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[实用新型]一种低电容大浪涌保护电路-CN201220736759.2有效
发明人：李怀东 -专利权人：李怀东
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低电容大浪涌保护电路，由2n个降容二极管、2个低压TVS二极管和2个双向放电管构成，n为大于等于2且小于等于16的整数；第1到第n降容二极管的阴极与第一双向放电管的一端相连，并与第一低压TVS二极管的阳极和第二低压TVS二极管的阴极相连；第1到第n降容二极管的阳极依次分别连接线路1到线路n；第n+1到第2n降容二极管的阳极与第二双向放电管的一端相连，并与第一低压TVS二极管的阴极以及第二低压TVS二极管的阳极相连，第n+1到第2n降容二极管的阴极依次分别连接线路1到线路n。
一种电容浪涌保护电路

[实用新型]一种具有不同电压降的环流截止器-CN202120837793.8有效
发明人：董建 -专利权人：成都精锐环科技有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有不同电压降的环流截止器，包括上壳体、下壳体以及环流截止电路；环流截止电路包括低压降二极管和高压降二极管支路；环流截止电路和下壳体之间填充有导热绝缘胶，导热绝缘胶与导热片接触；下壳体的底部边缘处设置有安装平台本实用新型的环流截止器具有低压降二极管和高压降二极管支路，使用本实用新型的环流截止器对不同类型和不同电压的蓄电池进行充电时，能够通过高压降二极管支路对低电压的蓄电池进行保护，避免出现高压过充或者低压不能充满的问题
一种具有不同电压环流截止

[发明专利]一种低电容大浪涌保护电路-CN201210582892.1无效
发明人：李怀东 -专利权人：李怀东
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种低电容大浪涌保护电路，由2n(n为大于等于2，且小于等于16的整数)个降容二极管、2个低压TVS二极管和2个双向放电管构成；第1到第n降容二极管的阴极与第一双向放电管的一端相连，并与第一低压TVS管的阳极和第二低压TVS管的阴极相连；第1到第n降容二极管的阳极依次分别连接line1到linen；第n+1到第2n降容二极管的阳极与第二双向放电管的一端相连，并与第一低压TVS管的阴极以及第二低压TVS管的阳极相连，第n+1到第2n降容二极管的阴极依次分别连接line1到linen。
一种电容浪涌保护电路

[发明专利]一种二极管集成电路及二极管集成电路的封装方法-CN202310929035.2在审
发明人：刘志宏;方进;黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/74 文献下载
摘要：本公开提供了一种二极管集成电路及二极管集成电路的封装方法，二极管集成电路包括：等效二极管通路与保护通路，其中，所述等效二极管通路包括低压二极管与氮化镓高电子迁移率晶体管；所述等效二极管通路与所述保护通路并联连接；在所述等效二极管通路中，所述低压二极管与所述氮化镓高电子迁移率晶体管串联连接。可以具有较优的正向导通压降特性并降低导通损耗。
一种二极管集成电路封装方法

[实用新型]多设备通讯系统-CN202020081109.3有效
发明人：蔡卓帆;陈良;周伟阳;许迪斐 -专利权人：杭州优迈科技有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B66B5/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种多设备通讯系统，包括控制装置、第一外部装置以及第二外部装置，其中：所述控制装置与所述第一外部装置通过信号切换单元相连，构成第一回路；所述控制装置与所述第二外部装置通过信号切换单元相连，构成第二回路；所述第二回路还包括低压降二极管和差分放大电路，所述低压降二极管串联于所述控制装置与第二外部装置之间，所述差分放大电路并联在所述低压降二极管两端，并与所述信号切换单元相连。上述多设备通讯系统，通过设置低压降二极管，利用其导通电压随导通电流变化小的特性，产生开关信号，并经过差分放大电路放大，以控制电路中的信号切换单元，实现不同负载设备之间的切换，效率较高，且切换稳定可靠。
设备通讯系统

[发明专利]一种半导体器件、控制方法以及变流器-CN201710155165.X有效
发明人：王朝辉;石磊;傅电波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请提供的半导体器件包括：低压开关器件、第一二极管以及第二二极管；低压开关器件和第一二极管构成串联结构；第二二极管并联在低压开关器件和第一二极管构成的串联结构的两端；第一二极管和第二二极管的通流方向一致其中，所述第一二极管为低导通压降二极管，所述第二二极管为低反向恢复二极管。当半导体器件处于导通状态时，控制设备控制低压开关器件导通，利用第一二极管和第二二极管同时续流，以降低半导体器件的导通压降；当半导体器件关断时，控制设备控制低压开关器件提前预设时间关断，从而将负载电流全部转移到第二二极管中，利用第二二极管和互补器件实现换流，以降低半导体器件的反向恢复电流。
一种半导体器件控制方法以及变流器

[实用新型]高压LED驱动芯片双电源供电电路-CN200920074882.0无效
发明人：肖国庆;冯林 -专利权人：上海沙丘微电子有限公司
申请日： 2009-07-17 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H05B37/00 文献下载
摘要：一种高压LED驱动芯片双电源供电电路，包括电阻Res、齐纳二极管、电压调整器、低压降线性稳压器、带隙基准电路，电阻Res和齐纳二极管组成的电源接入电路的输出连接电压调整器的输入和低压降线性稳压器的一个输入，电压调整器的输出连接芯片引脚VDD_BGR，低压降线性稳压器的另一个输入连接带隙基准电路Vref输出，低压降线性稳压器的输出连接芯片引脚Vout，其特征在于，电阻Res和齐纳二极管组成的电源接入电路输出串接一个二极管后连接芯片引脚可以有三种接入电源的途径：高压电源VDCH直接供电；独立低压电源VDCL通过VCC供电；独立低压电源VDCL通过VIN和VCC供电。
高压 led 驱动芯片双电源供电电路

[实用新型]用于无线发射模块供电的稳压电路-CN201120046629.1有效
发明人：梁义荣;何明华;陈传荣;杨宇 -专利权人：深圳东志器材有限公司
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H02M3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于无线发射模块供电的稳压电路，包括电压转换模块和稳压模块，所述稳压模块由电感和稳压二极管构成，所述稳压二极管采用低压降肖特基二极管，其压降为0～0.3V。本实用新型所述的稳压电路，采用低压降肖特基二极管代替常规SK34肖特基二极管，保持压降为0～0.3V，消除了高频振铃信号，显著改善了无线EVM参数，达到-30dB至-31.5dB，不仅满足了产品设计规格
用于无线发射模块供电稳压电路

[实用新型]一种基于继电器的功率防反电路-CN202122538168.6有效
发明人：黎华平;曹腾华;刘可卿;陈行文;刘文灿 -专利权人：微进电子科技（上海）有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：一种基于继电器的功率防反电路，包括二极管D1、二极管D2、低压降LDO芯片、继电器、三极管、电阻R1和电阻R3；二极管D2的导通端分别与电源电压和继电器的第1引脚连接，二极管D2的截止端与低压降LDO芯片的输入端连接，低压降LDO芯片的输出端与MCU电源端连接；继电器的线圈两端分别连接第2引脚和第3引脚，继电器的第2引脚连接二极管D1的截止端，二极管D1的导通端分别连接继电器的第3引脚和三极管的集电极连接，三极管的基极分别与电阻
一种基于继电器功率防反电路

[发明专利]一种用于高压LED驱动芯片的电源电路-CN201310155347.9无效
发明人：肖国庆 -专利权人：上海芯地信息科技有限公司
申请日： 2013-05-01 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种用于高压LED驱动芯片的电源电路，电阻和齐纳二极管组成的电源连接电压调整器输入端，并通过串接一个二极管后连接芯片引脚Vout，该芯片引脚Vout连接引脚VCC，电压调整器输出端连接芯片引脚VDD_BGR，低压降线性稳压器另一个输入端连接带隙基准电路的输出端Vref，低压降线性稳压器输出端连接芯片引脚Vout，电阻和齐纳二极管组成的电源连接低压降线性稳压器电源输入端之间置有开关管，该开关管的控制极与比较器输出端连接，该比较器输入端连接由电阻Res和齐纳二极管组成的电源，另一输入端连接芯片引脚VCC。
一种用于高压 led 驱动芯片电源电路

[实用新型]高压LED驱动芯片的供电电路-CN201320228004.6有效
发明人：肖国庆 -专利权人：上海芯地信息科技有限公司
申请日： 2013-05-01 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：高压LED驱动芯片的供电电路，电阻和齐纳二极管组成的电源连接电压调整器输入端，并通过串接一个二极管后连接芯片引脚Vout，该芯片引脚Vout连接引脚VCC，电压调整器输出端连接芯片引脚VDD_BGR，低压降线性稳压器另一个输入端连接带隙基准电路的输出端Vref，低压降线性稳压器输出端连接芯片引脚Vout，电阻和齐纳二极管组成的电源连接低压降线性稳压器电源输入端之间置有开关管，该开关管的控制极与比较器输出端连接，该比较器输入端连接由电阻Res和齐纳二极管组成的电源
高压 led 驱动芯片供电电路

[发明专利]一种低漏电低正向压降肖特基二极管结构及其制备方法-CN201410389537.1在审
发明人：鲁艳春;杨忠武;王国峰 -专利权人：上海安微电子有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的主要目的为提供一种低漏电低正向压降肖特基二极管及其制备方法，此方法采用结终端扩展技术保护终端，同时对肖特基主结势垒区进行中和调制，并且此两项的注入同时进行，提高了击穿电压，并可达到良好的低漏电效果本发明应用后可采用低电阻率的外延片来制造肖特基二极管，有效地降低了正向压降，既达到高压效果，并提高低漏电低压降效果。本发明可得到高效率的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管的应用范围更为广泛。
一种漏电正向压降肖特基二极管结构及其制备方法

[实用新型]一种理想二极管电路-CN202220082377.6有效
发明人：周富强;米祥丽;周申奥 -专利权人：周富强
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种理想二极管电路，包括供电电路和理想二极管开关识别电路；所述供电电路包括三极管，三极管经理想二极管开关识别电路形成辅助电源供电回路；所述理想二极管开关识别电路包括电压比较器，所述电压比较器的输出端连接有理想二极管开关电路；所述理想二极管开关电路包括MOS管和肖特基二极管，所述MOS管和肖特基二极管并联；所述供电电路、理想二极管开关识别电路和理想二极管开关电路之间设置有电阻R1~R10，所述电阻用于限流保护。本实用新型设置供电电路用于外接电源，通过理想二极管开关识别电路实现单向导电性，利用理想二极管开关电路替代二极管作业达到低压降效果。
一种理想二极管电路

[实用新型]低压降二极管-CN201920316249.1有效
发明人：王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低压降二极管，涉及二极管技术领域。所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上表面形成有阳极金属层，所述P型阳极层以及部分所述二极管中具有高浓度的厚衬底层，且通过设置N+++/N++/N+/N‑/P结构，使得阴极区串联电阻小，压降低。
衬底层原始单晶下表面阳极层低压降二极管阴极金属层二极管半环形上表面本实用新型二极管技术二极管阴极阳极金属层串联电阻钝化层阴极区内壁

[实用新型]低压降LED发光二极管-CN201720701771.2有效
发明人：谢名全 -专利权人：东莞市瑞凡光电有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低压降LED发光二极管，包括LED晶片、导电银胶、支架阳极、阳极导线、调光亮装置、引线、金线、支架阴极、阴极导线、小型可调线圈电阻、引线连接导线、电阻固定端、限阻绝缘套、电阻调节导线、调亮滑动块，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是该新型一种低压降LED发光二极管，通过调光亮装置能自行调节二极管自身的亮度能满足对光亮度的不同种需求，其次采用两个调光亮装置更能扩大调节亮度范围，而且即使一个坏了，另一个在一定条件下仍能继续使用，且通过调光亮装置内的限阻绝缘套保证额定电阻值使其满足限流要求，防止二极管被击穿，且通过电阻实现发光部位的低压降更加简单有效，故广泛应用于各个场合。
低压 led 发光二极管

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