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[发明专利]一种Al-16Si过共晶铝硅合金获得全部伪共晶组织的方法-CN201810190239.8有效
发明人：王建华;杨树杰;涂浩;彭浩平;苏旭平 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种Al‑16Si过共晶铝硅合金获得全部伪共晶组织的方法，首先将Al‑16Si合金在高温下进行熔炼和保温，以获得无残余初晶硅的合金熔体；然后使合金液流经超低温铜管实现熔体在固液两相区的快速冷却，以抑制初晶硅的析出；最后将强制冷却的合金液浇注到预热温度为527℃的铁板上进行非平衡凝固，最终得到全部的伪共晶组织。本发明彻底消除了Al‑16Si合金液中的残余初晶硅质点，在铝硅合金固液两相区内实现快速冷却以彻底抑制初晶硅的析出，并在共晶点以下适当温度进行伪共晶凝固，最终得到全部伪共晶组织。
一种 al 16 si 共晶铝硅合金获得全部伪共晶组织方法

[发明专利]一种利用锶合金化和熔体净化制备伪共晶铝硅合金的制备方法-CN202111595454.4有效
发明人：王建华;陈文瑶;彭浩平;刘亚;苏旭平 -专利权人：常州大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用锶合金化和熔体净化制备伪共晶铝硅合金的方法。采用添加卤盐溶剂和合金元素锶协同处理的方式对Al‑20Si过共晶铝硅合金熔体进行净化处理和合金化处理，可以去除合金中的气体及杂质元素、抑制初生硅的形成，促进伪共晶组织的生长。两者协同作用时，熔体净化可以进行除气除杂，使合金处于隔绝空气状态，提高加入锶元素后锶对过共晶铝硅合金的作用效果，合金在熔融状态与锶更充分的反应使合金凝固组织为完全伪共晶组织。与传统的细化过共晶铝硅合金中初生硅的方法不同，本发明不需要采用其他复杂的处理工艺，是一种操作简单、成本低廉、环保无污染的很有应用前景的消除过共晶铝硅合金凝固组织中初生硅，获得完全伪共晶组织的工艺方法。
一种利用合金净化制备伪共晶铝硅方法

[发明专利]一种利用熔体净化和微量镧合金化制备近伪共晶铝硅合金的制备方法-CN202111595490.0在审
发明人：王建华;荆伊蕾;朱泽;吴长军;苏旭平 -专利权人：常州大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用熔体净化和微量镧合金化制备近伪共晶铝硅合金的制备方法。的高纯氧化镁坩埚中熔化可以完全覆盖合金液的净化剂(42.5KCl+42.5NaCl+15Na3AlF6)，再加入Al‑24Si过共晶铝硅合金熔炼，待其完全熔化后加入Al‑10La进行微合金化处理，在850℃保温30min后浇铸到室温金属铸型中快速凝固，得到无初生硅的近伪共晶组织Al‑24Si过共晶铝硅合金。与传统的细化过共晶铝硅合金中硅相的方法不同，本发明是一种获得近伪共晶凝固组织的新型工艺方法。
一种利用净化微量合金制备近伪共晶铝硅方法

[发明专利]具有精细尺度共晶结构，特别是纳米共晶结构的合金以及这种合金的生产-CN202080049996.9在审
发明人： S·格内格;C·西姆森;A·格罗萨尔伯;S·弗兰克;A·贝茨 -专利权人： LKR轻金属能力中心兰斯霍芬有限责任公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C22C23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种合金，特别是轻金属合金，其具有合金组成和共晶结构，合金组成具有至少三种组分，共晶结构通过将合金从液态冷却到固态获得，条件是合金的组成处于合金相图的伪共晶点(pE)周围的区域中，以使合金中出现至少85摩尔％的共晶结构。
具有精细尺度结构特别是纳米合金以及这种生产

[发明专利]一种基于定向凝固获得伪共晶组织的高熵合金及其制备方法-CN202310824465.8在审
发明人：何佳华;张研覃;王建树;卢帅丹;邵文婷;陈建 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料及其制备技术领域，具体涉及一种基于定向凝固获得伪共晶组织的高熵合金及其制备方法，本发明先采用电弧熔炼再熔模浇铸的方法制备亚共晶高熵合金板材，然后采用电火花切割的方法从板材中切出适用于定向凝固的合金棒，最后采用高梯度定向凝固技术，得到具有伪共晶组织的高熵合金，其抗拉和屈服强度相比于铸态合金分别提高了319和155MPa，该制备技术工艺简单，操作方便，适于推广和应用。
一种基于定向凝固获得伪共晶组织合金及其制备方法

[发明专利]多组元大块铁基非晶合金材料的成分设计方法-CN200910112258.X有效
发明人：刘兴军;韩佳甲;王翠萍;张锦彬;黄艺雄;马云庆;施展 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：多组元大块铁基非晶合金材料的成分设计方法，涉及一种非晶合金材料。提供一种高玻璃形成能力的多组元大块铁基非晶合金材料的成分设计方法。根据不同元素对析出相的影响，从热力学数据库中定义出合适的元素作为添加元素，用Thermol-calc商用相图计算软件计算出Fe-C纵截面伪二元相图；调整伪二元相图的温度和成分坐标，使碳含量坐标范围包含共晶点，从伪二元相图中确定成分线；观察液相线附近的初生相和鼻尖温度附近的析出相，看是否满足有利于非晶形成的析出相的要求，若满足，则在共晶点附近选取碳原子含量，确定最终成分，计算相分数图，进一步得到各相析出量的数据，最后根据成分制备非晶合金；若不满足，则返回。
多组元大块铁基非晶合金材料成分设计方法

[发明专利]一种获得铝硅合金伪共晶组织的装置与方法-CN202110928619.9有效
发明人：王建华;朱泽;吴长军;刘亚;苏旭平 -专利权人：常州大学
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B22D23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种获得铝硅合金伪共晶组织的装置与方法，具有支架，所述的支架底部安装有可内存液氮的浇注桶，浇注桶内设有浸没于液氮内、供铝硅合金熔体浇注的旋转叶片，支架上端设有驱动电机，驱动电机的输出轴传动连接有旋转轴本发明利用旋转叶片的旋转产生的分散撞击效应，与液氮急速冷却协同作用，不但消除了过共晶铝硅合金凝固组织中的初生硅相，而且可获得均匀细小的伪共晶组织。
一种获得合金伪共晶组织装置方法

[发明专利]一种高铝锌铝伪合金棒材与丝材-CN201710059211.6有效
发明人：张花蕊;贾丽娜;张虎 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高铝锌铝伪合金棒材或丝材，所述的伪合金棒材或丝材中铝的质量百分含量为15％～95％，其特征在于，所述的伪合金棒材或丝材中锌和铝各自以单质或合金形式存在，不产生锌和铝的共晶组织以及硬脆相，本发明通过挤压置于包套中的铝棒和锌棒，使其变形混合并形成所述的伪合金棒材，再对棒材进行拉拔减径得到所述的高铝锌铝伪合金丝材，上述过程中锌铝只是发生变形，直径减小，之间并未发生合金化，不会产生共晶组织以及硬脆相，所得到的棒材变形能力好，可以通过拉拔减径制备成伪合金丝材后在防腐蚀涂层的热喷涂制备中形成高铝锌铝涂层，显著促进了高铝锌铝合金丝材的发展和应用。
一种高铝锌铝伪合金

[发明专利]一种DD6单晶高温合金共晶缺陷检测和分割方法-CN202110058769.9在审
发明人：严海蓉;齐帅 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-01-16 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种DD6单晶高温合金共晶缺陷检测和分割方法，DD6单晶高温合金显微图像的采集和共晶缺陷轮廓的人工标注，通过标注工具获取DD6单晶高温合金共晶缺陷的类别标签、缺陷轮廓的坐标和缺陷外接矩形框的左上角坐标以及长宽值；计算图像中共晶缺陷灰度值的均值和标准差，得到不包含共晶缺陷的背景图片；将待检测的DD6单晶高温合金显微图像输入到模型当中，检测出图像中共晶缺陷的个数、位置和大小。本发明节省人工检测DD6单晶高温合金共晶缺陷的时间，提升工作效率。这种方法相比不使用伪样本最终在真实样本组成的测试集上表现更好。
一种 dd6 高温合金缺陷检测分割方法

[发明专利]含有共晶组织的NiCoMnSn哈斯勒合金体系及其设计与制备方法-CN202310493127.0在审
发明人：贺一轩;卜凡;王雨寒;翟强;刘浩翔 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C22C30/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有共晶组织的NiCoMnSn哈斯勒合金体系及其设计与制备方法，利用修正的伪二元法快速确定共晶体系，并经过成分点微调获得完全共晶；合金组成元素Ni、Co、Mn、Sn的原子比含量分别为48：x：42‑x：10（x=6，10，14），其中当x=6时为亚共晶体系，当x=10时为共晶体系，而当x=14时为过共晶体系。该共晶体系形貌相较于常规的枝晶、等轴晶等形貌，其片层结构可充分发挥两相协调变形的优势，从而实现更优异的力学性能，克服哈斯勒合金固有的脆性问题。与现有文献中出现的相似合金元素但合金成分截然不同的Ni‑Mn‑Sn体系共晶材料相比，本发明的Heusler共晶合金显著提高该体系合金的力学性能。
含有组织 nicomnsn 哈斯勒合金体系及其设计制备方法

[发明专利]一种改性SnBi系亚共晶合金的方法及得到的合金-CN201811190289.2有效
发明人：张少明;贺会军;刘希学;朱捷;王志刚;赵朝辉;张富文;安宁;温余苗;卢彩涛;徐蕾;林刚 -专利权人：北京康普锡威科技有限公司;山东康普锡威新材料科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用拓扑短程有序结构改性SnBi系亚共晶合金的方法，属于材料改性技术领域。该方法可以通过温度要素诱导和成分要素诱导实现拓扑短程有序结构的转变。本发明方法抑制了初生β‑Sn的析出，大幅增加共晶组织的比例，实现了合金凝固过程中亚共晶组织向伪共晶组织的转变。该方法对合金晶粒的细化程度超过了传统利用微合金添加改性方法的几个量级。
一种改性 snbi 系亚共晶合金方法得到

[发明专利]一种W改性的NiAl－Cr（Mo）双相共晶金属间化合物-CN200710176119.4无效
发明人：宫声凯;汤林志;张志刚;刘先斌;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种W改性的NiAl－Cr(Mo)双相共晶金属间化合物，其成分范围为33at％的Ni，30at％的Cr，4at％的Mo，1～15at％的W和余量的Al。通过在NiAl－Cr(Mo)双相共晶的共晶点附近的成分范围内，降低Al元素含量、添加W元素进行改性，以及W元素与NiAl形成伪二元共晶相，在室温塑性和韧性较好的富Ni的NiAl－Cr(Mo)两相组织的基础上，引入适当的W相来进一步提高共晶金属间化合物的高温强度和室温塑性。本发明W改性的NiAl－Cr(Mo)双相共晶金属间化合物的密度为6.8～7.8g/cm³，在1150℃时的屈服强度为110～200MPa。
一种改性 nial cr mo 双相共晶金属化合物

[发明专利]一种V改性的NiAl－Cr（Mo）双相共晶金属间化合物-CN200710176118.X无效
发明人：宫声凯;刘先斌;张志刚;汤林志;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种V改性的NiAl－Cr(Mo)双相共晶金属间化合物，其成分范围为33at％的Ni，30at％的Cr，4at％的Mo，1～16at％的V和余量的Al。通过在NiAl－Cr(Mo)双相共晶的共晶点附近的成分范围内降低Al元素含量、添加V元素进行改性。V是唯一能同时形成伪二元共晶系和Heusler相的元素，V与Cr的作用类似，将大量溶于α－Cr中，并以α－Cr沉淀相析出，进而起到沉淀强化的作用。在室温塑性和韧性较好的富Ni的NiAl－Cr(Mo)两相组织的基础上引入Heusler相和α－Cr沉淀相来进一步提高共晶合金的高温强度。本发明V改性的NiAl－Cr(Mo)双相共晶金属间化合物的密度为6.0～6.6g/cm³，在1150℃时的屈服强度达到120～150MPa。
一种改性 nial cr mo 双相共晶金属化合物

[发明专利]伪晶圆清洗平台、半导体设备及半导体工艺方法-CN201910983470.7在审
发明人：胡立元 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种伪晶圆清洗平台、半导体设备及半导体工艺方法，包括：旋转平台；第一伪晶圆吸附装置，设置于旋转平台的中心处；第二伪晶圆吸附装置，设置于旋转平台的上表面；第二伪晶圆吸附装置的顶部与旋转平台的上表面的距离小于第一伪晶圆吸附装置的顶部与旋转平台的上表面的最大距离，且大于第一伪晶圆吸附装置的顶部与旋转平台的上表面的最小距离；清洗喷嘴，设置于旋转平台的上表面，清洗喷嘴的顶部与旋转平台的上表面的距离小于第二伪晶圆吸附装置的顶部与旋转平台的上表面的距离。晶圆清洗平台可以对伪晶圆的背面进行清洗，减少对半导体设备中的晶圆吸盘的污染，提高产品良率，提高生产效率，延长晶圆吸盘的使用寿命。
伪晶圆清洗平台半导体设备半导体工艺方法

[发明专利]一种低压低功耗跨导放大器-CN201610968801.6在审
发明人：宋树祥;邓亚彬;岑明灿;蔡超波 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压低功耗跨导放大器，包括共模前馈电路、伪差分输入电路和共源共栅电流镜放大电路，共模前馈电路和伪差分输入电路均接入共模电压Vin1、共模电压Vin2和输入信号，伪差分输入电路与共模前馈电路均接入恒定偏置电压源Vbias1，伪差分输入电路与共模前馈电路连接，对输入信号进行一级放大；共源共栅电流镜放大电路与伪差分输入电路连接，共源共栅电流镜放大电路接入恒定偏置电压源Vbias2，对一级放大后的信号进行二级放大；且共模前馈电路、伪差分输入电路和共源共栅电流镜放大电路均接入电源VDD。
一种压低功耗放大器

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