专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]振动发电装置-CN201380034519.5有效
  • 锅藤实里;正木达章;松浦圭记 - 欧姆龙株式会社
  • 2013-06-19 - 2017-08-04 - H02N1/08
  • 在振动发电装置中,具有第一基板和第二基板,它们构成为能够在保持彼此相对的状态的同时通过外部振动而相对移动;驻极体组,其由在第一基板的一个面侧沿相对移动方向排列的多个驻极体构成;以及电极组,其包含在第二基板的与驻极体组相对的面侧沿相对移动方向排列的第一集电极和第二集电极而且,第一集电极和第二集电极分别与电力供应负载连接,该电力供应负载被供应由外部振动产生的发电电力,并具有比振动发电装置的内部阻抗的阻抗。
  • 振动发电装置
  • [发明专利]压电振动器的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟-CN200880132242.9无效
  • 荒武洁 - 精工电子有限公司
  • 2008-11-28 - 2011-10-26 - H03H3/02
  • 本发明的压电振动器的制造方法,制造包括以下部分的压电振动器:第一基板和第二基板以在该第一基板和第二基板之间形成空腔的方式叠合而构成的封装件;在第一基板上以从空腔内引出到第一基板的外缘的方式形成的引出电极;被密封于空腔内并且在空腔内与引出电极连接的压电振动片;以及形成在封装件的外表面并且在空腔的外部与引出电极连接的外部电极,所述制造方法包括:接合膜形成工序,在第一基板和第二基板的至少一个基板上,用熔点玻璃形成接合两基板的接合膜;装配工序,将压电振动片与形成在第一基板的引出电极连接;以及接合工序,一边将接合膜加热到既定的接合温度,一边以夹持接合膜的方式叠合第一基板和第二基板,并通过接合膜接合两基板
  • 压电振动器制造方法振荡器电子设备电波
  • [发明专利]一种透过率反射率镀膜片-CN202010013282.4有效
  • 葛文志;王刚;王懿伟;矢岛大和;翁钦盛 - 杭州美迪凯光电科技股份有限公司
  • 2020-01-07 - 2021-10-08 - G02B1/10
  • 本发明公开了一种透过率反射率镀膜片制备方法,包括衬底基板,其特征在于,所述衬底基板表面镀有多层膜结构,所述的膜结构包括介质膜和金属膜;所述衬底基板上不同所述金属膜的厚度随与所述衬底基板距离的增大而减小本发明利用蒸镀工艺和溅射镀膜工艺,并通过在镀膜过程中调节金属材料蒸镀用量或金属靶材溅射用量来控制每层金属膜层的厚度,从而实现透过率、反射率镀膜片的制备,所用原料简单、容易配制,制备过程更加方便;由于制备过程中膜材料用量容易通过设备进行控制,故而制备出的镀膜片的膜厚度更加均匀,衬底基板镀膜过程在真空环境中进行,膜材料在衬底基板表面分布更加均匀;所制成品透过率、反射率,遮光效果好。
  • 一种透过反射率镀膜
  • [发明专利]手写式电子纸显示器及其制造方法-CN201110221598.3有效
  • 宋丹娜;张卓 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2011-08-03 - 2012-09-05 - G02F1/167
  • 本发明提供了一种手写式电子纸显示器,涉及电子纸技术领域,包括:具有相同像素电极点阵结构的第一电极基板(1)和第二电极基板(2)、电子纸薄膜(3)、柔性电路板(4)、手写笔(5)和电源;其中,所述电子纸薄膜(3),粘贴在所述第一电极基板(1)的上表面,其公共电极与电源负极性连接;所述第二电极基板(2),成膜层向上地固定在所述电子纸薄膜(3)上;所述柔性电路板(4),用于将所述第一电极基板(1)的像素与所述第二电极基板(2)对应的像素性连接;所述手写笔(5),与电源正极性连接。根据本发明,可实现手写功能,结构简单,成本,节约能源。
  • 手写电子显示器及其制造方法
  • [发明专利]一种多芯片集成电路封装结构-CN201110305081.2无效
  • 徐子旸 - 常熟市广大电器有限公司
  • 2011-10-11 - 2012-03-07 - H01L23/495
  • 本发明公开了一种多芯片集成电路封装结构,该多芯片集成电路封装结构包括金属引脚架、基板、芯片和封装体,其特征在于,所述的金属引脚架作为芯片封装的载体,其两个面上均设有基板,所述的基板上设有芯片连接用布线,芯片被粘结在基板的特定区域内,并通过导线实现与基板性连接,所述的基板与金属引脚架之间通过导线性连接。本发明揭示了一种多芯片集成电路封装结构,该多芯片集成电路封装结构的封装空间利用率高,能有效提高了芯片封装的数量;同时,封装工艺易于实施,封装成本,且封装体连接性能优良,具有较高的实用价值。
  • 一种芯片集成电路封装结构
  • [实用新型]一种LED灯丝灯-CN201420302845.1有效
  • 张诚 - 张诚
  • 2014-06-09 - 2014-10-15 - F21S2/00
  • 本实用新型公开了一种LED灯丝灯,包括灯体、发光体、电源驱动、灯头以及线路基板,所述线路基板与所述灯体固定,所述电源驱动与所述线路基板连接,所述灯头与所述电源驱动连接,所述发光体与所述线路基板连接,还包括支撑钢针和连接片,所述线路基板上设有电极焊接端和中孔,所述支撑钢针一端插入线路基板的中孔之中,所述连接片中心设有安装孔,所述支撑钢针另一端套在所述安装孔之中,所述连接片边缘设有供灯丝电极嵌入的安装槽本实用新型生产成本,工艺简单,不需要火封设备,大大降低了生产门槛。
  • 一种led灯丝
  • [实用新型]层叠型电池-CN201120078992.1无效
  • 神村宏达 - 日产自动车株式会社
  • 2011-03-18 - 2011-09-28 - H01M10/04
  • 本实用新型提供一种层叠型电池,其可以降低配线基板的修理工时。该层叠型电池(100)是将多个由具有集体(12)的电极(11)和电解质层(15)组成的单电池(20)层叠而成,并且具有配线基板(30),该配线基板(30)用于检测单电池(20)的电压,将单电池(20)与外部设备(40)电气连接,配线基板(30)具有:多个连接部(34),其分别与多个单电池(20)的集体(12)连接;以及延伸设置部(33),其具有强度比连接部(34)和集体(12)之间的接合部分的接合强度的脆弱部
  • 层叠电池
  • [发明专利]一种基于逆向润湿和电磁感应的复合风力发电装置-CN201610728910.0在审
  • 田雨农;林同福 - 大连楼兰科技股份有限公司
  • 2016-08-25 - 2018-03-09 - F03D9/25
  • 本发明公开了一种基于逆向润湿和电磁感应的复合风力发电装置,包括相互平行设置的上基板和下基板,永磁发电机位于中心轴上,中心轴顶部连接风叶,所述上基板下表面依次设有第一电极层、第一介层和表面能材料层,下基板上表面依次设有第二电极层和第二介层,所述第二介层上固定有导电液滴阵列,所述永磁发电机通过整流电路连接第一电极层和第二电极层。本发明的有益效果是电磁发电机为逆润湿装置提供了偏置电压源,可根据不同的需要分别设置电磁发电机和逆润湿装置的输出功率,调节两不同发电装置的输出功率比。通过基板的转动运动,实现风能到电能的转化,提高了机械能转化成电能的效率并达到可实际应用的水平。
  • 一种基于逆向润湿电磁感应复合风力发电装置
  • [发明专利]显示面板和显示装置-CN202310826467.0在审
  • 姚绮君 - 上海天马微电子有限公司
  • 2023-07-06 - 2023-10-10 - G02F1/1677
  • 本发明公开了一种显示面板和显示装置,涉及显示技术领域,显示面板包括第一基板、电泳层、致变色模组、驱动元件层、第二基板,电泳层位于第一基板致变色模组之间;致变色模组包括若干阵列排布、独立控制的致变色单元;至少一个致变色单元包括至少一层致变色膜,沿显示面板的厚度方向,一层致变色膜至少包括第一电极、第一致变色层、第二电极,第一致变色层位于第一电极和第二电极之间,第二电极位于第一致变色层朝向第二基板一侧;驱动元件层包括与至少一层致变色膜对应设置的第一驱动晶体管,第一驱动晶体管的第一极与对应设置的致变色膜的第二电极连接。如此,有利于改善电泳类显示面板透过率的问题。
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]介电常数介质层的蚀刻方法-CN03104623.1无效
  • 聂俊峰;王清帆;郑丰绪;陈振隆 - 矽统科技股份有限公司
  • 2003-02-18 - 2004-08-25 - H01L21/311
  • 本发明揭示一种介电常数介质层的蚀刻方法,包括下列步骤:提供一基板,上述基板具有一介电常数介质层;于上述介电常数介质层上形成一非晶碳(amorphous carbon)植入层;于上述非晶碳植入层上形成一阻剂层图形化上述阻剂层来定义一第一开口(opening),以形成一阻剂罩幕;蚀刻上述非晶碳植入层中未被上述阻剂罩幕覆盖的部分而在上述非晶碳植入层定义一第二开口,以形成一硬罩幕;剥除上述阻剂罩幕;以及蚀刻上述介电常数介质层未被上述硬罩幕覆盖的部分本发明的蚀刻方法用以在半导体后段制程中,以0.13μm或更小的制程在一介电常数介质层蚀刻一沟槽或介层窗。
  • 介电常数介电质层蚀刻方法

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