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- [发明专利]半导体工艺腔室-CN202110831205.4在审
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杨健;郭冰亮;武树波;宋玲彦;马迎功;赵晨光
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2021-07-22
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2023-02-03
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C23C14/34
- 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室。该半导体工艺腔室包括:承载装置包括基座及环绕基座设置的沉积环;屏蔽组件包括一体成型的屏蔽套筒和压环部,屏蔽套筒的顶部与腔室本体固定连接,用于与腔室本体形成接地回路,压环部环绕沉积环设置,且用于与沉积环导电接触;连接套筒环绕屏蔽套筒设置,并且连接套筒的顶部与腔室本体固定连接,连接套筒与屏蔽套筒的底部导电连接,用于在屏蔽组件与腔室本体之间形成接地回路;接地组件设置于基座下方,当基座上升至沉积环与压环部导电接触时,接地组件用于与连接套筒形成接地回路。本申请实施例能避免甚高频工艺条件下各结构之间出现打火及起辉现象,从而大幅提高了工艺稳定性及降低颗粒污染问题。
- 半导体工艺
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