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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮化镓体单晶及其生长方法-CN202011458817.5有效
发明人：司志伟;刘宗亮;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓体单晶及其生长方法。所述生长方法包括：在以助熔剂法生长氮化镓体单晶的过程中，在氮化镓体单晶与籽晶的界面处形成孔洞结构，使生长形成的氮化镓体单晶与籽晶之间形成弱连接；以及破坏所述弱连接，使氮化镓体单晶与籽晶分离。本发明实施例提供的可实现籽晶重复利用的氮化镓体单晶的生长方法，利用助熔剂法进行氮化镓体单晶的同质外延，并利用孔洞辅助的方式进行氮化镓体单晶与籽晶的分离，在实现籽晶的循环利用的同时，降低了籽晶和氮化镓体单晶的分离难度
氮化镓体单晶及其生长方法

[发明专利]一种太阳能单晶硅棒-CN201210316706.X无效
发明人：王桂奋;谢德兵;王迎春 -专利权人：金坛正信光伏电子有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能单晶硅棒，包括复数根单晶硅棒体叠加而成，单晶硅棒体的上表面设有与单晶硅棒体相贴合的保护膜，保护膜上覆盖有粘贴层，单晶硅棒体的下部设有底板，底板上涂覆有环氧树脂粘贴层，单晶硅棒体的两侧均设有挡板，单晶硅棒体通过挡板粘贴在底板上。所述的太阳能单晶硅棒，此设计的硅棒，能够在进行线网切割时，避免出现厚度不均匀的现象，能够有效地提高晶片的质量。
一种太阳能单晶硅

[实用新型]一种太阳能单晶硅棒-CN201220437377.X有效
发明人：王桂奋;谢德兵;王迎春 -专利权人：金坛正信光伏电子有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能单晶硅棒，包括复数根单晶硅棒体叠加而成，单晶硅棒体的上表面设有与单晶硅棒体相贴合的保护膜，保护膜上覆盖有粘贴层，单晶硅棒体的下部设有底板，底板上涂覆有环氧树脂粘贴层，单晶硅棒体的两侧均设有挡板，单晶硅棒体通过挡板粘贴在底板上。所述的太阳能单晶硅棒，此设计的硅棒，能够在进行线网切割时，避免出现厚度不均匀的现象，能够有效地提高晶片的质量。
一种太阳能单晶硅

[发明专利]一种单晶硅高通量微针结构-CN201910277913.0在审
发明人：蔡晓雨 -专利权人：苏州泽矽能电子科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅高通量微针结构，包括单晶硅衬底、单晶硅微针针体阵列和通量孔，所述单晶硅微针针体阵列均匀分布在所述单晶硅衬底上表面，所述通量孔为单个或多个，贯穿设置于所述单晶硅衬底上，所述通量孔和所述单晶硅微针针体阵列互不干涉，所述单晶硅微针针体阵列中的微针针体为实心针体，所述实心针体轴线与单晶硅衬底表面垂直，所述实心针体为圆锥状或多棱锥状，所述单晶硅微针针体阵列排布形式为蜂窝型、方型或三角型中的一种。
单晶硅微针针体阵列高通量实心针通量微针结构衬底衬底上表面衬底表面持续提供互不干涉排布形式一致性好成品率多棱锥蜂窝型贯通孔体轴线圆锥状方型皮下针体垂直贯穿加工

[实用新型]直拉硅单晶炉装置-CN201020182937.2无效
发明人：周俭 -专利权人：内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提高单晶硅纯度的直拉硅单晶炉装置，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。利用带有罩体的单晶炉装置所拉制的单晶硅的纯度比现有技术的单晶炉装置所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。
直拉硅单晶炉装置

[发明专利]光伏器件和制造其的方法-CN201610139737.0有效
发明人：金志焕;李允锡;T.S.格申 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：用于制造光伏器件的方法，所述方法包括在第一单晶基板上形成二维材料。在所述第一单晶基板之上生长包括Cu‑Zn‑Sn‑S(Se)(CZTSSe)的单晶吸收体层。由所述二维材料剥离所述单晶吸收体层。将所述单晶吸收体层转移至第二基板，并且将所述单晶吸收体层放置于在第二基板上形成的导电层上。在所述单晶吸收体层上形成另外的层以完成所述光伏器件。
器件制造方法

[实用新型]一种单晶铣刀-CN201922217957.2有效
发明人：丁冲 -专利权人：苏州卡罗伊精密刀具有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B23C5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶铣刀，所述铣刀杆的一端设置有铣刀头，且铣刀头包括头体、倒角单晶块、侧铣单晶块、反焊接接面、正焊接接面，所述头体的侧壁设置有正焊接接面，且正焊接接面的端面设置有侧铣单晶块，所述头体得到侧壁设置有反焊接接面，且反焊接接面端面焊接有倒角单晶块，所述铣刀杆的尾部开设有中空腔，且中空腔的孔内插入有螺纹杆，所述螺纹杆的尾部设置有杆尾，所述铣刀杆和铣刀头的头体一体设置。本实用新型所述的一种单晶铣刀，倒角单晶块和侧铣单晶块为两刃非对称结构，倒角单晶块和侧铣单晶块旋转形成复合轮廓，倒角单晶块和侧铣单晶块无内R角设置，一定程度上提高加工精度，满足加工需要。
一种铣刀

[发明专利]利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器-CN202010251043.2在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，结构包括：第一硅衬底、串联单晶薄膜体声波谐振器、第一电极层、并联单晶薄膜体声波谐振器、第二电极层和第一射频耦合电容，串联单晶薄膜体声波谐振器通过第一电极层与并联单晶薄膜体声波谐振器连接，并联单晶薄膜体声波谐振器通过第二电极层与第一射频耦合电容连接。通过采用第一射频耦合电容能够显著增强体声波滤波器的带外抑制特性，同时，通过第一射频耦合电容与并联单晶薄膜体声波谐振器进行连接，能够有效减少外接电路引入的性能损耗，此外，本发明仅仅需要串联单晶薄膜体声波谐振器与并联单晶薄膜体声波谐振器连接在一起即可
利用射频电容优化刻蚀型单晶薄膜声波谐振器

[实用新型]利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器-CN202020457007.7有效
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，结构包括：第一硅衬底、串联单晶薄膜体声波谐振器、第一电极层、并联单晶薄膜体声波谐振器、第二电极层和第一射频耦合电容，串联单晶薄膜体声波谐振器通过第一电极层与并联单晶薄膜体声波谐振器连接，并联单晶薄膜体声波谐振器通过第二电极层与第一射频耦合电容连接。通过采用第一射频耦合电容能够显著增强体声波滤波器的带外抑制特性，同时，通过第一射频耦合电容与并联单晶薄膜体声波谐振器进行连接，能够有效减少外接电路引入的性能损耗，此外，本实用新型仅仅需要串联单晶薄膜体声波谐振器与并联单晶薄膜体声波谐振器连接在一起即可
利用射频电容优化刻蚀型单晶薄膜声波谐振器

[发明专利]制备碳化硅单晶的方法-CN200680022260.2有效
发明人：坂元秀光 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种制备碳化硅单晶的方法，其包括使碳化硅单晶基板与通过熔融包含Si和C的原料制备的熔体接触，并使碳化硅单晶在所述基板上生长，所述方法包括进行包含如下步骤(a)和(b)的循环：a)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触、生长单晶、以及从所述熔体的所述表面分离所述籽晶基板从而打断所述单晶生长的步骤，和b)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触并生长单晶的步骤，至少进行一次，其中所述籽晶是6H－碳化硅单晶或15R－碳化硅单晶，得到的单晶是4H－碳化硅单晶。
制备碳化硅方法

[实用新型]一种单晶硅高通量微针结构-CN201920463684.7有效
发明人：蔡晓雨 -专利权人：苏州泽矽能电子科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶硅高通量微针结构，包括单晶硅衬底、单晶硅微针针体阵列和通量孔，所述单晶硅微针针体阵列均匀分布在所述单晶硅衬底上表面，所述通量孔为单个或多个，贯穿设置于所述单晶硅衬底上，所述通量孔和所述单晶硅微针针体阵列互不干涉，所述单晶硅微针针体阵列中的微针针体为实心针体，所述实心针体轴线与单晶硅衬底表面垂直，所述实心针体为圆锥状或多棱锥状，所述单晶硅微针针体阵列排布形式为蜂窝型、方型或三角型中的一种。
单晶硅微针针体阵列实心针通量高通量衬底本实用新型衬底上表面衬底表面持续提供互不干涉排布形式微针结构一致性好成品率多棱锥蜂窝型贯通孔体轴线圆锥状方型皮下针体垂直贯穿加工

[发明专利]锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法-CN200910081473.8无效
发明人：陈晓锋;陈诺夫;吴金良;张秀兰;柴春林;俞育德 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体
掺杂锑化镓单晶化学腐蚀方法

[发明专利]直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法-CN201010166018.0有效
发明人：周俭 -专利权人：内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。在单晶硅拉制过程中，将惰性气体从副室(1)流向罩体(5)，再沿着罩体(5)从其下端流出，最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。
直拉硅单晶炉装置硅单晶拉制方法

[发明专利]有机单晶闪烁体的制备方法和有机单晶闪烁体在甄别中子和伽马射线中的应用-CN202110164014.7在审
发明人：胡文平;孙启升;张小涛 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C07C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机单晶闪烁体的制备方法和有机单晶闪烁体在甄别中子和伽马射线中的应用，有机单晶闪烁体的制备方法包括以下步骤：将提纯后有机闪烁体粉末溶解在第一溶剂中，制成第一有机闪烁体饱和溶液，准备有机单晶闪烁体的籽晶，将籽晶放入第一有机闪烁体饱和溶液中，于10‑30℃静置8～20天，得到有机单晶闪烁体。本发明制备方法有利于获得高质量的有机单晶闪烁体并提高其在中子/伽马甄别上的效果。
有机闪烁制备方法甄别中子伽马射线中的应用

[发明专利]一种用于单晶硅片的自动化清洗系统和清洗方法-CN202210799573.X在审
发明人：杨崇秋;周林;吉成东 -专利权人：江苏茂硕新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅片技术领域，具体涉及一种用于单晶硅片的自动化清洗系统和清洗方法，包括：控制终端，是系统的主控端，用于发出控制命令；接收模块，用于接收单晶硅片，向清洗仓体中传送；清洗仓体，用于搁置单晶硅片，对单晶硅片进行清理处理；称重模块，部署在清洗仓体的内部，用于对清洗仓体内部搁置的单晶硅片进行称重；配比模块，用于获取称重模块的运行结果数值，参考该数值进行单晶硅片的清洗液配比；控制面板，是系统的外部控制部件，用于控制清洗仓体的运行开闭，本发明能够自动化的对单晶硅片进行识别，从而实现同属性的单晶硅片的批次清洗，从而以此有效的保证了单晶硅片的清洗完备率，确保单晶硅片的清洗更具针对性。
一种用于单晶硅自动化清洗系统方法

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