;张璐;崔亚欣;翟洪涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射设备，包括工艺腔室、偏压电源组件和激励电源组件，工艺腔室中设置有基座组件和偏压导入组件，工艺腔室的顶部设置有靶材，其中，基座组件位于工艺腔室的底部，用于支撑晶片承载件，驱动晶片承载件移动，以及加热晶片承载件；偏压导入组件位于基座组件上，用于支撑晶片承载件，并且偏压导入组件与晶片承载件电接触；偏压电源组件与偏压导入组件电连接，用于通过偏压导入组件向晶片承载件加载偏置电压；激励电源组件与靶材电连接
磁控溅射设备

[发明专利]成膜装置、基板处理装置及成膜方法-CN201310686986.8有效
发明人：山涌纯;舆水地盐;山泽阳平;立花光博;加藤寿;小林健;三浦繁博;木村隆文 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。
装置处理方法

[发明专利]具有向传输辊子提供偏压的电源的成象装置-CN03145708.8有效
发明人：犬饲胜己 -专利权人：兄弟工业株式会社
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： G03G21/10 文献下载
摘要：一种成象装置，包含有用来施加传输偏压给传输辊子的电源。该电源包括一个正向传输偏压电路，用来在图象传输过程中通过恒流控制来施加正向传输偏压，和一个反向传输偏压电路，用来在清洗操作中通过恒流控制来施加反向传输偏压，两个电路串联连接。在恒定电流控制中，使用公式Z＝(αVe－Ri₁)/i₁，正向传输偏压电路检测出传输辊子端侧上的电阻值Z，其中，α为正向传输放大/整流和滤波电路的变压器中的次级线圈与辅助线圈的电压比正向传输偏压电路根据这个测得的电阻值Z施加正向传输偏压给传输辊子。
具有传输辊子提供偏压电源成象装置

[实用新型]成象装置-CN03272722.4无效
发明人：犬饲胜己 -专利权人：兄弟工业株式会社
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G03G15/02 文献下载
摘要：一种成象装置，包含有用来施加传输偏压给传输辊子的电源。该电源包括一个正向传输偏压电路，用来在图象传输过程中通过恒流控制来施加正向传输偏压，和一个反向传输偏压电路，用来在清洗澡作中通过恒流控制来施加反向传输偏压，两个电路串联连接。在恒定电流控制中，使用公式 Z=（ α Ve－Ri）／i₁，正向传输偏压电路检测出传输辊子端侧上的电阻值Z，其中，α为正向传输放大／整流和滤波电路的变压器中的次级线圈与辅助线圈的电压比正向传输偏压电路根据这个测得的电阻值Z施加正向传输偏压给传输辊子。
成象装置

[发明专利]一种二次电子发射系数测量和能谱分析装置-CN201810141609.9在审
发明人：任成燕;李杨威;孔飞;邵涛;章程;刘俊标;赵伟霞 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩由内向外依次同轴布置形成的收集极模块，屏蔽栅网、抑制栅网、收集极和屏蔽罩的中心均设有通孔，所有通孔处于同一直线上；样品台模块从下而上依次为冷却层、加热层、绝缘层和样品座；偏压装置包括第一偏压电源和第二偏压电源，第一偏压电源与收集极连接，第二偏压电源与抑制栅网连接；收集极模块和样品台模块均设于真空腔内，且收集极模块位于样品台模块的正上方；电子枪设于收集极模块的正上方，且电子枪、收集极模块和样品台模块的中心轴线位于同一直线上
收集极样品台模块偏压电源抑制栅网屏蔽栅网二次电子发射系数能谱分析装置同一直线电子枪屏蔽罩样品座通孔绝缘层测量弱电流测量偏压装置同轴布置由内向外中心轴线装置连接加热层冷却层真空腔

[发明专利]多功能偏压电源-CN92100425.7无效
发明人：祁琦 -专利权人：武汉离子化学热处理研究所
申请日： 1992-01-29 - 公布日： 1996-03-20 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用电网电压产生高压输出的多功能偏压电源，它包括高频变压器，全波整流电路、全桥逆变电路和触发电路以及控制电路，电网电压经全波整流电路和全桥逆变电路通入变压器的初级绕组，变压器的次级绕组与控制电路相联本发明的功能可根据需要组合，输出交流偏压、直流偏压和脉冲偏压，且脉冲的频率和波形可以调节，同时输出电压值可成倍增加。
多功能偏压电源

[发明专利]组合磁场与内衬组合管和多孔挡板复合过滤的电弧离子镀-CN201711487651.8在审
发明人：魏永强;王好平;张新国;侯军兴;刘源;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压组合管与多孔挡板组合装置及电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬组合装置、多级磁场和活动线圈装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率
电源内衬多孔挡板偏压电源组合管电弧等离子体电弧离子镀复合过滤活动线圈组合磁场组合装置大颗粒真空室材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率磁场装置工作气体过滤装置连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜磁场薄膜室内污染

[发明专利]一种组合磁场与内衬多孔挡板复合的真空沉积方法-CN201711492954.9在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压多孔挡板装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗
电源多孔挡板偏压电源内衬高功率脉冲磁场装置活动线圈真空沉积组合磁场大颗粒材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体制备工艺参数复合电弧离子镀薄膜沉积磁控溅射工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制磁过滤真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]一种组合磁场与内衬多孔挡板复合的真空镀膜方法-CN201711493312.0在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压多孔挡板装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通工作气体，开启镀膜电源，偏压电源调节等离子体的能量，组合磁场与内衬多孔挡板装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗
多孔挡板电源内衬偏压电源组合磁场高功率脉冲真空镀膜大颗粒材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源复合磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体制备工艺参数电弧离子镀薄膜沉积磁场装置磁控溅射工作气体活动线圈连接装置匹配装置启动系统使用限制磁过滤孪生靶真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]半导体器件-CN201410032403.4有效
发明人：栋近功 -专利权人：辛纳普蒂克斯日本合同会社
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：包括：显示面板的驱动电路、触摸传感器的触摸感应电路、对它们提供电源的电源电路和控制流向这些电路的偏压电流的偏压控制电路。在显示驱动期间，抑制对触摸感应电路的电源供给及／或使偏压电流降低，在感应期间，抑制对驱动电路的电源供给及／或使偏压电流降低。
半导体器件