专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电池模块的保护结构-CN202010275054.4在审
  • 高波雄太;川口聪 - 爱信轻金属株式会社
  • 2020-04-09 - 2020-10-30 - H01M2/10
  • 本发明公开了电池模块的保护结构。其目的在于提供一种在将电池模块搭载于车身的底板的下侧时,对于来自外部的输入载荷的保护效果较高,且对实现轻量化也有效的电池模块的保护结构。所述电池模块的保护结构是搭载于车辆的底板下的电池模块的保护结构,由收容有电池模块的外壳体与配设于所述外壳体的下部侧的防护部件形成,在所述外壳体与所述防护部件之间具有以规定的间隔形成的间隙部,所述防护部件由中空剖面形状构成
  • 电池模块保护结构
  • [发明专利]高压静电保护结构-CN202011039757.3在审
  • 苏庆 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-09-28 - 2020-12-01 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种高压静电保护结构,所述结构位于一埋层之上;在剖面上,所述高压静电保护为左右对称结构,包括位于中心区域的第一导电类型的高压阱一以及位于高压阱一两侧的具有第二导电类型的高压阱二、高压阱三;在所述高压阱一中本发明在原漏区所在的高压阱区中增加数量及扩散半径可调的多边形或圆形注入区,以灵活地控制寄生SCR结构的电流分配,达到调整电流流出的路径的比例,提高器件抗静电能力。
  • 高压静电保护结构
  • [发明专利]高压静电保护结构-CN202011039759.2在审
  • 苏庆 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-09-28 - 2020-12-01 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种高压静电保护结构,基于SCR,在衬底中具有第一高压阱及第二高压阱,第一高压阱中有第一及第二重掺杂区,第二高压阱中有第三及第四重掺杂区;第一高压阱与第二高压阱之间的衬底表层具有第五重掺杂区及第六重掺杂区第五及第六重掺杂区的形状、数量及扩散半径可调,可以灵活地控制寄生SCR结构的电流分配,达到调整电流流出的路径的比例实现调整Snap‑back骤回维持电压的目的,提高器件抗静电能力。
  • 高压静电保护结构
  • [发明专利]电梯曳引机断裂保护结构-CN202210095180.0在审
  • 陆巨梁;沈超;顾诚诚;邹月 - 湖州巨人电机有限公司
  • 2022-01-26 - 2022-04-22 - B66B11/04
  • 本发明公开电梯曳引机断裂保护结构,涉及电梯领域。该电梯曳引机断裂保护结构,包括:前部主体框和后机座,所述前部主体框和后机座分别装配有前轴承和后轴承,且所述前轴承和后轴承之间装配有主轴与制动轮,所述制动轮固定套接在主轴的外表面,制动轮传动连接有曳引轮;支撑保护块,四个所述支撑保护块均设置在前部主体框的下方,且处于曳引轮的下方。该电梯曳引机断裂保护结构,由于曳引轮最外沿距离四个支撑保护块仅有3mm左右的距离,即结构刚下坠时,就被支撑住了,减小了下坠的势能,减小了对支撑保护的冲击,同时也减小了轿厢中可能存在的人员下坠感和冲击感。
  • 电梯曳引机断裂保护结构
  • [发明专利]静电放电保护GGNMOS结构-CN202210059237.1在审
  • 范炜盛 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-01-19 - 2022-05-03 - H01L27/02
  • 本发明提供一种静电放电保护GGNMOS结构,包括:衬底、深隔离结构、环形N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区、第一栅氧化层、第二栅氧化层、第一环形P型重掺杂区、第二环形P型重掺杂区、第三环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区和多个浅隔离结构。P型重掺杂区的外围设置所述第二环形P型重掺杂区,使得所述第二环形P型重掺杂区、所述环形N型阱区和所述第一P型阱区分别与所述第一N型重掺杂区、所述第三N型重掺杂区形成SCR泄放电流通道,从而提高静电放电保护GGNMOS结构的鲁棒性。
  • 静电放电保护ggnmos结构

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