专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]防触电保护结构-CN202210129734.4在审
  • 张波 - 上海御渡半导体科技有限公司
  • 2022-02-11 - 2022-05-13 - H01R13/44
  • 本发明提供一种防触电保护结构,包括可拆卸连接的中空罩体及下壳体,所述中空罩体的前后两侧贯通,且后侧可拆卸连接电源框,并下侧可拆卸连接所述下壳体;其中,所述下壳体围封若干所述电缆于所述中空罩体内,所述电缆自所述中空罩体的下侧穿过所述前侧及后侧防触电保护结构固定于三个电源框上,结构安装相对稳定;所有可能触电的位置都被塑胶保护罩覆盖,维护操作人员可以放心在周围进行安全维护检查作业,而不用担心会触碰到通有大电流的汇流排或者接线端子,对操作人员起到保护作用
  • 触电护罩结构
  • [发明专利]保护结构及插座-CN202210375531.3在审
  • 董杭辉 - 深圳市鲲橙科技有限公司
  • 2022-04-11 - 2022-07-08 - H01R13/453
  • 本发明公开了一种保护结构,包括:壳体、第一滑块和第二滑块,壳体上开设有安置槽,第一滑块和第二滑块均滑动安装于安置槽内,安置槽的底壁上开设有滑槽,第一滑块上形成有插入滑槽内且能够沿滑槽滑动的第一导向块,根据本发明实施方式的一种保护结构,通过设置凸起部,并将第一导向块和第二导向块与滑槽之间设置有间隙,从而减小第一滑块以及第二滑块与壳体的接触面积,使得第一滑块以及第二滑块在滑动时受到的摩擦力大大的减小,
  • 保护结构插座
  • [发明专利]充电桩接口保护结构-CN202211315694.9在审
  • 朱德祥;韦雄;潘成妍 - 苏皖通智能科技(苏州)有限公司
  • 2022-10-25 - 2023-01-13 - B60L53/16
  • 本发明涉及接口保护设备技术领域,具体为充电桩接口保护结构。包括充电桩主体,所述充电桩主体与线缆套筒连接的同一端连接有保护罩,所述充电桩主体的内侧设置有接口内盒,所述接口内盒的内侧连接有移动卡块,所述保护网远离移动卡块的一端连接有限位卡座,所述限位卡座远离保护网的一端设置有充电插座当充电枪不使用时,充电枪插入在充电插座里面,此时充电枪对限位卡座产生压力,限位卡座受到压力的同时对压缩弹簧施加作用力,当使用充电枪时,将充电枪拔出充电插座,这时充电枪不再对限位卡座产生压力,然后限位卡座与保护网在压缩弹簧作用力下进行复位
  • 充电接口保护结构
  • [发明专利]结构的过载保护-CN202080100877.1在审
  • M·W·亨森;P·默勒;K·瓦尔海姆 - 易希提卫生与保健公司
  • 2020-06-22 - 2023-01-13 - A47K10/32
  • 本发明提供了一种用于分配器的锁结构,该分配器包括壳体,该壳体具有用于容纳可分配产品的内部容积,该壳体包括用于提供通向壳体内部的通道的可打开部分。锁结构具有锁壳体、可在锁定位置与解锁位置之间操作的锁闩、包括旋转装置插入部的锁芯结构以及用于将锁闩朝锁定位置偏压的弹性构件。锁结构设有过载保护机构,该过载保护机构由弹性障碍物形成,该弹性障碍物定位成限定对应于锁闩的锁定或解锁位置的极限位置并且适于在经受过载力时让位以允许锁芯结构旋转超过极限位置。
  • 结构过载保护
  • [发明专利]高压静电保护结构-CN201310261537.9有效
  • 苏庆;邓樟鹏;苗彬彬;张强 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-06-27 - 2017-06-06 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种高压静电保护结构,包括一N型LDMOS整体置于一硅衬底上方的N型埋层内;所述LDMOS器件的多晶硅栅极右侧的有源区是该器件的漏区,所述漏区下方有N+型注入区、N‑注入区和高压N阱;所述多晶硅栅极左侧的有源区是该器件的源区,所述源区下方有N+型注入区,在所述N+型注入区左侧相邻场氧区域隔离有第一P型有源区,在第一P型有源区左侧相邻场氧区域隔离有第二P型有源区;本发明能有效的降低LDMOS结构的触发电压,有利于LDMOS在多指状排列下的均匀导通能力,并提高整体静电防护能力的高压静电保护结构
  • 高压静电保护结构
  • [发明专利]吸附保护结构-CN201310547546.4有效
  • 朱蕾 - 汉达精密电子(昆山)有限公司
  • 2013-11-07 - 2016-11-16 - B25J15/06
  • 本发明揭示一种吸附保护结构,该结构包括:吸附平板,其上开设有吸盘孔、气孔源孔;吸盘,固定设于吸盘孔内,所述吸盘的吸附面由所述吸盘孔露出;气孔源,固定设于所述气孔源孔内,所述吸附平板对应所述气孔源位置设有若干个气孔相较于现有技术,利用本发明的吸附保护结构,通过所述吸盘和气孔源的配合吸附保护膜,吸附力较高,可以确保将保护膜吸起;利用吸附平板压紧所述保护膜再进行吸附,使得所述保护膜更平整。
  • 吸附保护膜结构
  • [发明专利]标尺的刻度保护结构-CN201210208247.3有效
  • 川田洋明 - 株式会社三丰
  • 2012-06-19 - 2012-12-26 - G01D3/08
  • 本发明提供一种标尺的刻度保护结构,其刻度部(14)形成在标尺基板(12)上且由配置在该刻度部的上表面侧的标尺护罩(16)保护,利用混合有抑制刻度劣化成分渗透的玻璃粉末(粉末材料)(32)的粘接剂密封上述标尺基板与上述标尺护罩之间的上述刻度部的整个侧方四周而形成四周粘接层
  • 标尺刻度保护结构

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