[实用新型]低压降二极管有效
| 申请号： | 201920316249.1 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN209401633U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低压降二极管，涉及二极管技术领域。所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上表面形成有阳极金属层，所述P型阳极层以及部分N‑原始单晶层的四周形成有半环形沟槽，在所述半环形沟槽的内壁形成有钝化层。所述二极管中具有高浓度的厚衬底层，且通过设置N+++/N++/N+/N‑/P结构，使得阴极区串联电阻小，压降低。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底层 原始单晶 下表面 阳极层 低压降二极管 阴极金属层 二极管 半环形 上表面 本实用新型 二极管技术 二极管阴极 阳极金属层 串联电阻 钝化层 阴极区 内壁 | ||
【主权项】：
1.一种低压降二极管，其特征在于：包括N‑原始单晶层(1)，所述N‑原始单晶层(1)的下表面形成有N+衬底层(2)，所述N+衬底层(2)的下表面形成有N++衬底层(3)，所述N++衬底层(3)的下表面形成有N+++衬底层(4)，所述N+++衬底层(4)的下表面形成有阴极金属层(5)，所述阴极金属层(5)、N+++衬底层(4)、N++衬底层(3)、N+衬底层(2)以及N‑原始单晶层(1)形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层(1)的上表面形成有P型阳极层(6)，所述P型阳极层(6)的上表面形成有阳极金属层(7)，所述P型阳极层(7)以及部分N‑原始单晶层(1)的四周形成有半环形沟槽，在所述半环形沟槽的内壁形成有钝化层(8)。
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