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[发明专利]低介电常数材料-CN201110294605.2有效
发明人：黄心岩;罗清郁;陈海清;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端Si-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可使用CVD或溶胶-凝胶工艺形成包括添加剂的介电材料。所述添加剂的一个示例为双(三乙氧基硅基)乙烷。
介电常数材料

[发明专利]改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法-CN201410403327.3有效
发明人：雷通 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，包括第一步骤，进行第一次低介电常数材料沉积以形成第一低介电常数材料层；第二步骤，对第一低介电常数材料层执行等离子体固化以对第一低介电常数材料层的致孔剂进行驱除，由此形成等离子体固化后的低介电常数材料层；第三步骤，在等离子体固化后的低介电常数材料层上进行第二次低介电常数材料沉积以形成第二低介电常数材料层；第四步骤，对第二低介电常数材料层进行紫外光固化处理以形成多孔低介电常数材料
改善多孔介电常数材料垂直均匀方法

[发明专利]低介电常数材料薄膜的制造方法-CN02141155.7无效
发明人：张鼎张;刘柏村 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种低介电常数材料薄膜的制造方法，此方法是在一基底上形成一旋涂式低介电常数材料薄膜后，对旋涂式低介电常数材料薄膜进行一烘烤工艺。然后利用一能量流均匀照射旋涂式低介电常数材料薄膜，使旋涂式低介电常数材料薄膜结构能够固化并链接完全，有效降低低介电常数材料薄膜的漏电流。
介电常数材料薄膜制造方法

[发明专利]异质低介电常数质材与其形成方法-CN200410103761.6有效
发明人：黎丽萍;章勋明;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种异质低介电常数质材与其形成方法。该异质低介电常数质材包括主要层与次要层，其中主要层包括具有第一低介电常数的第一低介电常数材料，次要层包括具有第二低介电常数的第二低介电常数材料，次要层直接与主要层邻接，且第二低介电常数大于第一低介电常数本发明提供的异质低介电常数质材，可更有效控制金属材料与基底表面之间的寄生电容，并能提高对机械或热应力制程的抵挡，避免造成膜的分层、剥离与碎裂。
异质低介电常数与其形成方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202310667298.0在审
发明人：宋聪强;吕正良;张劲;李毅 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构；于初始半导体结构上形成低介电常数材料层，低介电常数材料层内具有多个小孔；于低介电常数材料层之上涂布液态的热固性树脂层；在液态的热固性树脂层渗透至少部分小孔的情况下，对低介电常数材料层进行第一热处理，以使热固性树脂层固态化；于低介电常数材料层内形成贯穿低介电常数材料层的至少一金属互连结构；对低介电常数材料层进行第二热处理，以使小孔中固态化的热固性树脂层分解。由于本制备方法能够尽量避免低介电常数材料层内的各小孔出现破裂或坍塌，从而减小对低介电常数材料层的机械损伤，从而能够提高芯片的可靠性。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体组件内层介电层与半导体组件及其制造方法-CN200410090379.6有效
发明人：黄泰钧;姚志翔;林义雄;包天一;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该内层介电层包括第一低介电常数材料层及形成于该第一低介电常数材料上的第二低介电常数材料。该第二低介电常数材料层至少较第一低介电常数材料层具有一不同的材料特征。而第三低介电常数材料层又至少较第二低介电常数材料层具有一不同的材料特征。其中，第一、第二以及第三低介电常数材料层较佳为相同材料所构成，并利用连续在一或数个具有不同沉积条件的沉积室中沉积，其中可调整或改变的沉积条件包括：气体流速、电源功率或气体种类。
半导体组件内层介电层及其制造方法

[实用新型]半导体组件的内层介电层及半导体组件-CN200420009677.3无效
发明人：黄泰钧;姚志翔;林义雄;包天一;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：该内层介电层包括第一低介电常数材料层及形成于该第一低介电常数材料上的第二低介电常数材料。该第二低介电常数材料层至少较第一低介电常数材料层具有一不同的材料特征。而第三低介电常数材料层又至少较第二低介电常数材料层具有一不同的材料特征。其中，第一、第二以及第三低介电常数材料层较佳为相同材料所构成，并利用连续在一或数个具有不同沉积条件的沉积室中沉积，其中可调整或改变的沉积条件包括：气体流速、电源功率或气体种类。
半导体组件内层介电层

[发明专利]低介电常数材料的测量方法-CN200610156705.8无效
发明人：沈千万 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种低介电常数材料的测量方法。在用于除去蚀刻处理后的光致抗蚀剂膜的灰化处理中，因使用氧等离子，低介电常数材料表面受损并变成氧化物。为测量受损的低介电常数材料的厚度，利用光学测量系统初步测量形成于衬底上的低介电常数材料的厚度；利用等离子的灰化工艺对形成低介电常数材料的衬底处理，以使低介电常数材料的表面变成氧化物。灰化处理后，利用无机溶液或有机清洗溶液湿清洗衬底，以除去低介电常数材料中变成氧化物的区域。然后，利用光学测量系统再次测量低介电常数材料的厚度，比较初步测量和再次测量值，以计算氧化物的厚度。由于使用设置在半导体制造装置内的光学测量系统，所以可简单快速地测量受损的低介电常数材料的厚度。
介电常数材料测量方法

[发明专利]用于在组合物中产生放电的系统和方法-CN201580009191.0有效
发明人：民苏克·查;章旭明;苏克侯·昌 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H05H1/48 文献下载
摘要：一种系统和方法，其配置成在组合物中产生放电，例如配置成例如在包含材料混合物的组合物中产生放电的那些，所述材料混合物例如高介电常数材料和低介电常数材料的混合物(例如高介电常数液体和低介电常数液体的组合物、高介电常数固体和低介电常数液体的组合物以及类似组合物)，以及其它系统和方法，其配置成例如通过部分由在组合物中产生放电造成的材料改性和/或材料合成制造材料。
用于组合产生放电系统方法

[发明专利]一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法-CN01126057.2无效
发明人：张鼎张;刘柏村;莫亦先 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-08-28 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法。首先于一其上包含有低介电常数材料层的半导体晶片上进行第一含氢等离子体处理步骤，以强化该低介电常数材料层的表面抗光阻去除液侵蚀能力。接着于该低介电常数材料层上涂布光阻层，并于该光阻层中形成一图案开口，以暴露出部分的该低介电常数材料层。之后经由该图案开口干蚀刻该低介电常数材料层，以将该光阻层中的图案转移到该低介电常数材料层中，再利用氧气等离子体灰化该光阻层。最后浸泡该半导体晶片于光阻去除液中，以完全去除该光阻层。
一种强化介电常数材料抵抗去除损害方法

[发明专利]一种低介电常数材料之TEM样品的制备方法-CN201610327894.4在审
发明人：陈胜;陈强;史燕萍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：一种低介电常数材料之TEM样品的制备方法，包括：步骤S1：提供具有表层低介电常数材料之待分析芯片样品，并将表层低介电常数材料的一侧与承载硅片粘贴；步骤S2：对待分析芯片样品之硅基衬底进行研磨，对研磨程度的控制通过硅基衬底之边缘处所露出的器件层图形进行判断；步骤S3：进一步研磨，以使得研磨面平整；步骤S4：通过聚焦离子束制样工具制备低介电常数材料之TEM样品，且从硅基衬底一侧向表层低介电常数材料一侧进行切割。本发明可有效避免离子束和电子束对稀疏、多孔的表层低介电常数材料的损伤，显著提高低介电常数材料之TEM样品的质量，利于观测表层低介电常数材料的结构形貌和层次性，进行精确的工艺参数判断。
一种介电常数材料 tem 样品制备方法

[发明专利]合成多层陶瓷电子部件及其制造方法-CN01143780.4无效
发明人：杉本安隆;近川修;森直哉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2001-12-19 - 公布日： 2002-07-24 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO－TiO3－ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO－TiO3－ReO3/2介质表示为xBaO－yTiO3－zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8x18,52.5y65,20z40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。该合成多层陶瓷电子部件在不同类材料界面处防脱层或变形,能以低温烧制,适合高频应用。
合成多层陶瓷电子部件及其制造方法

[发明专利]降低集成电路RC延迟的方法-CN201410403716.6在审
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低集成电路RC延迟的方法，包括：在多孔低介电常数材料中形成铜互连结构，并且在对铜互连结构进行化学机械研磨平坦化处理；在形成铜互连结构的多孔低介电常数材料表面生长铜扩散介质阻挡层；通过光刻和刻蚀工艺将铜互连结构之外的区域的铜扩散介质阻挡层去除，保留铜互连结构上的铜扩散介质阻挡层；再次进行低介电常数材料的生长，从而在保留的铜扩散介质阻挡层和多孔低介电常数材料上形成上部多孔低介电常数材料层；对上部多孔低介电常数材料层进行表面平坦化处理。
降低集成电路 rc 延迟方法

[发明专利]有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法-CN00132398.9无效
发明人：张鼎张;刘柏村 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2000-11-10 - 公布日： 2002-06-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法,适用于一基底,此方法的步骤如下首先在基底上形成有机硅类低介电常数材料层,再使用氧电浆处理该基底,以去除部分有机硅类低介电常数材料层中的碳元素;接着进行化学机械研磨步骤,以使经过氧电浆前处理的有机硅类低介电常数材料层平坦化,然后再使用氨气电浆处理基底,以修补受损的有机硅类低介电常数材料层。
有机硅介电常数材料化学机械研磨平坦方法

[发明专利]一种制作低介电常数层的新方法及其应用-CN200610028920.X有效
发明人：吴汉明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-07-13 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种制作低介电常数层的方法，在含有低介电常数层的集成电路制造过程中，用硅材料代替结构中低介电常数层，制作完所有结构后，对需要有低介电常数区域的硅材料进行离子注入并进行退火工艺产生小空腔，降低上述区域的电介质常数
一种制作介电常数新方法及其应用

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