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[发明专利]石英晶片加工方法-CN201710327753.7在审
发明人：申红卫;李健;翟艳飞 -专利权人：济源石晶光电频率技术有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种石英晶片加工方法，其步骤包括提供一种由多个石英晶片原片自前向后排列粘结制取的晶砣，首先在所述晶砣的上、下表面粘结保护板并将其粘结在料板上，得到晶砣待加工体；然后对所述晶砣待加工体的左表面或右表面依次进行线切割和研磨处理，制得晶砣一次研磨体，最后对所述晶砣一次研磨体的上表面依次进行线切割和研磨处理，制得晶砣研磨体成品；采用化解液将所述晶砣研磨体成品化解开，得到切割研磨后的石英晶片单片。该方法通过保护板对石英晶片边缘和拐角部位的保护作用，从而能极大降低位于晶砣边沿的石英晶片产生缺角和碎裂的现象且该方法步骤简单、易于操作。
石英晶片加工方法

[实用新型]晶圆承载盘及等离子体处理装置-CN202121754732.1有效
发明人：裴江涛;左涛涛 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆承载盘，用于一等离子体处理装置，所述等离子体处理装置用于对具有固定直径和标准缺口的第一晶圆进行等离子处理，所述晶圆承载盘的外径尺寸与所述第一晶圆的固定直径相同，其上表面设有一凹陷区域，所述凹陷区域用于容置第二晶圆，所述第二晶圆的直径小于所述第一晶圆的固定直径。相应的，还公开一种等离子体处理装置、晶圆传输方法。本发明能够在同一个型号刻蚀机上实现多种尺寸晶圆的刻蚀工艺处理，增加刻蚀机的兼容性和使用效率。
承载等离子体处理装置

[实用新型]一种固晶机摆臂装置-CN202220092928.7有效
发明人：高勇;包基寿;高小龙;方潮 -专利权人：杭州杭定电子产品有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种固晶机摆臂装置，属于半导体封装设备的技术领域，其技术方案要点是包括：固晶机本体；工作台，所述工作台置于固晶机本体的一侧；放置台，所述放置台置于固晶机本体的另一侧；摆臂组件，所述摆臂组件安装于固晶机本体上，所述摆臂组件包括第一电机、摆臂体；调节机构，所述调节机构置于摆臂体上；吸嘴组件，所述吸嘴组件置于摆臂体上。本申请提供一种固晶机摆臂装置，保护晶片表面质量不受损伤的同时也能够提供所需的固晶压力，提高固晶精度和固晶效果。
一种固晶机摆臂装置

[发明专利]一种高镍前驱体材料、其制备方法及应用-CN202110565272.6有效
发明人：王碧武;黄晓笑;于建;孙辉 -专利权人：宁波容百新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种高镍前驱体材料、其制备方法及应用。所述高镍前驱体材料分为三种，分别由三类不同的晶须堆叠形成微球。第一种高镍前驱体材料中，晶须的直径150nm，晶须的长径比4。第二种高镍前驱体材料中，晶须的直径为150～250nm，晶须的长径比为2～4。第三种高镍前驱体材料中，晶须的直径250nm，晶须的长径比2。本发明没有通过正极材料制备工艺的改善来提高DSC，而是直接从前驱体入手，一方面能够简化材料制备的工艺降低成本，另一方面减少正极工艺改变对材料的其它性能的负面影响，所提供的高镍前驱体材料制备的正极材料的热稳定性较优
一种前驱材料制备方法应用

[发明专利]莫来石晶须前驱体定量原位制备刚玉-莫来石_(晶须)质耐火材料的方法-CN201210481016.X有效
发明人：顾幸勇;李萍;罗婷;胡克艳;董伟霞 -专利权人：景德镇陶瓷学院
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开一种莫来石晶须前驱体定量原位制备刚玉-莫来石(晶须)质耐火材料的方法，将莫来石晶须前驱体颗粒和刚玉烧结体前驱体粉料，按重量百分比40～60：40～60称重后，经干法混合、半干压成型、烧制获得刚玉-莫来石(晶须)质耐火材料。本发明创新地通过向烧结体前驱体粉料中加入控制一定造粒粒径的莫来石晶须前驱体颗粒，让其定位定量原位合成针状莫来石来制备刚玉-莫来石(晶须)质耐火材料，利用均匀分布、原位生成的莫来石晶须网络结构的高强度和低膨胀性特性
莫来石晶须前驱定量原位制备刚玉莫来石 sub 晶须耐火材料方法

[发明专利]利用离子束加厚非晶四面体碳涂层的方法及装置及涂层-CN201810713176.X有效
发明人：康永锋;张泽龙;李斌;赵玉清 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用离子束加厚非晶四面体碳涂层的方法及装置及涂层，包括以下步骤：1、在基体表面制备非晶四面体碳涂层，当制备的非晶四面体碳涂层达到设定单次沉积厚度时，开启冷阴极潘宁离子源，用氩离子轰击基体表面2、轰击2min‑12min后，关断冷阴极潘宁离子源，继续在基体表面制备非晶四面体碳涂层。3、重复上述步骤N次，直至制备的非晶四面体碳涂层达到设定总厚度。解决了现有技术中非晶四面体碳薄膜难以加厚的问题，本发明可以减小薄膜应力，加厚非晶四面体碳薄膜，延长涂层的使用寿命，实现工业化生产。
利用离子束厚非四面体涂层方法装置

[发明专利]一种非晶合金熔体流动性测试系统及测试方法-CN202010985905.4有效
发明人：马明臻;王飞龙;吕敬旺;张山;尹大伟;施志林;张新宇;刘日平 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01N11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶合金熔体流动性测试系统及测试方法，属于块体非晶合金技术领域。本发明的铸型结构能够将熔体准确地注入铸型中，且通过与接触式热电偶测试体系的共同作用，能够获取非晶合金熔体在铸造过程中的平均冷却温度和平均流动速度；同时，通过改变铸型的材质，可以获取非晶合金熔体在不同材质铸型中的流动情况(平均冷却温度和平均流动速度)，为评价非晶合金铸造时熔体的流动性和充型能力提供有用的技术参数。本发明还提供了利用上述技术方案所述的非晶合金熔体流动性测试系统对非晶合金熔体的流动性测试方法，本发明提供的测试方法简单、易操作。
一种合金流动性测试系统方法

[发明专利]晶圆位置的监测装置及具有该监测装置的晶圆载台-CN202211679686.2有效
发明人：林坚;王彭 -专利权人：泓浒（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆载台技术领域，具体公开了一种晶圆位置的监测装置及具有该监测装置的晶圆载台，所述晶圆位置的监测装置包括承载晶圆的工作台、带动所述工作台移动的移动机构以及获取该晶圆位置的监测组件；所述工作台包括容纳晶圆的台体、转动安装在所述台体中的转盘以及对所述台体进行支撑的支撑柱，所述台体位于所述转盘的周侧对称安装有至少两个转动限位组件。本发明在承载晶圆的工作台上设置转动限位组件对晶圆进行限位，使晶圆在跟随工作台移动过程中保持位置不变，避免晶圆窜动，提高晶圆移动的稳定性的同时解决现有技术中由于晶圆移动而产生的测量误差的问题，提高了晶圆位置的监测精度
位置监测装置具有晶圆载台

[实用新型]晶圆盒自动开关装置-CN201720527980.X有效
发明人：黄平;林保璋;计骏;唐黎华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆盒自动开关装置，用于开启和关闭晶圆盒，所述晶圆盒包括晶圆盒盒体和晶圆盒底座，所述晶圆盒自动开关装置包括底盘和第一动力装置，其中所述底盘包括第一底盘及第二底盘，所述第一底盘承载所述晶圆盒盒体，所述第二底盘承载所述晶圆盒底座；所述第一动力装置驱动所述第二底盘和/或所述第一底盘进行升降，从而使晶圆盒盒体和晶圆盒底座分开或者合起。本实用新型通过第一动力装置驱动所述第二底盘和/或所述第一底盘进行升降，防止手动操作开启和关闭晶圆盒造成的晶圆破损和污染，并且控制装置监测所述底盘以确保晶圆盒完全下降到目标位置，防止动作不到位引起的晶圆破损事故
晶圆盒自动开关装置

[发明专利]覆晶封装体-CN200410001653.8有效
发明人：陈裕文;邱已豪;王盟仁 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2004-01-09 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种覆晶封装体，至少包含一载板、一芯片、一拦坝、一散热片、一底胶与复数个导电凸块。该芯片通过复数个导电凸块覆晶接合于载板的上表面，而拦坝设置于载板上且用以支撑该散热片。
封装

[发明专利]微晶玻璃成型体的制造方法-CN202111153951.9有效
发明人：蒋焘;刘少威;王东俊;粟勇;聂小兵 -专利权人：成都光明光电股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明提供一种微晶玻璃成型体的制造方法。微晶玻璃成型体的制造方法，该方法包括以下步骤：1)将基础玻璃进行一次晶化热处理过程，包括升温、保温核化、升温、保温晶化、降温至室温，形成预晶化玻璃；2)将预晶化玻璃进行热加工成型得到微晶玻璃成型体。本发明通过对基础玻璃进行一次晶化热处理，有效降低微晶玻璃3D热加工难度，提升良率，提高生产效率，降低生产成本，特别是针对应用于3D前盖板的高透明微晶玻璃，解决了透明微晶玻璃热加工后透过率降低，雾度增加无法使用的问题，实现了热加工成品玻璃外观指标稳定可控，可获得与冷加工相同品质的透明微晶曲面玻璃。
玻璃成型制造方法

[实用新型]一种适用于金刚线切割的断线压棒挽救装置-CN201920993077.1有效
发明人：赵向阳;闫立 -专利权人：扬州续笙新能源科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了光伏产业技术领域内的一种适用于金刚线切割的断线压棒挽救装置，包括两个轴线互相平行的螺纹辊，螺纹辊外周设有螺纹槽，放线轮放出的金刚线沿着两侧的螺纹槽螺旋卷绕在两螺纹辊上，形成线网；所述线网上方设有可升降的晶托，晶托上固定有晶棒，晶棒包裹套包括底座，底座呈矩形，底座的四周分别连接有前侧套体、后侧套体、左侧套体和右侧套体，前侧套体、后侧套体、左侧套体和右侧套体上均设置有多个可上下叠压的伸缩结构，所述晶棒包裹套上端的四个顶角处均设置有定位钩，所述晶托上侧对应各定位钩设置有若干定位槽，所述定位钩卡入对应定位槽内。本实用新型能够提高晶棒压入线网的成功率，减少晶棒、金刚线的浪费。
一种适用于金刚切割断线挽救装置

[发明专利]一种快速晶化合成高结晶度介孔ZSM-5分子筛的方法-CN201910462013.3在审
发明人：蔡建华 -专利权人：天津金玺科技发展有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速晶化合成高结晶度介孔ZSM‑5分子筛的方法，属于分子筛技术领域。包括前驱体制备、晶化、过滤、干燥和焙烧，其中晶化方法有两种。方法一，是采用干胶转化法制备前驱体，利用乙醇自生压力进行晶化。方法二，是采用饱和蒸汽对密封容器中的前驱体进行加热进行晶化处理。晶化处理的饱和蒸汽的温度为160～180℃，晶化时间为1‑6小时。前驱体在晶化过程中，按质量比加入了硅源和模板剂，硅源和模板剂的摩尔比为1：(0.01～0.5)，初始前驱体和硅源的质量比为2～15％。本发明的方法具有以下优点：工艺简单，晶化过程的温度均匀，产品结晶度高、模板剂用量极少，晶化时间短，能够提高生产率，节约能源。
晶化前驱体硅源饱和蒸汽高结晶度晶化处理晶化过程模板剂质量比介孔合成分子筛焙烧分子筛技术模板剂用量产品结晶密封容器前驱体制温度均匀自生压力摩尔比乙醇干胶加热过滤节约能源转化

[发明专利]一种磷化铟纳米晶的制备方法-CN201710729253.6有效
发明人：张卫 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷化铟纳米晶的制备方法，包括以下步骤：提供第一铟前体，所述第一铟前体包括铟源、锌源和第一配体；提供第二铟前体，所述第二铟前体包括铟源、锌源和第二配体；提供磷前体，所述磷前体包括磷源；将第一铟前体与第二铟前体混合，升温至预定温度，加入磷前体，反应生成磷化铟纳米晶。本发明在纳米晶的形成过程中，通过加入两种不同的铟前体，减小了磷化铟纳米晶的表面缺陷，所获得的磷化铟纳米晶的半峰宽小、量子产率高。
一种磷化纳米制备方法

[发明专利]晶圆封装体及晶圆的封装方法、晶粒封装体及封装体-CN202310325129.9在审
发明人：潘志刚;吴之焱;石天福 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆封装体及晶圆的封装方法、晶粒封装体及封装体。该晶圆的封装方法包括：提供晶圆和饼状的封装层；所述晶圆包括衬底和层叠于所述衬底表面的介质层；将所述饼状的封装层设于所述介质层背离所述衬底的一侧表面，或者将所述饼状的封装层设于所述衬底背离所述介质层的一侧表面，并将所述饼状的封装层在所述晶圆表面塑封成型。该方法有效降低了晶圆边缘的翘曲问题的发生概率或者使晶圆边缘的翘曲程度得到改善。
封装方法晶粒