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[发明专利]适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置及脉冲电子束焊机-CN201610351675.X有效
发明人：齐铂金;范霁康 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： B23K15/02 文献下载
摘要：适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置及脉冲电子束焊机，其中，该偏压电源装置包括基值生成电路，其用于产生第一直流电压，其输出端正极形成偏压电源装置的电源正极；脉冲生成电路，其输出端正极与基值生成电路的输出端负极连接，输出端负极形成偏压电源装置的电源负极，用于产生脉冲电压，以使得第一直流电压与脉冲电压叠加形成所需要的偏置电压。该偏压电源装置的基值生成电路与脉冲生成电路彼此相互独立、互不干扰，这样有利于实现对脉冲偏压基值和峰值的精确调节。
适用于脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]音频放大器-CN200810174532.1无效
发明人：黄志豪 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：一种音频放大器，包括时序控制电路、放大电路以及偏压控制电路。偏压控制电路提供偏压电压给放大电路，放大电路接收偏压电压，并根据偏压电压放大音频信号，时序控制电路产生第一电源关闭信号以及第二电源关闭信号，其中时序控制电路先确立第一电源关闭信号，再确立第二电源关闭信号，其中当第一电源关闭信号确立时，放大电路停止运作，当第二电源关闭信号确立时，偏压控制电路停止运做。
音频放大器

[实用新型]一种高频电源活性屏离子渗氮装置-CN202220045556.2有效
发明人：高岩;文凯;张乘玮 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高频电源活性屏离子渗氮装置，包括反应室、主电源和偏压电源，主电源的阴极与活性屏相连，偏压电源设置有偏压电极，偏压电极的阴极与样品台相连，主电源与偏压电源均设置为高频脉冲电源，绝缘装置在样品台和阴极之间，起到隔绝两个回路的作用，活性屏离子渗氮时，主电源的阴极连接在活性屏上而非样品本身，因此可以避免传统离子渗氮过程中的空心阴极效应和边缘效应等不利因素。高频电源在渗氮过程中在通电和断电之间转换状态。当有电弧产生时，电源断电进而达到迅速灭弧的效果。
一种高频电源活性离子装置

[发明专利]一种TFT-LCD驱动电源及偏压电路-CN200910196124.0有效
发明人：沈岭 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种TFT-LCD驱动电源及偏压电路。所述TFT-LCD驱动电源及偏压电路，包括开关稳压电源电路和电荷泵电路，所述开关稳压电源电路包括开关稳压电源，所述开关稳压电源具有第一脉宽调制电压输出端，所述电荷泵电路具有第一偏压输入端，其中，所述第一脉宽调制电压输出端与所述第一偏压输入端之间连接有第一噪音抑制元件本发明提供的技术方案可以有效地阻止脉宽调制电压信号上的尖峰电压噪声通过电容提供的途径耦合到驱动电源和偏置电压，从而提高整个TFT-LCD的驱动系统电压及偏压电路稳定性和电磁兼容特性。
一种 tft lcd 驱动电源偏压电路

[发明专利]显影装置及使用该显影装置的图像形成装置-CN200810125250.2有效
发明人：久保宪生 -专利权人：京瓷美达株式会社
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G03G15/08 文献下载
摘要：与显影辊连接有施加第一直流偏压(Vdc1)的第一直流偏压电源和施加第一交流偏压(Vac1)的第一交流偏压电源，与磁力辊连接有施加第二直流偏压(Vdc2)的第二直流偏压电源和施加第二交流偏压(Vac2)的第二交流偏压电源保持向显影辊施加的第一交流偏压(Vac1)的(Vpp)不变，向磁性辊施加与第一交流偏压(Vac1)同相位并且峰值为规定值以上的第二交流偏压(Vdc2)，从而使显影偏压在与调色剂逆极性侧的峰值电压和所述供应偏压的峰值电压之间的电位差为不会发生载体显影现象的规定值以下
显影装置使用图像形成

[实用新型]一种电感耦合等离子体处理器-CN201821494654.4有效
发明人：赵馗;饭塚浩;倪图强;庞晓贝 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电感耦合等离子体处理器，所述处理器包括：真空室，所述真空室上方设置一个感应天线，所述感应天线连接到一个源射频电源；所述真空室内设置一基座，所述基座上方用于支撑待处理晶圆；第一射频偏压电源和第二射频偏压电源通过一可切换匹配网络，选择性地将第一、第二射频偏压电源中的其中之一连通到所述基座中；其中第一射频偏压电源的输出信号频率大于第二射频偏压电源的输出信号频率。本实用新型专门针对工作频率设计了一种射频匹配网络，提供两种不同频率操作的、可有效切换的射频匹配网络，可有效地施加偏压功率，能够切换偏压频率并提供能够将任一偏压频率有效地耦合至等离子体的射频匹配网络。
射频偏压电源射频匹配网络处理器电感耦合等离子体输出信号频率本实用新型感应天线有效地真空室等离子体工作频率匹配网络偏压功率偏压频率射频电源耦合可切换晶圆连通施加室内支撑

[发明专利]组合磁场与内衬偏压多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀-CN201711486353.7在审
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压多孔挡板复合型过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压多孔型挡板装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压多孔型挡板装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率
偏压电源内衬磁场装置电源电弧等离子体电弧离子镀挡板装置多孔挡板组合磁场大颗粒多孔型真空室过滤材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场与内衬偏压直管复合型过滤的电弧离子镀-CN201711486578.2在审
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压直管复合型过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压直管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压直管装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗
偏压电源内衬直管电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合磁场大颗粒真空室过滤材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场与内衬偏压锥形管复合型过滤的电弧离子镀-CN201711487240.9在审
发明人：魏永强;王好平;侯军兴;刘源;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压锥形管复合型过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压锥形管装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率，
偏压电源锥形管内衬电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合磁场大颗粒真空室过滤材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]组合磁场与内衬偏压阶梯管复合型过滤的电弧离子镀-CN201711491255.2在审
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压阶梯管复合型过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压阶梯管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压阶梯管装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率，
偏压电源阶梯管内衬电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置组合磁场大颗粒真空室过滤材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积薄膜制备传输过程传输效率工作气体过滤装置活动线圈连接装置启动系统损失问题示波器样品台镀膜薄膜室内污染

[发明专利]多级磁场和内衬偏压锥形管与阶梯管复合过滤的电弧离子镀-CN201711492075.6在审
发明人：魏永强;宗晓亚;王好平;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：多级磁场和内衬偏压锥形管与阶梯管复合过滤的电弧离子镀，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管与阶梯管组合装置及偏压电源及电源、偏压电源波形示波器等；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源调节电弧等离子体的能量，通过内衬偏压锥形管与阶梯管组合装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率，减少在真空室中的损耗
偏压电源阶梯管锥形管内衬电源电弧等离子体电弧离子镀磁场装置复合过滤组合装置大颗粒磁场薄膜材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁场过滤装置薄膜沉积传输过程传输效率工作气体过滤装置连接装置启动系统损失问题示波器真空室镀膜制备室内污染

[实用新型]多级磁场和内衬偏压锥形管与阶梯管的复合型过滤装置-CN201822213386.0有效
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;张新国;侯军兴;蒋志强 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：多级磁场和内衬偏压锥形管与阶梯管的复合型过滤装置，属于表面技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管与阶梯管组合装置及偏压电源及电源、偏压电源波形示波器等；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压锥形管与阶梯管组合装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率
多级磁场内衬偏压锥形阶梯复合型过滤装置

[实用新型]组合磁场与内衬偏压阶梯管的复合型过滤装置-CN201822244504.4有效
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压阶梯管的复合型过滤装置，属于表面技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压阶梯管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压阶梯管装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率
组合磁场内衬偏压阶梯复合型过滤装置

[实用新型]组合磁场与内衬偏压直管的复合型过滤装置-CN201822274431.3有效
发明人：魏永强;王好平;刘源;张华阳;侯军兴;蒋志强 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压直管的复合型过滤装置，属于表面技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压直管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压直管装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率
组合磁场内衬偏压复合型过滤装置

[实用新型]组合磁场与内衬偏压锥形管的复合型过滤装置-CN201822244306.8有效
发明人：魏永强;王好平;侯军兴;刘源;张新国;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：组合磁场与内衬偏压锥形管的复合型过滤装置，属于表面技术领域，本发明为解决多级磁场过滤装置中大颗粒对薄膜的污染和等离子体传输过程中的损失问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、样品台、偏压电源波形示波器和真空室；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，利用偏压电源对电弧等离子体的能量进行调节，通过内衬偏压锥形管装置和多级磁场装置消除电弧等离子体中的大颗粒缺陷和提高在过滤装置的传输效率
组合磁场内衬偏压锥形复合型过滤装置