专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板供给装置及基板供给方法-CN201310073158.7有效
  • 仓田浩明 - 松下电器产业株式会社
  • 2013-03-07 - 2014-03-12 - H05K13/02
  • 发明提供一种基板供给装置及基板供给方法,能够高效地进行每次基板种类的转换时所执行的搬运宽度调整而实现生产率提高。在向元件安装生产线供给基板基板供给装置(M1)中,附随在元件安装生产线的上游侧配置而依次将收纳的基板向下游侧供给基板收纳单元(M1A),由条形码读取器(31a)从基板信息即条形码(6a)读取基板宽度信息并存储于存储部(32),将存储的基板宽度信息从发送部(33)发送至基板搬运单元(M1B)的接收部(41),在基板搬运单元(M1B)中,在基板基板收纳单元(M1A)供给之前,由搬运宽度调整部(43)根据接收到的基板宽度信息来调整输送机机构的搬运宽度
  • 供给装置方法
  • [发明专利]基板运送供给方法及基板运送供给装置-CN201410247169.7有效
  • 高田直毅;中村守;水间敬太 - 东和株式会社
  • 2014-06-05 - 2017-08-08 - H05K13/02
  • 本发明的基板运送供给方法及基板运送供给装置将表面上安装有多个电子器件的基板运送到压缩树脂封装装置中的上模面的下方位置,并且将安装有电子器件的基板的表面朝下且使成为其相反侧的基板的背面吸附到压缩树脂封装装置中的上模面并保持时,通过向基板运送板部中的收容凹部供给压缩空气,以向上推动因自重而下垂并弯曲变形的基板的中央部,从而进行将基板弯曲变形姿势修正至大致水平状的姿势位置的基板姿势矫正工序。
  • 运送供给方法装置
  • [发明专利]基板供给装置-CN201210327831.0有效
  • 西尾勤;魏志丹;横山雅树 - 中外炉工业株式会社
  • 2012-09-06 - 2013-03-27 - C03C17/00
  • 一种基板供给装置(1),能在短时间内更换基板,其包括:多个臂部(4),这些臂部(4)设置成能一体地旋转及升降,且绕转轴对称地设置;多个小平台(6),这些小平台(6)分别被支承成与臂部(4)之间存在游隙,且所述小平台能对基板进行保持;以及主平台(7),该主平台(7)利用臂部(4)的旋转及升降来载置小平台(6),且包括在游隙的范围内对小平台(6)进行定位并保持的平台保持机构(9、10)。
  • 供给装置
  • [发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201410443208.0在审
  • 根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 - 斯克林集团公司
  • 2014-09-02 - 2015-10-21 - H01L21/306
  • 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括:SPM供给工序,将高温的SPM供给基板的上表面;DIW供给工序,在SPM供给工序之后,通过将室温的DIW供给基板的上表面,来冲洗残留在基板上的液体;双氧水供给工序,在SPM供给工序后且在DIW供给工序前,在SPM残留在基板上的状态下,将液温比SPM的温度低且室温以上的双氧水供给基板的上表面的双氧水供给工序;以与双氧水供给工序并行的方式,将高温的纯水供给基板的下表面的温度降低抑制工序
  • 处理方法以及装置
  • [发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序-CN201410044063.7有效
  • 竹林雄二;岛田真一;守川敦史 - 株式会社日立国际电气
  • 2014-01-30 - 2014-08-06 - C23C16/455
  • 本发明提供基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序,提高半导体器件的制造品质和提高半导体器件的制造生产能力。基板处理装置包括:收纳基板的处理室;向基板供给原料气体的原料气体供给系统;经第1反应气体供给管向基板供给反应气体的第1反应气体供给系统;经与第1反应气体供给管连接的第2反应气体供给管向基板供给反应气体的第2反应气体供给系统,在第2反应气体供给管设有储存反应气体的气体积存部,经该气体积存部向基板供给反应气体;控制部,控制原料气体供给系统、第1反应气体供给系统及第2反应气体供给系统,进行向基板供给原料气体的处理、和从第1反应气体供给管及第2反应气体供给管向基板供给反应气体的处理。
  • 处理装置半导体器件制造方法程序
  • [发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN202080076231.4在审
  • 加藤宽三 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-10-26 - 2022-06-10 - B05B13/02
  • 基板处理装置具备:旋转保持部,其用于保持基板并使所述基板旋转;处理液供给部,其用于向基板的表面供给处理液;涂布控制部,其执行供给处理和涂布处理,所述供给处理包括一边使基板供给用的旋转速度旋转、一边向该基板的表面供给处理液,所述涂布处理包括在处理液的供给完成之后使基板旋转以使处理液沿着基板的表面扩展;供给开始检测部,其在供给处理的执行过程中基于处理液的喷出流量的时间变化来检测处理液的供给开始定时;以及条件变更部,其基于供给开始定时来至少变更处理液的供给完成定时或供给用的旋转速度,以抑制因供给开始定时相对于目标定时偏离而引起处理液的供给期间中的基板的旋转次数从目标旋转次数偏离。
  • 处理装置方法以及存储介质
  • [发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201880087065.0在审
  • 东克荣;菅原雄二;竹松佑介;石川友也 - 株式会社斯库林集团
  • 2018-12-21 - 2020-09-04 - H01L21/304
  • 基板处理方法,其是向形成有图案的基板表面供给药液而对基板进行处理的方法,所述基板处理方法包括:基板保持工序,对基板进行保持;药液供给工序,向基板的至少前述表面供给前述药液;低导电性液体供给工序,在前述药液供给工序之前,为了对基板进行除电,向基板的前述表面供给导电性比前述药液低的低导电性液体;以及高导电性液体供给工序,在前述低导电性液体供给工序之前,为了对基板进行除电,不向基板的前述表面而向基板中与前述表面相反侧的背面供给导电性低于前述药液且高于前述低导电性液体的高导电性液体
  • 处理方法装置
  • [发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201910770657.9在审
  • 高桥朋宏;武知圭;佐佐木光敏;秋山刚志 - 株式会社斯库林集团
  • 2019-08-20 - 2020-03-31 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)包括处理槽(110)、基板保持部(120)、流体供给部(130)及控制部(140)。处理槽(110)蓄存用于处理基板的处理液。基板保持部(120)在处理槽(110)的处理液内保持基板。流体供给部(130)向处理槽(110)供给流体。控制部(140)控制流体供给部(130)。控制部(140)在对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)开始流体的供给,直至对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)结束流体供给为止的期间,控制流体供给部(130),以使流体供给部(130)变更流体的供给。本发明的基板处理装置以及基板处理方法能够抑制处理槽内的基板处理的偏颇。
  • 处理装置以及方法

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