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[实用新型]一种提高光能利用率的单晶硅片-CN202021540445.6有效
发明人：郑文广 -专利权人：深圳市百度微半导体有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高光能利用率的单晶硅片，包括单晶硅片本体、双层氮化硅减反射层、刻蚀绒面结构层、防腐蚀结构和N型单晶硅片，所述单晶硅片本体的外壁上设置有防腐蚀结构，所述单晶硅片本体的内部设置有N型单晶硅片，且N型单晶硅片的底端设置有硅片底面，硅片底面的平面结构，所述N型单晶硅片上方的单晶硅片本体内部设置有P型单晶硅片，且P型单晶硅片和N型单晶硅片之间设置有导通区，所述N型单晶硅片两侧的外壁上皆固定有下电极，且下电极上方的P型单晶硅片外壁上固定有上电极。本实用新型不仅提高光能的利用率，减少了硅片的腐化、延长了硅片的使用寿命，而且提高了多组单晶硅片本体连接时的便捷性。
一种提高光能利用率单晶硅

[发明专利]一种单晶型正极材料及其制备方法和应用-CN202310336380.5在审
发明人：黄晓笑;于建;孙辉;蔡力伟;袁徐俊 -专利权人：宁波容百新能源科技股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶型正极材料及其制备方法和应用。所述单晶型正极材料为至少包括锂元素以及镍元素的复合金属氧化物，且所述单晶型正极材料中，镍元素和锂元素的摩尔比为0.7‑0.96；所述单晶型正极材料的单晶尺寸为a，2μm≤a≤8μm；在X射线衍射图谱中，所述单晶型正极材料具有104峰，所述104峰的强度为b，15≤b/a≤50。该单晶型正极材料兼具优异的比容量、压实密度以及充放电性能。
一种单晶型正极材料及其制备方法应用

[发明专利]三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器-CN200610112700.5无效
发明人：陈弘达;黄北举;刘金彬;顾明;刘海军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型单晶硅层上的凹槽内壁面；一p型单晶硅层制作在n型单晶硅层的凹槽结构内，该p型单晶硅层和n型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
电容 mos 高速调制效率电光调制器

[发明专利]双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器-CN200610112702.4无效
发明人：陈弘达;黄北举;刘海军;顾明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种双电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一p型单晶硅层为衬底上的单晶硅，在p型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；一n型单晶硅层制作在二氧化硅掩埋层上及p型单晶硅层表面的栅氧化层的两侧，该n型单晶硅层和p型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层脊形波导结构两侧的平面上；一金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层，该氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
电容金属氧化物半导体高速调制效率电光调制器

[发明专利]一种单晶炉取棒辅助装置-CN201510819048.X有效
发明人：姜舰;刘大力;王雅楠;崔彬;戴小林;吴志强;索思卓;白鸽玲;赵伟 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉取棒辅助装置，包括外环型圈、内环型圈及单晶吊篮，其中外环型圈和内环型圈分别由两个半圆环构成，外环型圈与内环型圈之间通过数个联接杆联接；构成外环型圈的两个半圆环之间通过螺栓连接；外环型圈的下端沿圆周方向设有凹槽；内环型圈的上端内侧沿圆周方向设有开槽；单晶吊篮由多个单晶套环和多根吊装带组成，多个单晶套环通过多根吊装带相互连接，纵向排列；位于最上方的单晶套环设置在所述内环型圈的开槽上，位于最下方的单晶套环为可伸缩圈通过装置取单晶棒，单晶棒直接落入装置内可以避免单晶落入炉对石墨埚或CFC埚等部件的损伤，同时可以减少操作者取棒的劳动强度，防止取棒过程可能带来的人员伤害和产品损伤。
单晶环型圈内环取棒套环沿圆周方向辅助装置半圆环单晶棒单晶炉吊装带吊篮开槽损伤螺栓连接落入装置人员伤害通过装置纵向排列可伸缩联接杆石墨埚上端下端联接

[发明专利]发光二极管-CN201180002711.7有效
发明人：田中浩之;长尾宣明;滨田贵裕;藤井映志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触，p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接，单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga，单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比，单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。
发光二极管

[实用新型]一种光吸收性能好的单晶硅片-CN202021646519.4有效
发明人：王婷 -专利权人：江西久顺科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光吸收性能好的单晶硅片，包括单晶硅片本体，所述单晶硅片本体的顶部固定连接有防腐蚀层，所述防腐蚀层的顶部固定连接有防水层，所述单晶硅片本体包括P型单晶硅片和N型单晶硅片，所述N型单晶硅片的底部固定连接有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有硅片层，所述硅片层的顶部设置有防反射层，所述防反射层的顶部设置有聚光层。本实用新型通过单晶硅片本体、防腐蚀层、防水层、P型单晶硅片、N型单晶硅片、金属导电层、硅片层、防反射层和聚光层的配合使用，具备光吸收性能好的优点，解决了现有的单晶硅片光吸收性能差，从而容易导致单晶硅片吸收效率低的问题
一种光吸收性能单晶硅

[实用新型]P型单晶硅电池-CN202021667006.1有效
发明人：葛学斌;吴守庆;冯成坤 -专利权人：上海先韦能源科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型发明公开了光伏电池技术领域的一种P型单晶硅电池。包括P型单晶硅片，其特征在于：所述P型单晶硅片的表面形成纳米绒面结构，在P型单晶硅片的正面形成发射极，P型单晶硅片的背面依次设置本征非晶硅层、P型非晶硅层、透明导电层和电极，所述P型单晶硅片进行甲基化处理，P型单晶硅片的上下表面形成Si‑CH3键；P型非晶硅层上沉积透明导电层，透明导电层上沉积电极。本实用新型发明具有提高P型单晶硅光伏电池的光电转换效率和电池的稳定性等优点。
单晶硅电池

[发明专利]单晶硅太阳能电池及其制作方法-CN201210529746.2有效
发明人：杨瑞鹏;张开军;付建明;温显 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池及其制作方法，所述单晶硅太阳能电池的制作方法包括：提供基片，所述基片为第一类型单晶硅片；对所述基片的表面进行第二类型掺杂，形成第一类型单晶硅层和位于所述第一类型单晶硅层上表面的第二类型单晶硅层；在所述第二类型单晶硅层的表面形成第一应力层；在所述第一应力层表面形成第一电极，在所述第一类型单晶硅层的下表面形成第二电极。所述单晶硅太阳能电池的制作方法能够有效提高单晶硅太阳能电池中载流子的迁移率，提高单晶硅太阳能电池的转换效率。
单晶硅太阳能电池及其制作方法

[发明专利]N型单晶硅的制造方法及掺磷N型单晶硅-CN201180068406.8有效
发明人：児玉义博;佐藤贤一;中泽庆一 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明是一种N型单晶硅的制造方法，其是利用FZ法来制造单晶硅，其特征在于，通过使用以Ar为基础成分的PH3气体与以Ar为基础成分的B2H6气体，作为掺杂气体进行掺杂，来制造N型单晶硅。由此，提供一种N型单晶硅制造方法及N型单晶硅，所述N型单晶硅制造方法即使是在利用FZ法来制造单晶硅，尤其是制造直径8英寸（200mm）以上的单晶硅时，也可以防止产生OSF。
单晶硅制造方法

[发明专利]N型单晶硅晶圆的制造方法-CN202180067920.3在审
发明人：阵祐徹宽;竹安志信;添田聪 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明是一种N型单晶硅晶圆的制造方法，包含从通过CZ法掺杂Al而制造出的N型单晶硅的块切取晶圆的步骤，其特征在于，预先求出所述N型单晶硅的寿命值、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆为止的天数、有无产生OSF之间的关系，基于所述关系确定关于所述N型单晶硅的所述块的、在切取出的所述晶圆中不产生OSF的、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆的最长保管天数，在确定的最长保管天数之前从所述N型单晶硅的所述块中切取所述晶圆由此，能够提供一种能够防止在PW中产生OSF的N型单晶硅晶圆的制造方法。
单晶硅制造方法

[发明专利]一种高性能压电单晶贴片式环型超声电机用振子-CN201710108993.8有效
发明人：李振荣;王莎;马明;夏颂;丰生磊;魏晓勇;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H02N2/12 文献下载
摘要：本发明公开一种高性能压电单晶贴片式环型超声电机用振子，包括多片扇形的压电单晶片，各扇形的压电单晶片围成环形，各压电单晶片均沿其厚度方向极化，相邻的两个压电单晶片极化方向相反，解决了现有压电陶瓷环型超声电机低温环境下的使用受限、用于大尺寸环型超声电机定子的单晶环难于加工、单晶各向异性的影响等问题，与环片式压电单晶环型超声电机相比较，贴片式高性能压电单晶环形超声电机性能有所提升，功率密度增大，输出力矩增大，并且加工装配工艺简便
一种性能压电单晶贴片式环型超声电机用振子

[发明专利]一种推进剂物料中HNIW晶型转晶率原位分析方法-CN202010856680.2在审
发明人：陈智群;武宗凯;栾洁玉;王琼;王明;周文静;康莹;刘可;王民昌;张皋;常海;苏鹏飞 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种推进剂物料中HNIW晶型转晶率原位分析方法，该方法包括以下步骤：步骤一、试样密实平整地置于载玻片上：步骤二、光学显微镜下确定晶体区域：步骤三、显微拉曼对晶体原位测试获得HNIW拉曼谱图：步骤四、单晶拉曼数据获取，晶型识别，统计转晶率，根据转晶率分析推进剂物料中的HNIW晶型转晶率；步骤401，单晶的标准拉曼谱图获取：制备ε‑HNIW单晶、α‑HNIW单晶和γ‑HNIW单晶，ε‑HNIW单晶、α‑HNIW单晶和γ‑HNIW单晶经X射线单晶衍射仪确证晶体结构后，将单晶置于显微镜下，测试拉曼光谱获得晶型标准拉曼谱图；步骤402，晶型识别；步骤403，转晶率统计。
一种推进物料 hniw 晶型转晶率原位分析方法

[发明专利]p型单晶硅片的表面处理方法-CN200610054245.8无效
发明人：黎学明;刘成伦;王力春;黄辉;聂福德;黄亨健 -专利权人：重庆大学
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：一种p型单晶硅片的表面处理方法，用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片，然后对p型多孔单晶硅片进行后处理，得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减，峰位不蓝移的p型多孔单晶硅片。
单晶硅表面处理方法

[发明专利]n型SiC单晶的制造方法-CN201380067728.X有效
发明人：白井嵩幸 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：提供了能够以快的速度使具有低电阻率的n型SiC单晶成长的n型SiC单晶的制造方法。该n型SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使n型SiC单晶结晶成长的n型SiC单晶的制造方法，包括将氮化物添加至用于形成Si‑C溶液的原料或者
sic 制造方法

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