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[发明专利]基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法-CN201280076634.4在审
发明人：郑彩焕;李善和;柳相;金昊星;夫性才 -专利权人：韩国生产技术研究院
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明的一个实施例涉及基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，要解决的技术问题为借助电子束使形成于低价型基板上的非晶硅薄膜结晶化而实现由于结晶率高而可容易实现高品质为此，本发明的一个实施例提供一种基于利用线性电子束使大面积非晶硅薄膜结晶化的方法的多晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，上述方法包括准备基板的基板准备步骤；第1+型非晶硅层沉积步骤，在基板上形成第1+型非晶硅层；第1型非晶硅层沉积步骤，在第1+型非晶硅层上形成第1型非晶硅层；吸收层形成步骤，向第1型非晶硅层照射线性电子束，使第1型非晶硅层和第1+型非晶硅层结晶化而形成吸收层；第2型非晶硅层沉积步骤，在吸收层上形成第2型非晶硅层；以及发射极层形成步骤，向第2型非晶硅层照射线性电子束，使第2型非晶硅层结晶化而形成发射极层，线性电子束以在第1型非晶硅层和第2型非晶硅层上进行规定区间的往复运动的线性扫描方式进行照射。
基于利用线性电子束大面积非晶硅薄膜结晶方法多晶太阳能电池制造

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010305046.X在审
发明人：单朝杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；以第一预设沉积温度在所述基底上形成非晶硅材料层，所述非晶硅材料层用于形成伪栅结构或核心层，所述第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度；刻蚀所述非晶硅材料层，形成非晶硅层，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层。本发明通过使第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度，能够降低在形成非晶硅材料层的过程中非晶硅发生晶化的概率，不易使非晶硅转化为多晶硅，相应的，后续刻蚀非晶硅材料层时，有利于提高刻蚀速率和刻蚀效果的均一性，从而减小非晶硅层的线边缘粗糙度，其中，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层，因此，提高非晶硅层的线边缘粗糙度，相应有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]多晶硅层的制作方法-CN200710181131.4有效
发明人：蔡依芸;丘绍裕;马佳萱;游培甄 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅层的制作方法。首先，提供基板。接着，于基板上形成非晶硅层。再来，提供图案化光掩模，此图案化光掩模包括透光区与遮光区，且以图案化光掩模为罩幕，对非晶硅层照射一光线，其中，对应透光区的非晶硅层转变为亲水性的非晶硅层，而对应遮光区的非晶硅层为疏水性的非晶硅层。继而，提供亲水性金属催化剂，配置在亲水性的非晶硅层上。之后，进行退火制程，使亲水性金属催化剂形成为金属催化剂层，并且，经由金属催化剂层的作用使非晶硅层转变为多晶硅层。
多晶制作方法

[发明专利]使硅层晶化的方法、薄膜晶体管和有机发光显示装置-CN201110087389.4无效
发明人：郑胤谋;李基龙;徐晋旭;李吉远;崔宝京 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种使硅层晶化的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。在基底上的缓冲层上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成密度为大约1011原子/cm2至大约1015原子/cm2的催化剂金属层。随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种。对非晶硅层进行热处理，从而随着由晶化晶种长成硅晶体，形成多晶硅层。
使硅层晶化方法薄膜晶体管有机发光显示装置

[发明专利]多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法-CN201110111195.3无效
发明人：李媛;吴兴坤;郝芳;周丽萍;杨晗琼 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域，现有金属诱导法结晶速率较慢，本发明是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层，由此形成基板、硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层、多晶硅薄膜层三层复合结构的多晶硅薄膜。本发明以硅化钛纳米线作为诱导剂，一方面，更容易诱导非晶硅薄膜晶化，晶化温度更低；另一方面，硅化钛纳米线巨大的比表面积，使诱导层有非晶硅之间的接触面积增大，非晶硅晶化初始阶段，形核数目增加，结晶速率得到极大地提高
多晶薄膜用非晶硅低温诱导制备方法

[实用新型]多晶硅薄膜-CN201120134612.1有效
发明人：李媛;吴兴坤;郝芳;杨晗琼 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用非晶硅低温诱导制备的多晶硅薄膜，属于薄膜太阳能电池技术领域，现有金属诱导法结晶速率较慢，本实用新型是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层，由此形成基板、硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层、多晶硅薄膜层三层复合结构的多晶硅薄膜。本实用新型以硅化钛纳米线作为诱导剂，一方面，更容易诱导非晶硅薄膜晶化，晶化温度更低；另一方面，硅化钛纳米线巨大的比表面积，使诱导层有非晶硅之间的接触面积增大，非晶硅晶化初始阶段，形核数目增加，结晶速率得到极大地提高
多晶薄膜

[发明专利]毫秒退火工艺稳定性的监测方法-CN201110406808.6有效
发明人：何永根;禹国宾;吴兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种毫秒退火工艺稳定性的监测方法，包括：提供待监测晶圆，所述晶圆表面依次形成有隔离层和多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成金属镍层；对晶圆进行第一退火，使金属镍层中的镍与多晶硅层中的硅反应，形成硅化二镍层；去除未反应的金属镍层；对晶圆进行毫秒退火，使硅化二镍层中的镍与多晶硅层中的硅反应，形成硅化镍层，所述毫秒退火的温度范围为500～700摄氏度；测量硅化镍层的方块电阻值，并将方块电阻值与标准值进行比较，判断毫秒退火工艺的稳定性本发明实施例的方法，提高监测晶圆的利用率，降低生产成本，提高监测的准确度。
毫秒退火工艺稳定性监测方法

[发明专利]形成硅化镍材料的方法-CN201980046439.9在审
发明人：于敏锐;任河;梅裕尔·奈克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文揭示了在基板上形成硅化镍材料的方法。所述方法包括在约15℃至约27℃的温度下在基板顶部沉积第一硅化镍种晶层，在400℃或更低，诸如超过350℃的温度下，使第一硅化镍种晶层退火；以及在约15℃至约27℃的温度下，在第一硅化镍种晶层上沉积第二硅化镍层，以形成硅化镍材料。
形成硅化镍材料方法

[发明专利]横向磊晶形成磊晶层的方法-CN02148961.0无效
发明人：寺嶋一高;章烱煜;赖穆人 -专利权人：威凯科技股份有限公司
申请日： 2002-11-14 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种横向磊晶形成磊晶层的方法，包括提供一硅基底；形成一磊晶罩幕层于硅基底表面；图案化磊晶罩幕层，以形成多数视窗区于相邻图案化磊晶罩幕层之间，露出部分硅基底表面；磊晶一磷化硼，先垂直磊晶磷化硼于视窗区内，直到磷化硼的厚度大于图案化磊晶罩慕层的厚度，使横向磊晶磷化硼于图案化磊晶罩幕层上方。磊晶罩幕层不仅可以形成于硅基底表面，用以使磷化硼缓冲层横向磊晶于其上方，磊晶罩幕层亦可以形成于磷化硼缓冲层表面，使一束缚层横向磊晶于其上方，还可以形成于束缚层表面，用以使一活性层横向磊晶于其上方。具有提高发光元件的发光效率和使用寿命，降低发光元件的成本及使磊晶层的结晶完美，以降低差排缺陷密度的功效。
横向晶形成磊晶层方法

[发明专利]一种钝化接触太阳能电池的制备方法-CN202010554934.5有效
发明人：陈嘉;马丽敏;吴伟梁;陈程;刘志锋;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：该制备方法包括：对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，激光器的功率为20～38W；清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；对晶体硅基体的双面进行钝化处理；对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
一种钝化接触太阳能电池制备方法

[发明专利]图像传感器结构及其制造方法-CN200610143308.7无效
发明人：陈宥先;黄明山;汪嘉将 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器结构的制造方法，包括：提供基板；在上述基板上形成图像传感器电路结构；在上述图像传感器电路结构上形成图案化停止层；顺应性地在上述图案化停止层上和未被上述图案化停止层覆盖的上述图像传感器电路结构上依次形成电极层、第一掺杂非晶硅层和第一未掺杂非晶硅层；以及进行平坦化步骤，以移除部分上述第一未掺杂非晶硅层、上述第一掺杂非晶硅层以及上述电极层直至上述图案化停止层，使剩余的上述电极层、上述第一掺杂非晶硅层和上述第一未掺杂非晶硅层被该图案化停止层分隔
图像传感器结构及其制造方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管制造方法-CN201210004411.9有效
发明人：许民庆;吴钊鹏;庄涂城;余鸿志;吴宏哲 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明为一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，该方法为在一基板上形成一非晶硅层，接着对该非晶硅层进行去氢处理，此时即使非晶硅层成为一微晶粒状，其后在该微晶粒状的非晶硅层上再形成一层未微晶粒化的非晶硅层，再接着对该非晶硅层上进行去氢处理使非晶硅层也成为一微晶粒状，然后继续重复形成该非晶硅层并进行去氢处理，以形成多层微晶粒状的非晶硅层，最后再进行一准分子激光退火工艺，使该多层微晶粒状的非晶硅层结晶成为一多晶硅层，其中该多晶硅层因为经过预处理成为多层微晶粒状的非晶硅层后再进行准分子激光退火工艺，使多晶硅层之晶粒变得更大，因此载子迁移率也变大。
低温多晶薄膜晶体管制造方法

[发明专利]非晶硅结构的制造方法-CN202010242670.X有效
发明人：龚昌鸿;胡宗福;胡秀梅;陈建勋;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在表面具有图形结构的半导体衬底表面上形成非晶硅层；步骤二、在非晶硅层的表面形成第一氧化硅层，第一氧化硅层中至少包括一层采用FCVD工艺生长的FCVD氧化硅子层；利用FCVD工艺使第一氧化硅层表面平坦化；步骤三、进行退火使FCVD氧化硅子层致密化；步骤四、采用等向性刻蚀工艺对第一氧化硅层和非晶硅层进行刻蚀并停止在非晶硅层的目标厚度上。本发明能简化非晶硅层的平坦化和厚度控制工艺并降低工艺难度，能提高器件电学性能和电性匹配度以及提高产品良率，适用于技术节点不断缩小的需要。
非晶硅结构制造方法

[发明专利]制造液晶显示器的方法以及形成复晶硅层的方法-CN03155806.2有效
发明人：石储荣;蔡耀铭 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本发明提供一种用于液晶显示器中的复晶硅层的形成方法，包括以下步骤。首先，提供一绝缘基板，在绝缘基板上形成沉积一非晶硅层。接着，使非晶硅层结晶化，而形成一表面具有凸出部分的复晶硅层。接着，在复晶硅层上形成一改质层，以改质复晶硅层表面的凸出部分，改质层为氧化硅层或氮化硅层。最后，除去改质层，并同时除去复晶硅层表面的凸出部分，而得到表面较平坦的复晶硅层。
制造液晶显示器方法以及形成复晶硅层

[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法-CN01108131.7无效
发明人：秦明;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2001-03-15 - 公布日： 2001-10-10 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：多晶硅薄膜的制造方法是一种用镍诱导非晶硅晶化获得高质量多晶硅薄膜的方法，其具体的方法为①在绝缘衬底上淀积一层非晶硅材料；②用二氧化硅覆盖非晶硅薄膜；③在二氧化硅上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出并采用干法工艺刻蚀掉露出非晶硅；④在二氧化硅及其上所开的小窗口上蒸发一层金属镍层作为诱导层；⑤在500～650℃的环境下退火以实现非晶硅的晶化。
多晶薄膜制造方法

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